PVD

소개

PVD 공정 전반에 관한 자료입니다.

목차

없음

본문내용

Physical Vapor Deposition
Thin Film Deposition
Chemical Process
Physical Process
Evaporation
Sol-Gel
Plating
CVD
Sputtering
Electro plating
Electroless-plating
CVD
APCVD
LPCVD
PECVD
MOCVD
Thermal
Electron beam
Molecualr beam
Ion plating
Laser ablating
Radio-Frequency
DC
Magnetron
박막 성장 방법
2
PVD
목적하는 박막의 구성원자를 포함하는 고체의 타겟을
물리 적인 작용(증발, 승화, 스퍼터링, 레이저가열 등)을
통해 원자,분자,클러스터 상태로 기판표면에 수송하여
박막을 형성하는 방법

<중 략>

타겟 표면 Cleaning 공정, 기판 표면 Cleaning 공정
단순한 구성, low cost
타겟의 급속한 가열
기판의 전자 및 이온에 의한 플라즈마 손상
낮은 증착 속도
압력의 조절 → 전자 공급 및 sputtering 과정 분리 : Triode sputtering
Diode Sputtering
구성 : target + 2 electrodes for sustaining the discharge
금속 필라멘트를 가진 제 3의 전극을 달아 열전자를 방출시켜 이온화 율을 높임
+(50-100V)
ANODE
Target
NE GATIVE
HIGH VOLTAGE
THERMIONIC
TTER
SUBSTRATE
HCLDER
PLASMA
MAGNETIC
FIELD
Triode Sputtering
Hot Cathode 에서 방전 유지를 위한 열전자 공급
→ 고온 음극에 대하여 약 -100V 유지된 target에 이동
Triode Sputtering

참고자료

· 없음