Diffusion (반도체)

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문서 내 토픽

• 1. Diffusion (반도체)

  Diffusion(원자의 무작위 점프에 의한 이동)은 반도체에 도펀트와 불순물을 주입하는 데 사용됩니다. 이는 원자적 접근과 현상론적 접근의 두 가지 측면이 있습니다. 원자적 접근은 확산되는 물질의 원자적 특성과 호스트 격자를 다루며, 현상론적 접근은 연속체로 고체를 대체하고 결합 확산으로 원자 플럭스를 설명합니다. 불순물 도핑의 이유는 저항률 제어, 낮은 접촉 저항, 게이트 불순물 농도 제어, 스위칭 속도, 얕은 접합 깊이 등입니다. 도핑 방법에는 결정 성장 중 도핑, 고상 확산, 기상 확산 등이 있습니다. 확산 메커니즘에는 결함 없는 확산, 자기 간극 확산, 공공 확산, 킥아웃 및 프랭크-턴불 메커니즘, 전위 코어를 따른 확산 등이 있습니다. 확산 계수는 온도와 농도에 따라 달라집니다.

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• 1. Diffusion (반도체)

  반도체 제조 공정에서 확산(Diffusion)은 매우 중요한 단계입니다. 확산 공정을 통해 반도체 소자 내부의 불순물 농도 분포를 조절하여 원하는 전기적 특성을 구현할 수 있습니다. 확산은 열에너지를 이용하여 불순물 원자들이 반도체 기판 내부로 이동하는 현상으로, 온도와 시간에 따라 불순물 농도 분포가 결정됩니다. 이를 통해 트랜지스터, 다이오드, 저항기 등 다양한 반도체 소자를 제작할 수 있습니다. 확산 공정의 정밀한 제어는 반도체 소자의 성능과 신뢰성을 결정하는 핵심 요소이며, 반도체 기술 발전을 위해 지속적으로 연구되고 있습니다. 특히 최근에는 나노 스케일 소자 제작을 위해 확산 공정의 정밀한 제어 기술이 더욱 중요해지고 있습니다.