[중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 예비보고서4 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)

소개글

중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습 보고서입니다.
총학점 4.4x 로 졸업한 졸업생의 실험보고서로 A+ 받은 자료입니다.
구매 시 절대 후회 없을 것이라 장담합니다.
보고서 분량도 많고, 보고서 내에 회로도, 그래프, 차트 등 포함되어 있습니다.

목차

1. 실습 목적

2. 설계실습 계획서
2.1 MOSFET의 특성 parameter 계산
2.2 MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 (OrCAD PSPICE)

본문내용

1. 실습 목적 : MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(V _{T}, k _{n}, g _{m})을 Data sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구한다.

<중 략>

(D) 위의 결과를 이용하여 V _{OV} =0.6`V인 경우, k _{n}, g _{m}을 구하고 2.1의 결과와 비교하여라.

PSPICE simulation의 cursor 기능을 사용하여 V _{OV} =0.6V가 되는 지점인 V _{GS} =2.7V일 때의 i _{D} =53.0`mA임을 알 수 있다. Saturation region에서 i _{D} = {1} over {2} k _{n} V _{OV}^{2} 의 관계식을 만족하기 때문에 overdrive voltage 값과 drain current 값을 대입해주면 k _{n}의 값을 구할 수 있다. 따라서 k _{n} =0.294A/V ^{2}이다. 이 값은 2.1 (A)에서 구한 0.231`A/V ^{2}보다 약간 큰 값이 나왔다.
g _{m} =k _{n} V _{OV}이므로 값을 대입해주면 g _{m} =0.294A/V ^{2} TIMES 0.6V=0.177S 이다.

참고 자료

없음