[반도체] 반도체 제조 공정
- 최초 등록일
- 2003.06.03
- 최종 저작일
- 2003.06
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소개글
정말 힘들게 만든 자료입니다. 반도체제작공정에 대한 내용으로는 최고라 생각합니다.
목차
1. 반도체<semiconductor>(半導體)의 정의
2. 반도체의 기본 종류
3. 반도체의 재료
4. 반도체의 원리
5. 반도체의 발달
-웨이퍼 제조 및 회로설계-
0. 재료형성
1. 단결정 성장
2. 규소봉 절단
3. 웨이퍼 표면연마
4. 회로 설계
5.MASK(RETICLE)제작
6. 산화 (Oxidation) 공정
7. 감광액(PR:Photo Resist) 도포
8. Pattern preparation
9. 노광 (Exposure)
10. 현상 (Development)
11. 에칭(Etching)
12. 이온 주입법(Ion Implantation)
13. 화학 기상 증착(chemical vapor deposition)
14. 금속 배선 (Metallixation)
15. 웨이퍼 자동 선별(EDS Test)
16. Die preparation
17. Wafer Sawing
18. Die attach
19. Interconnection
20. Molding
21. Marking
22. Trimming
23. Lead Finish
24. Forming & Singulation
25. Packing
본문내용
1. 반도체<semiconductor>(半導體)의 정의
전기전도(電氣傳導)가 전자와 정공(hole)에 의해 이루어지는 물질로서 그의 전기저항률 즉 비저항(比抵抗)이 도체와 절연체 비저항값의 중간값을 취하는 것. 일반적으로 실온(室溫)에서 10-1 ∼ 1012 [Ω ·m]혹은 10^-4 ∼10^4 (Ω·m)라고 하는 경우도 있다. 대략 이 정도의 비저항을 가지나 반도체의 비저항 범위가 엄격하게 정해져 있는 것은 아니며, 본질적으로는 전기전도현상의 물리적 기구(機構)에 그 특색이 있다. 대부분은 결정체(結晶體)를 이루고 있으나 비정질(非晶質:amorphous)의 것도 주목을 받고 있다.
반도체는 흔히 단어 그대로 전기가 반쯤 통하는 물질로 알려져 있지만 실제로는 좀더 복잡한 내용을 포함하고 있다. 일반적으로 고체 상태의 물질은 도전율 (Electrical Conductives) 에 의해 구분된다. 도전율이라는 것은 쉽게 말해서 '전기의 흐르는 양'이다. 이 도전율에 따라 도체, 절연체 (부도체), 반도체를 구분한다. 반도체는 평상시에는 부도체처럼 전류가 통하지 않지만 주위 환경을 변화시키면 도체로 변해 전류가 통한다. 예를 들면 반도체에 열을 가하거나 빛을 쪼이는 등 주위 환경을 변화시키면 반도체가 전류가 잘 통하게 되는 것이다. 반도체는 온도,광학적인 효과 , 자기장 및 소량의 불순물 원자에 대해 민감한 반응을 보인다.
참고 자료
이 부분은 웹사이트상의 http://www.amkor.co.kr/frame_test.html 부분에 해당하는
http://www.uni-tech.co.kr/study/wash/doc2/6-3.asp
주성엔지니어링, 케이씨텍, 한국디엔에스, 실리콘테크, 코삼, 신성이엔지, 일진엔지니어링
교재: 실리콘 집적회로 공정 기술, 저자: 이종덕
http://empl.hanyang.ac.kr/~ppongcmp/cmp/introduction.htm
--à CMP공정
http://www.semipark.co.kr/images/반도체장비/무한/반도체%20제조공정.htm
http://www.ksia.or.kr/semi/4-1.htm
http://home.megapass.co.kr/~snareeye/frame_1.htm