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전기전자공학실험-BJT 바이어스 회로 설계 (2)

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한컴오피스
최초등록일 2023.02.14 최종저작일 2020.05
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전기전자공학실험-BJT 바이어스 회로 설계  (2)
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    목차

    1. 이론 개요
    2. 이미터 바이어스 회로 (Emitter Bias Circuit)
    3. 컬렉터 귀환 바이어스 회로 (Collector Feedback Bias Circuit)
    4. 참고 문헌

    본문내용

    1. 이론 개요
    이 실험은 실험 9를 확장한 것으로 이미터 바이어스와 컬렉터 귀환 바이어스 회로 두 가지 구조를 추가적으로 살펴본다.

    이미터 바이어스 회로
    그림 10-1의 이미터 바이어스 구조는 단일 또는 이중 전원공급 장치를 사용하여 구성될 수 있다. 두 구조 모두 실험9의 고정 바이어스보다 향상된 안정도를 제공한다. 특히 이미터 저항에 트랜지스터의 를 곱한 값이 베이스 저항보다도 매우 크다면, 이미터 전류는 본질적으로 트랜지스터의와 무관하게 된다. 그러므로 적절히 설계된 이미터 바이어스 회로에서 트랜지스터를 교환한다면, 의 변화는 미약할 것이다.

    컬렉터 귀환 회로
    그림 10-2의 컬렉터 귀환 바이어스 회로를 실험 9의 고정 바이어스와 비교한다면, 전자에서 베이스 저항은 고정 전압 에 연결된 것이 아니라 트랜지스터의 컬렉터 단자에 연결되어 있다. 그러므로 컬렉터 귀환 구조에서 베이스 저항에 걸리는 전압은 컬렉터 전압과 컬렉터 전류의 함수이다. 특히 이 회로는 출력 변수가 증가 또는 감소하면, 입력 변수가 각각 감소 또는 증가를 초래하는 부귀환의 원리를 설명한다. 예를 들면, 가 증가하면 를 감소시켜서, 증가한 가 상쇄되도록 다시 를 감소시킨다. 결과적으로 이 회로의 구조가 변수 변화에 덜 민감한 것이다.

    2. 이미터 바이어스 회로 (Emitter Bias Circuit)
    이미터 바이어스는 하나 또는 2개의 바이어스 전원을 사용하여 구성될 수 있으며 전류 귀환 바이어스라고도 한다. 컬렉터 쪽에는 양(+)의 전압원 를, 이미터 쪽에는 음(-)의 전압원 를 연결한 형태로 구성되어 있다.

    참고자료

    · https://minhaep.tistory.com/46
    · 전자회로 실험 제11판
  • AI와 토픽 톺아보기

    • 1. 이미터 바이어스 회로
      이미터 바이어스 회로는 트랜지스터의 동작점을 설정하는 데 사용되는 중요한 회로입니다. 이 회로는 트랜지스터의 베이스-이미터 전압을 고정시켜 안정적인 동작을 보장합니다. 이미터 저항과 베이스 저항의 값을 적절히 선택하면 트랜지스터의 동작점을 원하는 값으로 설정할 수 있습니다. 이미터 바이어스 회로는 증폭기, 스위칭 회로, 전원 공급 장치 등 다양한 전자 회로에서 사용되며, 회로의 안정성과 성능에 중요한 역할을 합니다.
    • 2. 컬렉터 귀환 바이어스 회로
      컬렉터 귀환 바이어스 회로는 트랜지스터의 동작점을 설정하는 또 다른 방법입니다. 이 회로는 컬렉터 전압을 피드백하여 베이스 전압을 조절함으로써 동작점을 안정화시킵니다. 컬렉터 귀환 바이어스 회로는 이미터 바이어스 회로에 비해 온도 변화나 전원 변동에 더 강한 안정성을 가지고 있습니다. 또한 동작점 설정이 보다 유연하다는 장점이 있습니다. 이 회로는 고성능 증폭기, 전원 공급 장치, 스위칭 회로 등에 널리 사용됩니다.
    • 3. 동작점 계산
      트랜지스터의 동작점을 정확하게 계산하는 것은 회로 설계에 매우 중요합니다. 동작점은 트랜지스터의 베이스-이미터 전압, 컬렉터-이미터 전압, 컬렉터 전류 등의 값으로 표현됩니다. 이 값들은 트랜지스터의 특성과 바이어스 회로의 구성에 따라 달라집니다. 동작점 계산을 위해서는 트랜지스터의 모델링, 바이어스 회로의 분석, 그리고 수학적 계산이 필요합니다. 정확한 동작점 계산은 회로의 안정성, 선형성, 효율성 등을 보장하는 데 필수적입니다.
    • 4. 포화 전류 계산
      트랜지스터의 포화 전류는 트랜지스터가 완전히 포화 상태에 도달했을 때의 컬렉터 전류를 의미합니다. 포화 전류는 트랜지스터의 최대 전류 handling 능력을 나타내며, 회로 설계 시 중요한 고려 사항이 됩니다. 포화 전류는 트랜지스터의 물리적 구조, 도핑 농도, 전압 등 다양한 요인에 의해 결정됩니다. 정확한 포화 전류 계산을 위해서는 트랜지스터의 모델링과 수학적 분석이 필요합니다. 포화 전류를 초과하지 않도록 회로를 설계하는 것은 트랜지스터의 안전성과 신뢰성을 보장하는 데 매우 중요합니다.
    • 5. beta 값의 영향
      트랜지스터의 beta 값은 트랜지스터의 전류 증폭 능력을 나타내는 중요한 파라미터입니다. beta 값은 트랜지스터의 동작점, 입출력 특성, 전압 이득 등에 큰 영향을 미칩니다. beta 값이 크면 트랜지스터의 전류 증폭 능력이 높아져 회로 설계에 유리할 수 있지만, 온도나 제조 공정 변동에 따라 beta 값이 변동될 수 있습니다. 따라서 회로 설계 시 beta 값의 변동을 고려하여 안정적인 동작을 보장하는 것이 중요합니다. 또한 beta 값이 작은 트랜지스터를 사용하는 경우에는 이를 보완할 수 있는 회로 기술이 필요합니다.
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      이 예비 레포트는 BJT 바이어스 회로 설계를 위한 기초 이론과 계산 방법을 체계적으로 정리하여 제시하고 있어, 실험 준비에 도움이 될 것으로 판단됩니다.
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