소신호 소스 공통 FET 교류증폭기 실험
- 최초 등록일
- 2021.05.10
- 최종 저작일
- 2020.07
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소개글
"소신호 소스 공통 FET 교류증폭기 실험"에 대한 내용입니다.
목차
1. 실험 개요(목적)
2. 실험원리 학습실
1) FET(FIELD EFFECT TRANSISTOR)
2) MOSFET 요약
3. 시뮬레이션 학습실
1) 소스 공통 증가형 MOSFET 교류증폭기
4. 검토 및 고찰
본문내용
15.1 실험 개요(목적)
소신호 소스 공통 FET 교류증폭기의 동작원리를 이해하고 직류 및 교류 파라미터를 측정하여 실제 이론값과 비교 고찰하며, 증폭기의 전압이득에 영향을 미치는 파라미터들에 대해 분석한다.
※ 이번 실험에서 JFET은 다루지 않으므로 JFET 대신 MOSFET 에 대한 원리와 이론 내용을 알아보도록 하겠다.
15.2 실험원리 학습실
FET(FIELD EFFECT TRANSISTOR)
BJT는 전자와 정공 두 가지 전하에 의존한다면, FET은 두 전하 중 한 가지에 의해서 동작한다. 그래서 FET을 유니폴라 트랜지스터라고도 부른다. FET은 JFET과 MOSFET 두 종류로 나뉘며, JFET의 경우 높은 입력 임피던스를 가진다는 특징이 있다. 하지만 MOSFET이 JFET보다 한층 더 높은 입력 임피던스를 갖는 특성이 있어 현재 대부분 기술에 JFET은 거의 사용되지 않고 MOSFET을 많이 사용한다. MOSFET은 BJT에 비해 아주 작은 크기로 만들 수 있고 제조 공정이 비교적 간단하다. 그리고 MOSFET만을 사용하여 디지털 논리 기능과 메모리 기능을 실현할 수도 있다.
참고 자료
없음