3D NAND

소개

NAND플래시의 3차원화

목차

없음

본문내용

*플래시 메모리(Flash Memory)
메모리 셀 일부가 동작 한번으로 섬광(Flash)처럼 지워질 수 있어서 ‘플래시’ 메모리이다. 플래시 메모리는 전기적 소거 동작이 원하는 블록, 섹터 또는 전체 칩 단위로 수행되고, 프로그램은 한 개의 비트 단위로도 수행 할 수 있도록 구조를 구성한 EEPROM의 개량 형, 기억 단위 섹터가 분할되어 포맷되는 디스크 형 보조 기억 장치와 구조가 유사하다.

*낸드(NAND)형
비트 선과 접지선 사이 셀이 직렬연결 방식이다.(NOR병렬연결)
해당 블록으로 이동 후 직렬 연결된 각 셀에서 순서대로 데이터를 읽는다. NOR형에 비해 읽기 속도는 느리지만 쓰기, 지우기 속도는 빠르고, 대용량이다.
MP3, 핸드폰, 디지털 카메라 등의 데이터 저장용으로 사용된다.

<중 략>

여기서 크로스 포인트 형 메모리는 워드라인과 비트 선의 크로스 포인트에 메모리 셀을 배치하는 구조의 메모리로, 메모리 셀 어레이를 적층해 실리콘 면적 당 기억 용량을 늘릴 수 있다는 장점이 있다.
C.Y.Lu씨(Macronix International)는 3D 낸드가 차세대 낸드 플래시의 후보라는 주장에 대해, 수직 방향으로 세울 수 있는 메모리 셀의 수에는 최적 값이 있다고 지적했다. 이론적으로는 메모리 셀의 수를 늘리면 메모리 셀 어레이에서 실리콘 면적 당 비트의 수가 늘어나는 것이겠지만, 수직 방향으로 확대한 메모리 셀 사이를 연결하기 위한 주변 회로의 제조 단가가 늘어난다. 제조비용을 제일 낮출 수 있는 최적 값은 64개의 메모리 셀을 배치했을 경우라고 설명했다.

참고자료

· http://blog.naver.com/stingerz?Redirect=Log&logNo=90111747181
· http://blog.daum.net/sazanami/11896516
· http://blog.naver.com/wkdguswns23?Redirect=Log&logNo=110141143136
· http://avenuel.tistory.com/1363