10주차 BJT의 I-V Characteristic 예비보고서(ㅇㅎ대, A+족보)

소개글

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목차

1. 실험목적
2. 기초 이론
3. 참고 문헌

본문내용

1. 실험목적
BJT(Bipolar Junction Transistor)의 특성과 동작을 파악한다.
2. 기초 이론
1) BJT의 동작 원리

BJT는 불순물이 도핑된 3개의 반도체(base, emitter, collector)가 접합된 트랜지스터다. 얇은 P-type 반도체가 n-type 반도체 사이에 삽입되어 있는 npn 트랜지스터와 n-type 반도체가 p-type 반도체 사이에 삽입되어 있는 pnp트랜지스터로 구분된다. BJT는 적절한 영역(Forward Active Region 또는 Soft Saturation 영역)에서 바이어스 되어 있을 때 전압종속 전류원(VCCS)로써 동작한다.

Figure 2에 npn BJT가 Forward Active Region일 때 전류가 흐르는 메커니즘이 그림으로 나타나 있다. B-E접합은 순방향으로 바이어스되어 있어 BE 접합에 전류가 흐르는 다이오드의 동작으로 이해할 수 있다. 이에 의해 정공은 베이스에서 이미터로, 전자는 이미터에서 베이스로 흐른다. BE접합이 순방향으로 바이어스 되어 있지 않았다면, 접합면의 built-in potential때문에 전위장벽을 넘지 못하여 전류가 흐르지 못했을 것이다.

참고 자료

B. Razavi, Fundamentals of Microelectronics, WILEY.