반도체공정 과제

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목차

1. Comparison of conventional MOSFET and Fin FET (Including feature, structure, working principle, fabrication sequence, etc.)
2. Comparison of SOI and Bulk FinFET (Including features, structure, Pros &Cons, etc.)

본문내용

<structure>
Mosfet(Metal Oxide semi-conductor Field Effect Transistor)
Mosfet은 4개의 단자(source, drain, gate, 기판의 접지)로 구성되어 있으며 금속-산화물-반도체구조로 이루어져있다.즉 평면(2D) 구조를 하고 있다.
-source: 전자/정공의 흐름이 시작하는 곳
-gate: 전자/정공의 흐름을 열고 닫는 문(수도꼭지 역할)
-drain : 전자/정공이 문을 지나 빠지는 곳
-gate-oxide : 산화물로 반도체와 게이트 전극 사이에 위치하여 절연 시키는 곳
n channel mosfet의 반도체부분은 p형 기판과 게이트 산화물 양 쪽의 n형 반도체로 구성되어 있으며 반대로 p channel mosfet의 경우 n형 기판과 양 쪽에 p형 반도체로 구성되어 있다. 산화물 아래, 소스와 드레인 단자사이의 채널 영역은 mosfet의 핵심부분이다.

참고 자료

없음