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BJT 바이어스 회로 설계2025.04.301. 이미터 바이어스 회로 이미터 바이어스 회로는 단일 또는 이중 전원공급 장치를 사용하여 구성될 수 있으며, 실험 9의 고정 바이어스보다 향상된 안정도를 제공한다. 이미터 저항에 트랜지스터의 beta를 곱한 값이 베이스 저항보다도 매우 크다면, 이미터 전류는 본질적으로 트랜지스터의 beta와 무관하게 된다. 따라서 적절히 설계된 이미터 바이어스 회로에서 트랜지스터를 교환한다면, IC와 VCE의 변화는 미약할 것이다. 2. 컬렉터 귀환 바이어스 회로 컬렉터 귀환 바이어스 회로는 베이스 저항 RB를 전압원 VCC에 직접 연결하지 않고...2025.04.30
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전자회로실험_A+레포트_BJT Bias Circuit2025.01.131. BJT 자기 바이어스 회로 BJT의 자기 바이어스 회로의 특성을 알아보고 이해하는 실험입니다. NPN형 BJT 자기 바이어스 회로의 동작점 전류와 전압을 측정하고 그래프를 그려 이해하였습니다. 실험에서 이미터 저항을 변화시키며 전류와 전압을 측정하고 전류이득 β를 계산하였습니다. 키르히호프 법칙을 이용하여 동작점 전류와 전압을 계산하고 실험값과 비교하였습니다. 그래프를 통해 동작점이 활성영역에 있음을 확인하였습니다. 2. BJT 전압분배 바이어스 회로 NPN형과 PNP형 BJT 전압분배 바이어스 회로의 동작점 전류와 전압을 측...2025.01.13
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전기전자공학실험-JFET 바이어스 회로2025.04.301. JFET 고정 바이어스 회로 JFET 고정 바이어스 회로의 입력 및 출력 특성을 분석하였습니다. JFET의 드레인 특성곡선과 부하선의 교점이 동작점을 결정하며, 쇼클리 방정식을 이용하여 드레인 전류를 계산할 수 있습니다. 또한 출력단의 전압 VDS를 구할 수 있습니다. 2. JFET 자기 바이어스 회로 JFET 자기 바이어스 회로의 입력 및 출력 특성을 분석하였습니다. 이 회로에서는 VGS가 출력 전류 ID의 함수이며, 고정되지 않습니다. 쇼클리 방정식을 이용하여 드레인 전류를 계산할 수 있으며, 출력단의 전압 VDS, VS,...2025.04.30
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 6장 연습문제 풀이2025.01.021. 포화점과 차단점에서의 컬렉터 전류와 에미터 전압 계산 포화점에서의 컬렉터 전류와 에미터 전압, 차단점에서의 컬렉터 전류와 에미터 전압을 계산하기 위해서는 베이스 전류와 베이스-에미터 전압이 필요하다. 이를 통해 컬렉터 전류와 에미터 전압을 구할 수 있다. 2. 증폭기의 최대 효율 증폭기의 최대 효율은 17%이다. 이는 증폭기의 동작 특성을 나타내는 중요한 지표이다. 3. 직류 및 교류 부하선 분석 직류 부하선과 교류 부하선을 분석하여 증폭기의 동작점과 출력 전압의 스윙 값을 구할 수 있다. 이를 통해 증폭기의 성능을 평가할 수...2025.01.02
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 4 MOSFET 소자 특성 측정2025.05.011. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터 시트를 사용하여 문턱 전압 VT와 전도도 계수 kn을 구했습니다. kn을 구하기 위해 필요한 수식과 수치를 자세히 설명했습니다. 또한 구한 kn 값을 이용하여 과전압 VOV=0.6V일 때의 전도 transconductance gm 값을 계산했습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 사용하여 MOSFET 회로도를 설계했습니다. PSPICE를 이용해 드레인 전류-게이트 전압(iD-vGS) 특성 곡선을 시뮬레이션했습니다. 이를 통해 문턱 전압 VT를 구하고 데...2025.05.01
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실험 06_공통 이미터 증폭기 예비 보고서2025.04.271. BJT 소신호 등가회로 BJT의 소신호 등가회로에 대해 설명하고, 트랜스컨덕턴스 g_m과 등가 이미터 저항 r_e가 컬렉터 전류와 어떤 관계가 있는지 유도하였습니다. 소신호 등가회로를 사용하면 선형적 소자가 되어 회로 분석과 설계가 쉬워집니다. 2. 공통 이미터 증폭기 특성 분석 공통 이미터 증폭기의 동작 원리와 입력-출력 전달 특성 곡선을 설명하였습니다. 차단, 능동, 포화 영역에서의 동작을 분석하고, 소신호 등가회로를 이용하여 입력 저항, 전압 이득 등을 구하는 방법을 제시하였습니다. 3. 공통 이미터 증폭기 실험 회로 및...2025.04.27
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중앙대학교 전기회로설계실습 2. 전원의 출력저항, DMM의 입려저항 측정회로 설계(예비) A+2025.01.271. 건전지의 내부저항 측정 건전지의 내부저항은 수Ω 정도로 작으며 새 건전지의 경우 0.05Ω의 출력저항을 가진다. 따라서 내부저항은 0에 가까운 아주 작은 값일 것이라 예상한다. 건전지(6 V)의 내부저항을 측정하는 회로와 절차를 설계하여 제출하였다. 10Ω 저항과 Pushbutton을 사용하여 측정에 의한 전력소비가 최소가 되도록 하였다. 10Ω 저항에 0.6A 전류가 흐르고 6V 전압이 걸리므로 10Ω 저항에 소비되는 전력은 3.6W이다. 2. 옴의 법칙과 전류 계산 10Ω의 저항에 1V를 인가하면 전류는 100mA이다. D...2025.01.27
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A+ 연세대학교 기초아날로그실험 8주차 예비레포트2025.05.101. Oscillator와 Timer Oscillator는 특정 주파수, 진폭, 모양 등을 가진 파형을 반복적으로 생성하는 장치로, Linear Oscillator와 Non-Linear Oscillator로 구분된다. Linear Oscillator에는 RC Oscillator, LC Oscillator, Crystal Oscillator가 있으며, Non-Linear Oscillator에는 Ring Oscillator와 RC relaxation Oscillator가 있다. 디지털 회로에서는 Oscillator와 Timer가 필요하...2025.05.10
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[전자공학응용실험]5주차_4차실험_실험 14 캐스코드 증폭기_예비레포트_A+2025.01.291. 캐스코드 증폭기 캐스코드 증폭기의 동작 원리를 학습하고, MOSFET을 사용한 캐스코드 증폭기의 특성을 실험을 통해 측정합니다. 캐스코드 증폭기의 입출력 전압 전달 특성을 계산하고, 소신호 등가 회로 개념을 적용하여 전압 이득을 계산한 후 실험을 통해 이를 검증합니다. 또한 증폭기의 DC 동작점을 유지하기 위한 바이어스 회로도 학습하고, 실험을 통해 동작을 확인합니다. 1. 캐스코드 증폭기 캐스코드 증폭기는 전자 회로 설계에서 널리 사용되는 중요한 회로 구조입니다. 이 증폭기는 높은 입력 저항, 낮은 출력 저항, 그리고 높은 ...2025.01.29
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전기전자공학실험-공통 이미터 트랜지스터 증폭기2025.04.301. 공통 이미터 트랜지스터 증폭기 공통 이미터 (common-emitter, CE) 트랜지스터 증폭기 회로는 널리 이용된다. 이 회로는 일반적으로 10에서 수백에 이르는 큰 전압 이득을 얻을 수 있고, 적절한 입력과 출력 임피던스를 제공한다. 교류 신호 전압 이득, 입력 임피던스, 출력 임피던스 등의 특성을 분석하고 측정하는 실험을 수행하였다. 실험 결과를 통해 공통 이미터 증폭회로의 동작 원리와 특성을 이해할 수 있었다. 2. BJT 트랜지스터 모델링 BJT 트랜지스터의 실질적인 역할을 모델링하기 위해 적절한 회로 성분을 선택하...2025.04.30
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