Trench MOSFET 실험 레포트

목차

1. Double Trench MOSFET와 Trench DMOSFET의 구조 조사
2. Double Trench MOSFET와 Trench MOSFET의 차이점 및 장단점
3. 각 구조 응용분야

본문내용

Trench DMOS의 특징으로는 source는 wafer 표면 위에 존재하지만 drain은 wafer의 밑바닥에 위치해서 더 많은 소자를 집적 할 수 있다. 따라서 on-resistance가 감소하고 드레인-소스 전류가 증가한다. 또한 epi층의 증착으로 작지만 일반적인 MOSFET보다는 높은 항복전압을 갖는다는 장점들을 갖는다. 따라서 고집적화에 의해 다른 power device에 비해서 낮은 게이트 전압에서 충분한 전류 구동이 가능하다.

참고 자료

황준선, A Study on the Stability about Temperature changes and its Optimization of the Electrical Characteristics of TDMOSFET (2003)
FUJI ELECTRIC REVIEW, vol.56, no.2, pp.65-68 (2010)
Choi, Wonsuk, and Dongkook Son. "New Generation Super-Junction MOSFETs, SuperFET® II and SuperFET® II Easy Drive MOSFETs for High Efficiency and Lower Switching Noise." Application Note AN-5232, Fairchild Semiconductor (2013).
http://www.onsemi.com/PowerSolutions/product.do?id=FSB50760SFT
http://www.rohm.co.kr/web/korea/igbt_what1