[반도체] 반도체 제조공정

목차

1. 모래에서 회로까지의 실리콘 제조공정
2. 재료형성
3. 결정 성장 및 웨이퍼 형성
4. 웨이퍼 가공
5. 가공절차
6. 웨이퍼의 선별

본문내용

5. 가공절차
반도체 가공시에 각 웨이퍼는 여러가지 공정을 거치게 되는데, 사용된 기술(MOS, 바이폴라등)과 소자나 회로의 복잡도와 관련이 있다. 간단한 금속 게이트 MOS 소자는 기본적으로 다섯번의 마스킹과 한번의 확산을 하는 반면, 기본적인 바이폴라 웨이퍼는 네번의 확산과 일곱번의 마스킹을 하게 된다. 그 조작은 크게 세가지 경우로 나눌 수 있다.
1. 불순물 주입단계(Doping) :층 형성, 패턴 형성, 불순물 주입의 순서대로 이루어지며 이것은 반도체 소자 제조에서 가장 많이 쓰이는 단계이다
2. 금속 배선 단계(Metallization) : 웨이퍼 표면에 도핑단계를 통해 전기적 활성영역이 형성되면, 그 지역 혹은 소자는 배선이 되어야 한다. 반도체 기술에서의 배선은 SiO2나 Si3N4위에 적층된 알루미늄 박막으로 형성된다. 그 아래의 웨이퍼 표면의 지역과 콘텍트를 만들기 위해 절연막에 구멍을 내서 알루미늄이 통하게 되는데, 이 때 마스킹 스텝이 필요하다. 이 마스킹 스텝의 이름이 "콘텍트 마스크"이다. 이 단계는 웨이퍼 표면의 여러 소자를 연결하는 선을 형성하는 마스킹 스텝으로 끝이 난다.

참고 자료

없음