전자재료물성 실험 및 설계2 하()()교수님 A+ 예비 및 결과레포트

소개글

2~13주차의 예비 및 결과 레포트입니다.
**3,4개 가량의 레포트는 빠져있는 것 같습니다.**
그 외의 나머지인 13개의 레포트는 완벽하게 작성되어 있습니다.

목차

Ⅰ. 예비레포트
1. 실험 일시
2. 실험 제목
3. 예비 이론
4. 참고문

Ⅱ. 결과레포트
1. 실험결과
2. 고찰

본문내용

예비레포트 : BJT의 전기적 특성 (pnp, npn)
- 실험 일시 : 2022년 9월 19일
- 실험제목 : BJT의 전기적 특성 (pnp, npn)

- 예비 이론 :
[BJT의 발견]
진공관은 부피가 너무 커서 회로의 크기를 줄이고 발열, 전력소모가 심하다는 단점이 존재하였다. 또한 내구력이 취약하고 소형화, 대중화가 어려워져 트렌지스터를 개발하였다. 존바딘, 윌리엄, 쇼클리, 윌터브래튼 분들이 게르마늄 조각에 얇은 도체 선을 접촉시켜 전기신호가 증폭되는 현상을 발견하게 되었다. 증폭현상 이후, 벨 연구소의 존바딘, 윌리엄 쇼클리는 1956년 트랜지스터로 노벨 물리학상을 수상했고 존바딘은 계속 반도체를 연구하여 초전도 이론으로 노벨상을 수상하게 되었다. 그 후 쇼클리는 양극서 트랜지스터 BJT를 개발하여 실리콘 벨리의 시조가 되었다.

<중 략>

결과 레포트: biasing 회로 (BJT의 전기적 특성 관찰)

- 실험 결과

< V_2=0V일 때, V_1에 대한 V-I curve>
< V_2=1V일 때, V_1에 대한 V-I curve>
< V_2=2V일 때, V_1에 대한 V-I curve>
<V_1=0V일 때, V_2에 대한 V-I curve>
<V_1=1V일 때, V_2에 대한 V-I curve>
<V_2=0V일 때, V_2에 대한 V-I curve>

-고찰
이 실험은 bjt의 전기적 특성을 관찰하는 실험이다. bjt는 pnp,npn이 존재하지만 우리는 실험을 npn으로 하였다. 먼저 v_2을 고정시키고 v_1은 0-2.5v까지 측정하였다. 0.1-0.5V는 0.05V씩 올려주고 0.5-2.5V는 0.5V씩 올려주었다. V_2는 0, 1, 2V로 고정시키는 것을 순서로 실험을 진행하였다. 즉, 회로그림을 보면 V_2는 V_cc이고 V_1은 V_eb이다.

V_2=0V을 고정시키고 V_1을 0-2.5V까지 상승시켜 I_c를 측정하였다. I_c= 0.015mA, 0.022mA등의 0mA와 유사한 값이 측정되었다. 이 때는 V_c=0이므로 밑의 전류간의 관계도를 보면 I_c이 0인 이유를 알 수 있다.

이처럼 전압이 0이면 bjt 자체가 off된 것과 마찬가지이므로 I_c는 0에 가깝다.하지만 정확한 0이 아닌 미세한 전류가 흘렀는데 이 부분은 누설전류인 것 같다.

참고 자료

없음