반도체공정1 2차 레포트

목차

1. NAND-type & NOR-type
(1) NAND-type
(2) NOR-type
(3) NAND-type과 NOR-type의 비교
(4) NAND와 NOR flash의 사용

2. Floating gate flash memory & Charge trap flash memory
(1) Floating gate flash memory
(2) Charge trap flash memory (=CTF)
(3) Capacitive coupling (인접 Cell간의 coupling)

3. MLC Flash memory

4. 3D Flash memory

본문내용

1. NAND-type & NOR-type
Flash Memory는 EEPROM의 변형으로, 전원공급 없이도 기록된 내용을 보존할 수 있는 ROM의 성격과 읽기/쓰기가 모두 가능한 RAM의 성격을 모두 가지고 있는 메모리이다. 또 대표적인 비휘발성 메모리로서, D램처럼 Refresh를 하지 않아도 데이터가 지워지지 않는 특성을 가진다. 그 종류로는 크게 NAND, NOR가 있다.

(1) NAND-type
NAND flash는 각 셀이 직렬 형태로 이루어져 있기 때문에 Random Access가 불가능하고 각 셀에서 순차적으로 데이터를 읽어낸다. 그래서 NOR flash에 비해 데이터 Read 속도가 느리지만, 메모리의 블록이 여러 페이지로 나누어져 있기 때문에 쓰기/지우기 속도가 더 빠르다.
Read 속도가 느리다는 단점 때문에 컴퓨터 메모리로는 쓰기에는 알맞지 않지만, 다양한 이동식 저장매체에 어울리는 방식이다. USB flash drives와 스마트폰이나 애플 에어팟과 같은 전기적 특성을 가진 기기에 많이 사용된다. 우수한 기술을 갖고 있는 삼성, 인텔, 하이닉스에서 NAND flash를 제조한다.

(2) NOR-type
NOR flash는 각 셀이 병렬 형태로 이루어져 있어서 데이터 Read시 Random Access가 가능하다. 즉, Read 속도가 빠르다. 하지만 데이터를 덮어 쓰는 것이나 지우는 것은 Random Access가 불가능하기 때문에 그 속도가 느리다.
Read시에는 페이지 단위로 읽어 들일 수 있지만, 해당 페이지를 덮어쓰거나 지우는 것은 모든 블록을 지워야 하기 때문에 그 속도가 느리다. 또한 각 셀이 병렬 형태로 이루어져 있기 때문에 각 셀을 개별적으로 접근하기 위한 전극이 필요하게 되고 그 덕분에 NAND 형태에 비해 필요한 면적이 넓어진다는 단점이 있다. 그 덕분에 집적도가 낮아져서 대용량 메모리는 다소 불리한 형태이다.
즉, Read속도는 빠르나 데이터를 덮어 쓰거나 지우는 것이 느리고 NAND에 비해 필요한 면적이 넓다.

참고 자료

없음