MOSFET 소자 특성 측정 결과보고서

소개

"MOSFET 소자 특성 측정 결과보고서"에 대한 내용입니다.

목차

1. 서론
2. 실험결과
3. 결론

본문내용

요약: 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적인 전계효과 금속 트랜지스터인 MOSFET
을 사용하여 소자 특성을 측정 할 수 있게 설계하고 제작하였다. 그 특성값을 이론값과 비교
한 결과 4%이하의 오차로 잘 일치하는 것을 확인하였다.
1. 서론
트랜지스터로 간주되는 MOSFET은 아날로그 및 디저털 회로에 모두 사용되며 소스(S), 게이
트(G), 드레인(D) 및 본체(B) 단자가 있는 4단자 장치로서 설계목표를 달성하기 위한 소자 특
성( 
 
 ) 측정을 위해 다음과 같이 설계하였다.
2. 실험결과
2.1 MOSFET 회로의 제작 및 측정
(A) 그림 1의 회로를 제작하여라. 이때   Ω으로 설정한다. 또한, DC Power
Supply를 회로에 연결 전에          로 조정 후 Output OFF 후에 연결한다.

참고자료

· 없음