mosfet제조 공정

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MOSFET은 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor의 약자로 BJT에 비해 매우 작게 만들 수 있고, 제조공정이 상대적으로 간단하며, 비교적 적은 전력으로 동작해서 효율이 좋은 공정이다.
MOSFET은 형성되는 채널의 종류에 따라 nMOSFET이나 pMOSFET으로 불린다. 한마디로 전자가 채널을 형성하면 Negative MOSFET이고, 정공이 채널을 형성하면 Positive MOSFET이다.

기호로는 위와 같이 표현하며 MOSFET을 만들 때 Source와 Drain쪽을 대칭적으로 만들기 때문에 Source / Drain 구분은 회로에 연결되고 나서 구분되어 진다. 예를 들면, NMOSFET의 채널을 형성하는 전자가 Source를 통해서 공급되기 때문이다. 반대로 pMOSFET의 경우 회로에 연결되면 S/D 중 전압이 높은 곳이 Source가 된다. 위의 이유와 마찬가지로 pMOSFET의 채널을 형성하는 정공이 Source를 통해서 공급되기 때문이다.

위 그림은 n채널 MOS 전기장 효과 트랜지스터의 기본적인 구조이다. 게이트 산화물 반도체 구조 또는 MOS 커패시터 구조는 트랜지스터의 핵심이며, 그림에서도 확인되고 있다. 게이트 산화물 양쪽에 위치한 n형 영역은 소스와 드레인 단자라 불린다. MOSFET 내의 전류는 소스 단자에서 시작하여 산화물 반도체 계면에 형성된 반전층을 통과하여 드레인 단자로 나가는 전하의 흐름에 의해 발생한다. 전류-전압 관계에서 나타나는 2개의 특성 변수는 소스와 드레인 사이의 거리인 채널의 길이 L과 채널 또는 게이트의 너비인 W이다.
그림에서 MOSFET의 일반적으로 4단자 소자임을 알 수 있다, 대부분의 경우에 기판 또는 바디 단자는 접지된다. 게이트 전압에 의해 반전 전하가 형성되고 조절되며, 드레인 소스에 걸린 전압에 의해 전류가 형성된다.
아래 (a)그림은 n채널 증가형 MOSFET을 보여주고 있다.

참고자료

· 없음