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테니스 그립 잡는 법 및 자세(포핸드 & 백핸드) 평가A+최고예요

1. 포핸드포핸드는 테니스에서 라켓을 쥔 손의 반대쪽 방향으로 스윙하여 공을 치는 것을 말한다.오른손 잡이의 경우 포핸드 스윙은 몸의 오른쪽에서 시작하여 몸의 앞쪽에서 공을 맞힌 뒤, 계속 스윙을 하여 몸의 왼쪽에서 끝나게 된다. 몸의 움직임이 비교적 자연스러워서 일반적으로 가장 쉬운 기술로 여겨진다.포핸드는 흔히 톱스핀으로 치는데, 이는 톱스핀을 사용하면, 공이 각도큰 포물선을 그리며 날아가게 되어 공이 네트에 걸리거나 아웃되지 않고 안전하게 코트 안에 떨어지게 만들기에 용이하기 때문이다. <중 략>2. 백핸드백핸드는 테니스에서 라켓을 쥔 손쪽 방향으로 스윙하여 공을 치는 것을 말한다. 오른손 잡이의 경우 백핸드는 스윙은 몸의 왼쪽에서 시작하여 몸의 앞쪽에서 공을 맞춘뒤, 계속 스윙을 하여 몸의 오른쪽에서 끝나게 된다.

예체능| 2013.09.26| 7페이지| 1,000원| 조회(10,386)

테니스, 그립, 자세, 백핸드, 포핸드

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아아, 삼별초 서평

아아, 삼별초고려왕조 역사에서 빼놓고 이야기할 수 없는 것이 ‘삼별초’와 관련된 내용이다. 삼별초는 ‘최씨 무신 정권이 고용한 군인으로서 좌별초, 우별초, 신의군으로 구성된 무인 집단’으로 기록되어 있지만, 삼별초에 의미는 그것보다 더 깊다. 우리는 삼별초에 대해서 단순히 군인을 넘어, 대몽항쟁을 통해 고려의 정통성을 유지하며 고려인의 자주성을 지키기 위한 마지막 고려인으로 기억하고 있다. 따라서 역사를 공부하고, 고려를 아는 사람들이라면 삼별초에 대한 자부심을 갖지 않는 사람이 없을 것이다. 나도 그 중의 한 사람으로서 고려 역사소설을 읽는다면 응당 삼별초에 관한 소설을 읽어야 한다고 생각했다. 따라서 이 책 『아아, 삼별초』를 선택하여 읽게 되었고 이 책에 대한 간략한 서평을 쓰고자 한다.이 책을 쓴 작가 ‘오성찬’은 제주도 서귀포에서 태어난 제주도 사람이다. 지방신문 기자 신분으로 제주도에 있는 항파두리 토성을 찾아가 현장을 취재한 적이 있는데 그것이 인연이 되어 30년이 지나 소설로 이 책이 세상에 나오게 되었다. 특히 삼별초에 관한 다른 소설들은 삼별초가 제주도에 들어오기 전 까지만의 이야기만 있어 그 아쉬움을 책으로 출판하였다. 또한 두 번째 계기는 삼별초 학술세미나에 참석하여 그 때 우연히 얻은 책 한권을 정독하고 정말로 삼별초에 관한 소설을 써야겠다고 생각했다고 한다. 이 소설을 위해 고려시대를 연구하는 여러 박사들을 만나고 강화도, 진도, 제주도를 수시로 들러 소설을 위한 영감을 얻었다고 한다. 많은 역사적 자료를 토대로 역사소설이기는 하지만 많은 부분이 역사적 사실일 것이다라는 생각을 하게 하였다. 현재는 도서출판 반석 대표이며 한국문인협회 제주도지부장이다.이 소설의 중심은 단연 삼별초, 그 중에서도 끝까지 삼별초를 이끈 김통정에 대해 이야기가 전개된다. 따라서 소설에 대해 이야기하기 전에 소설의 주를 이루고 있는 김통정에 대해 알아보고, 또 그와 대립했던 대표적인 장수 김방경에 대해 알고 소설에 대해 이야기하도록 하자.김통정(金通精)은 ~1 장수이다. 1270년(원종11) 고려 정부는 무신정권이 붕괴되고, 왕정복고를 이룬 뒤, 그동안 몽골이 요구해 왔던 개경환도를 받아들이고자 했다. 그때 강화도의 삼별초가 개경환도에 반대하고, 배중손 등을 중심으로 대몽항전을 내세워 새로운 정부를 세울 때 장수로 참여했다. 그 후 삼별초는 황해 일대를 경략하면서 진도로 내려가 진도를 거점으로 남해안 일대를 장악, 몽골과 고려에 완강히 저항했다. 또한 같은 해에 삼별초 소속 부대가 고려 개경정부의 관군이 방비하고 있던 탐라, 곧 제주도에 쳐들어가 개경정부의 관군과 싸워 이김으로써 배후거점으로 확보하기도 했다. 1271년(원종12) 5월 고려군의 장수 김방경, 몽골의 장수 흔도와 홍다구 등이 이끄는 여몽 연합군에 의해 삼별초가 패전하고, 배중손이 전사하자 삼별초의 우두머리로 나서서 잔여 병력을 이끌고 제주도로 들어가 최후의 항몽거점이 되었던 항파두리성 등을 쌓고 재기를 꾀하여, 한때 남해안 일대를 장악하기도 했다. 원나라와 고려에서 조카 등을 보내 회유했지만 듣지 않았을 뿐만 아니라 조카를 제외하고는 죽이는 등 완강하게 항몽의 입장을 포기하지 않았다. 1273년(원종14) 4월 160척의 배와 육·해군 병사 1만여 명을 이끌고 온 김방경과 흔도 등의 여몽연합군에 의해 항파두리성이 함락되었으나, 끝까지 항복하지 않고 70여 명을 이끌고 한라산 지대로 들어가 목매어 죽었다. 그를 따르던 장수 김혁정, 이기 등 70여 명도 모두 죽음을 당하였다. 제주에는 항파두리와 함께 김통정에 대한 전설이 전해져 왔다. 제주도에서는 삼별초군과 김통정을 동일시하는 경향이 있어서 김통정을 다룬 전설이 곧 삼별초의 대몽 항쟁과 관계된 전설이기도 하다. 그래서 김통정 중심의 전설이 전해지고 있다. 김통정을 위시한 삼별초군은 외부에서 들어온 군대이기 때문에 이들의 출신지 역시 개성으로 설정되었다. 약 800년 전의 역사적인 사건을 보여주는 구비전승 자료인 김통정의 전설에는 삼별초군의 제주 입도 과정, 삼별초군와 제주민의 관계, 토성구축 과정, 의 일면을 엿보게 한다.부몽측의 장수 김방경(金方慶)은 1212년(고종1)~1300년(충렬왕26)까지 현존 했던 고려 후기의 무장이자 정치가이다. 신라 경순왕의 후손이며 아버지는 병부상서·한림학사를 지낸 효인이다. 어려서부터 성품이 강직하고 도량이 넓었다. 1229년(고종16) 16세 때 음서로 무관 산원에 나아감으로서 벼슬길에 나서기 시작했다. 관직 생활 중 시중 최종준은 충성스럽고 직언하는 성품을 사랑하여 예우함과 아울러, 큰일이 생기면 모두 맡겼다. 여러 번 자리를 옮겨 감찰어사에 올랐는데, 우창을 감독·관리하면서 재상의 청탁도 거절하곤 하였다. 1248년(고종35) 서북면병마판관으로 있을 때, 몽골이 침략해 오자 위도로 들어갔다. 거기에서 주민들과 저수지를 만들고 농토를 개간해 농사를 짓게 했다. 1263년(원종4) 지어사대사로 당시 정병을 잡고 있던 유천우와 대립하면서 꿋꿋한 의지를 보여주었으나, 상장군으로 있다가 반주 전빈의 미움을 사 남경유수로 좌천되었고, 곧 서북면병마사가 되었다. 그러나 인망이 두터워 얼마 뒤에 형부상서·추밀원부사가 되어 위기가 닥친 국가의 담당자로 등장하였다.한편, 40여 년 간 대몽항쟁을 전개하던 고려는 몽골과 개경환도 문제로 실랑이를 벌이고 있었다. 김준을 제거하고 정권을 장악한 임연은 1269년(원종10) 왕을 퇴위시키고 안경공 창을 즉위시킴으로써, 반원의 입장을 굳히면서 환도를 거부하고 현상을 유지하려는 정책을 쓰고자 하였다. 그러나 원(몽골)나라의 강한 반대와 위협에 부닥쳐 원종은 복위하게 되었는데, 그 때 사신으로 원나라에 파견되어 이장용의 천거를 받으면서 고려와 원나라의 군사적 충돌을 막고 사태를 악화시키지 않도록 진력하였다. 1270년(원종 11) 6월에 이르러 개경환도가 강행되자 삼별초가 봉기를 일으켰다. 삼별초 토벌의 임무를 맡아 전주와 나주가 삼별초에게 함락되기 직전에 막고 진도의 대안에서 토벌에 진력하다가 무고로 개경에 압송되기도 하였다. 그러나 곧 석방되어 상장군을 제수받고 다시 삼별초 토벌에 힘쓰게 되려군을 이끌고 용전을 벌이기도 하였다. 이듬해 새로 원나라의 원수로 임명된 흔도 등과 더불어 진도를 사방에서 공격하여 삼별초의 토벌하고, 수태위중서시랑평장사가 되었다. 김통정 등이 남은 무리들을 이끌고 제주에 들어가서 항전하자 1273년(원종14) 행영중군병마원수로서 흔도, 홍다구와 함께 또다시 삼별초를 쳐서 완전히 평정했다. 이 공로로 시중에 오르고, 그해 가을 원나라에 들어가 황제 세조로부터 환대를 받았다. 1274년 충렬왕이 즉위하자, 원나라에서 합포(마산)에 정동행중서성을 두고 일본을 정벌할 때 중군장으로 출정해 2만5,000여 명의 여원연합군과 함께 쓰시마섬을 공략하고 일본 본토로 향하던 도중 큐슈 앞바다에서 태풍을 만나 실패하고 돌아왔다. 그러나 일본정벌의 공으로 상주국이 되고 판어사대사가 가직되었다. 이듬해 관제의 변화에 따라 첨의중찬 상장군 판전리감찰사사에 나아갔으며 1276년(충렬왕 2)에는 성절사로서 원(몽골)나라에 다녀오기도 하였다. 1277년(충렬왕3) 위득유, 노진의, 김복대의 모함을 받아 원나라의 다루가치인 석말천구에 의해 구금되어 홍다구에게 참혹한 고문을 당하였지만 끝까지 거짓자백을 하지 않고 백령도에 유배되었다. 그 뒤 다시 원나라에 이송되어 황제 세조가 충렬왕의 상소에 따라 무죄를 확인함으로써 비로소 방면되어 귀국하였다. 뒤이어 중찬에 임명되어 수상으로서 임무를 수행하였다.충직하고 근검했으나 부하 장병들의 민폐를 막지 못하고 일본 정벌 후의 불공평한 논공행상 등으로 상하 민심을 잃어, 89세로 병사하였을 때 예장을 치르지 못하고 고향 안동에서 장례를 지냈다.이 책은 무신정권의 후반기부터 삼별초가 강화도에서 대몽항쟁을 선언하고 근거지를 강화도에서 진도로, 진도에서 제주도로 옮기면서 생긴 일화들을 세세하게 써내려갔다. 책의 초반은 삼별초에 대한 이야기보다는 고려시대 정권이 어떻게 유지가 되었으며 또 유지하기 위해 그 시대의 권력자가 배척세력들을 어떻게 처단하고 처리하는 지에 대해 중점적으로 다루고 있다. 또한 그 시대는 몽고와의 전쟁 적합하지 않다생각하면 왕 또한 쉽게 쉽게 바뀌는 그런 시대였다. 이야기는 최우의 집권시대로 돌아가 강화도로 천도하여 몽고와의 항쟁을 선언한다. 강화로 천도를 한 최우의 정권은 수십년 권세와 영화를 누린다. 최우가 죽은 다음 무인정권은 그의 아들 최의에게로 넘어가고 수 십년이 지나 무인정권도 막이 내리게 된다. 몽고의 계속된 협박으로 인해 수도를 강화도에서 개경으로 옮기게 되고, 무인정권에 인해 만들어진 집단인 삼별초는 임유무가 죽음으로써 오도가도 못하는 신세가 된다. 이 현실 속에서 삼별초는 재결속을 꾀하고 조정이 결정한 개경으로의 환도를 저지하기 위해 고군분투하지만 개경으로의 환도를 막지는 못한다. 삼별초는 뭉쳐 강화도에서 남아 계속해서 대몽항쟁을 치르기로 각오를 다진다. 이에 졸지에 반역자가 되어버린 삼별초는 해도재천론을 앞세워 남천의 결의를 한다. 삼별초가 세운 허울뿐인 왕 온왕과 상서좌우승 이신손, 김통정을 비롯한 배중손, 노영희와 김통정과 더불어 끝까지 제주도로 가서 대몽항쟁을 치룬 또 한명의 상서좌우승 유존혁과 남천을 강행한다. 진도로 가는 길은 멀고 험난했지만 안면도를 거쳐 결국엔 진도에 도착하여 마땅한 지대를 골라 불상을 모실 사찰과, 궁성을 포함하는 성을 건축한다. 또한 주변 지역의 연안의 섬들을 수중에 넣어 그곳에서 진도정부를 세우고 삼별초를 해체하려는 고려와 몽고와의 항쟁을 준비한다. 갖은 회유책으로 삼별초를 무장해제 시키려 하지만 강건한 삼별초들은 그것들을 다 뿌리치고 끝까지 항몽정신을 유지한다. 이에 몽고와 고려의 여몽연합군에 의해 진도정부는 크게 무너지고 끝까지 살아남은 김통정과 유존혁만이 제주도로 상륙하여 마지막 항쟁을 준비한다. 제주도에서 김통정은 토성을 쌓고, 부하 강달구 장군을 앞세워 개경으로 가는 조세들을 게릴라 작전으로 탈취하여 그들의 식량을 유지하고 항전에 대한 만만의 태세를 갖춘다. 하지만 그것도 잠시, 몽고와 김방경의 수적으로 우세한 공세에는 당해낼 재간이 없었다. 결국 삼별초는 제주도까지 항쟁 정신을 외쳤지만 고종1.

독후감/창작| 2013.06.20| 6페이지| 1,500원| 조회(190)

삼별초, 고려, 서평, 고려왕조, 고려왕조역사읽기, 작가서평

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광촉매 TiO2 제조 및 특성분석

광촉매 TiO2제조 및특성 분석1. 서론 및 이론적 배경1) 광촉매의 정의광촉매란 촉매의 한 종류로서 촉매작용이 빛에너지를 받아 일어나는 것을 말한다.광촉매에 사용할 수 있는 물질로는 TiO2(예추 형), TiO2(루틸 형), ZnO, CDS 등과 페롭스카이트 형 복합금속산화물 등이 있다. 그러나 실체 광촉매 반응에 사용할 수 있는 반도체 물질은 우선, 광학적으로 활성이 있으며 광부식이 없어야 한다. 또한 생물학적으로나 화학적으로 비활성이어야 하며, 가시광선이나 자외선 영역의 빛을 이용할 수 있어야 할 뿐만 아니라 경제적인 측면 에서도 저렴해야 한다.광촉매의 조건과 활성을 고려해 볼 때, 빛을 받아도 자신은 변화하지 않아 반영구적으로 사용할 수 있고, 염소()나 오존()보다 산화력이 높아 살균력이 뛰어나며, 모든 유기물을 이산화탄소와 물로 분해할 수 있는 산화티타늄(TiO2)은 대표적인 광촉매 물질로 널리 사용되고 있다.2) 광촉매의 반응원리광촉매는 반도체성 물질의 하나로 일정 밴드 갭 이상의 에너지를 갖는 빛을 받으면 밸런스밴드의 전자가 컨덕션 밴드로 여기 되면서 밸런스밴드에는 같은 수의 홀이 생긴다. Titania의 경우 대단히 안정하므로 광촉매로써 우수한 이유 중에 하나이며, 이렇게 생성된 전자와 정공 사이 재결합을 피하고 촉매 표면으로 이동할 수 있을 정도로 전하 분리가 되면 TiO2표면에서 TiO2내부에 전자와 정공이 생기고 표면에 접근한 정공은 주위에 물과 반응하여 산화 분해력이 강력한 Hydroxyl radical을 형성시킨다. 전자는 흡착되어 있는 산소와 반응하여 super oxide anion을 생성시킨 다음 과산화물을 만들거나 물과 반응하여 hydroxyl radical을 형성함으로써 오염물질을 무해한 물질로 분해시킨다.이러한 TiO2 광촉매는 태양에너지 또는 형광빛에 의해서도 반응이 일어나며, 반영구적인 기능을 발휘하므로 반영구적이며, 경제적이다. 또한, 반응후의 부산물은 물과로 환경에 무해한 물질이며, 다양한 적용이 가능하다.2) 광촉매의 효과산화티탄 광촉매가 파장 380나노미터(nm)이하의 자외선을 흡수하면 광촉매 분해작용이 일어난다. 이것은 물질을 분해해버리는 형상으로 예를 들어, 유기물은 이산화탄소()와 물()로 분해된다. 이것은 광합성반응의 역으로 연소반응에 해당한다. 이 반응은 30,000도 이상에서의 연소반응에 해당하지만 통상의 연소반응과 전혀 다르며, 광촉매 반응에서는 온도가 상승하지 않고, 실온의 상태에서 반응이 진행하며, 빛이 닿을 때에 빛의 양 만큼만 반응이 일어난다.예를 들어, 자외선램프가 들어있는 공기청정기의 필터에 산화티탄을 넣어두면, 필터에 부착되는 더러움이나 균, 바이러스 등이 분해되고, 자동차의 배기가스에 포함된 매연(대부분이 탄소)도 산화티탄 코팅유리 위에서는 광원에 포함된 자외선에 의해 분해되어 버린다. 또 산화티탄을 코팅한 재료표면에 자외선이 닿으면 더러움이 분해되어 표면이 깨끗하게 유지되는 것이다.광촉매의 또 다른 한 가지 반응은 광천수성이다. 친수성이란 유리 등의 재료표면에 물이 잘 어울리는 현상이다. 많은 재료에서는 물을 떨어뜨리면 물방울이 생긴다. 그런데, 광촉매를 코팅한 재료에 자외선이 닿은 후에는 물은 물방울이 되지 않고, 거의 완전히 퍼져 버린다. 산화티탄을 코팅한 재료에서는 물이 닿게 되면 더러움이 간단히 씻겨져 버리고 물방울이 전혀 생기지 않는다.4) 타이타늄 양극산화타이타늄 및 타이타늄 합금은 대기 중에서 산소와의 친화력이 크기 때문에 형성조건에 따라서 수∼수십 nm의 산화피막이 형성되나 두꼐가 얇고 균일성이 없기 때문에 이를 산업적으로 적용하기에는 실용적이지 못하다. 한편 이러한 산화피막은 산성, 중성과 같은 전해액에서 양극산화법을 이용하여 전기화학적으로 타이타늄 표면에 두껍고 균일하며 산화피막을 형성시킬 수 있으며, 이는 뛰어난 내식성을 나타낸다.5)양극산화음극 :양극 :TiO2 나노튜브의 형성 메커니즘을 설명하기 위한 모식도이다. 초기단계에는 수십mn의 두께로 타이타늄 위에 빽빽하고 평탄한 산화물층이 성장ㅎ하게 되며 이로 인해 전류밀도가 급격하게 낮아지게 되지만 전해질에 F-이온이 존재하기 때문에 초기에 형성된 산화물층이 breakdown과 용해가 랜덤하게 발생하게 되고 전류는 다시 약간 상승하게 된다. breakdown site에서 아래쪽으로 기공들이 무질서하게 성장하는데, 이때 표면적이 상당히 증가하기 때문에 전류의 증가량이 더 커지게 된다. 만약 기공 안에 전류가 충분히 공급되면 정렬된 나노 튜브형태로 성장하고 그렇지 못하면 성장하지 못하게 되며 이 과정은 초기에 생성된 산화물층 아래에서 발생하게 된다. 양극산화 시간이 증가하면서 남아있던 초기 산화물층이 화학적으로 점차 용해되어진다. 약 10분이 지나 후에는 완벽하게 자기정렬형태를 보이는 TiO2 나노튜브 형태로 성장하게 된다. 이처럼 초기에 형성된 산화물층은 기공형성 메카니즘에서 중요한 역할을 하며 튜브의 두께성장에 기여하고 양극 산화과정에서 TiO2와 F-이온의 반응에 의해 생성도니 용해성이 강한착화물에 의해 일정 시간이 지난 후에는 용해된다. 만약 전해질에 F-이온이 존재하지 않는다면은 물에 함유된이온과 반응하여 산화층을 형성하지만가 생성되지 않기 때문에 porous한 구조를 나타내지는 않는다.2. 실험방법1) 양극산화에 의한 TiO2 피막 제조(1) 광촉매용 TiO2 피막을 제조광촉매용 TiO2 피막을 제조하기 위해 상업용 Ti sheet(순도99.6%, 두께 300㎛)를 이용하여 시편을 30×50(W×T)㎜로 절단한 후에 표면의 유기분 등의 오염 물질을 제거하기 위해 아세톤으로 깨끗하게 닦는다.(2) 전해질 용액 제조Ethlene Glycol 474g(액체) + 0.47wt% NHF 2.35g(고체) + 4.73wt% DI water 23.65g(액체)의 전해질 용액을 만든다.(NHF : F가 이온을 잘 흐르게 하기 때문에 첨가, Ethlene Glycol : NHF의 끈적임을 낮추어 주기위해)(3) 티타늄 양극산화전해질 용액에 양극과 음극에 부착된 티타늄을 넣는다. 극간 거리는 3cm로 고정시키며, 온도조절과 용액을 교반할 수 있는 항온전해조를 이용한다. 이때 전압-전류 인가 방법으로는 초기 원하는 전압 상승 시까지 정전류(1.8A/cm)를 흘려주다가 설정 전압에 도달 시 정전압(10V)모드로 변환시켜 광촉매 산화티탄 피막을 제조한다.(4)열처리(AgNO0.01M + PdCl0.01M)도 광촉매 산화티탄 피막 열처리 시에 도포시켜서 도핑한다.2. Aniline blue 용액의 분해율 분석1) Aniline blue 용액 제조Aniline blue 0.0003g 을 100ml의 DI water에 집어넣어서 4mM(마이크로몰)의 용액을 만든다.2) Aniline blue 용액 pH 4.0 만들기.광촉매 산화티탄의 반응을 극대화 시켜주기 위해서 Aniline blue 용액의 pH 농도를 HCl(0.01M)로 낮추어서 pH4.0으로 맞추어 준다.3) Aniline blue 용액 분해율 측정하기.pH 4.0의 Anilline blue 용액에 광촉매 산화티탄을 집어넣고 Hg lamp를 쬐어주면서, spectrophotometer(농도 측정기)를 이용하여서 시간대 별로의 농도를 측정한다.3. 결과 및 고찰1)광촉매 피막의 FE-SEM 사진으로부터 조직 분석Cross1조(10V)2조(20V)3조(30V)4조(40V)1조부터 4조까지 각기 다른 전압으로 산화티타늄 기둥을 생성하였다. 위의 사진은 1조는 x80,000, 2조는 x70,000, 3조는 x30,000, 4조는 x20,000 확대하여 찍은 사진이다. 언듯 보면 길이가 같아 보이지만 현미경의 비율을 다르게 하여 측정한 값을 감안하여 분석하게 된다면 전압을 세게 가해준 조의 기둥일수록 가늘고 길며 촘촘한 산화티타늄 기둥을 생성 할 수 있다는 것을 유추해 낼 수 있다. 그러므로 전압을 세게 가할수록 더 얇으며 촘촘하고 길이가 긴 형태의 산화티타늄 기둥을 얻을 수 있다.Top1조(10V)2조(20V)3조(30V)4조(40V)위의 그림은 산화티타늄 기둥을 위에서 찍은 사진들이다. 1조부터 차례대로 x100,000, x50,000, x50,000, x50,000배 확대하여 찍었다. 보이는 바와 같이 전압을 세게 가하였는데도 구멍의 크기가 커지는 것을 볼 수 있다. 우리가 이론적으로 알고 있던 것과는 다른 데, 이것의 이유는 산화티타늄 기둥의 길이가 길어지면서 조금이나마 현미경의 렌즈와 조금 더 가까워지기 지고, 이로 인해 상대적으로 전압을 세게 준 산화티타늄 기둥의 구멍 크기가 더 크게 보인다는 것으로 생각해볼 수 있겠다.2) 광 투과도 측정에 따른 염료 분해율

공학/기술| 2013.05.12| 8페이지| 2,000원| 조회(573)

광촉매, 산화티타늄, TiO2, 제조 및 특성분석

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고려왕조 역사읽기 탐방보고서(강화도)

고려왕조역사 읽기-고려시대 문화유적지 탐방-1. 개요2. 탐방 내용-고려궁지-강화향교-강화산성 서문-홍릉-삼별초항쟁비-이규보 묘-선원사지3. 이번 탐방을 통해 얻은 고찰1. 개요고려왕조는 반세기동안 한반도를 장기 지속한 힘을 갖고 있는 나라이다. 따라서 대한민국 역사 속에서 고려시대가 차지하고 있는 역사적 비중은 크다. 우리가 수업시간에 배우고 있는 고려시대의 정치, 문화, 사회, 경제 등등 전반적인 고려 역사를, 능동적인 자세로 그 시대의 문화유적지를 탐방함으로써 피부로 느끼고 학습하고자 한다. 더불어 각 문화유적지마다 그 유적지(문화재)가 설립 혹은 제작 되었을 때의 시대상이 어떠하며, 또 그것이 이 문화유적지(문화재)에 어떠한 영향을 미쳤는지 살핌으로써 고려라는 나라에 대해 조금 더 자세히 알아보고자 한다.각 나라의 수도는 그 나라를 대표하는 주요 도시이기 때문에 그 시대 그 나라를 상징하는 문화재, 문화유적지가 많이 존재하는 것은 자명한 사실이다. 옛 고려의 원래 수도는 개경 즉 지금의 평양에 위치하고 있지만, 원의 침략으로 인해 고려는 수도를 개경에서 강화도로 천도하게 된다. 따라서 강화도는 한 때 고려의 수도로서 고려시대의 흔적들을 많이 보유하고 있을 것이라 판단하여 탐방 지역을 강화도로 결정하였다. 또한 우리는 효과적으로 탐방을 하기 위해서 그 중에서도 고려 궁지를 먼저 둘러보고 다음으로 강화향교, 서문, 홍릉, 삼별초 항몽유허비, 이규보묘를 거쳐 선원사지 순으로 (강화군을 시계 반대방향으로) 탐방 순서를 정하고 탐방하였다. (삼별초 항몽유허비는 고려시대에 지어진 것은 아니나 삼별초의 정신을 조금이나마 느끼고자 탐방하였다.)2. 탐방내용1) 고려 궁지고려 궁지는 강화도 지역의 최초 도착지인 강화도 버스터미널에서 그리 멀지 않은 곳에 위치하고 있었다. (자가용 약 5분 거리)고려 궁지에 대해 미리 조사하고 간 내용은 다음과 같다.고려궁지유형 : 유적시대 : 고려성격 : 궁궐터건립시기 : 고려규모(면적) : 지정면적 7,534m ^{2}소재지 : 인천 위치하고 있었다. 따라서 원래 궁이 존재하고 있었다면 왕이 있었던 곳이기 때문에 웅장하고 거대해보였을 것이라고 상상할 수 있었다. 궁터에서 바라본 전경은, 강화도의 모습을 한 눈에 살펴 볼수 있었다. 이 곳에서 고려 시대 고종이 강화도 시내를 살펴보았을 것을 상상해 보았다.고려 궁지의 모습고려궁지에 대한 간략한 안내판고려 궁터 왼쪽 모습고려 궁터 오른쪽 모습고려 궁터 정면 모습고려 궁터에서 바라본 전경2) 강화 향교고려 궁지 다음으로 향한 유적지는 강화향교이다. 고려 궁지에서 도보로 10~15분 위치에 있었다. 강화향교는 처음에는 고려 인종 때 강화도에서 건립되었다. 몇 번의 이전을 통해 지금의 위치에 존재하게 되었다.강화향교유형 : 유적시대 : 고려성격 : 교육기관, 향교건립시기 : 1127년(인종 5)규모(면적) : 일곽, 대성전(정면 5칸, 측면 3칸)소재지 : 인천광역시 광화군 강화읍 관청리 938-2문화재 지정번호 : 잋너광역시 유형문화재 제 34호문화재 지정일 : 1995년 11월 14일이 향교는 고려 인종 5년(1127)에 내가면 고천리(고읍)에 건립되었다 한다. 고려 고종 19년(1232)내가면 고천리에 있던 것을 강화읍 갑곶 리(먹절)로 이전하였다가 고종 46년(1259)서도면 볼음도리로 재이전, 조선 인조 2년(1624)에는 유수 심 열이 송악산 기슭으로 옮겨 졌으며 인조 7년(1629)에 유수 이안 눌이 위패를 모시고 명륜당을 세우는 등 비로서 향교의 완전한 체제를 갖추어 학궁이라 하였다 한다. 현종 14년(1673) 유수 민시중이 남산골로 이전하였으나 영조 7년 (1731)에 또다시 유수 유척기가 지금의 위치로 이전 복원 하였다. 경내에는 중국의 오성과 우리 나라 18유현의 위패를 모신 대성전과 강학하던 명륜당, 내.외삼문, '98년에 복원한 동.서무 등이 있다.' - 대성전 1동, 명륜당 1동, 동무 1동, 서무 1동, 관리사 1동.또 향교의 건물은 대성전·명륜당·안연재(安燕齋)·제기고 등이 있으며, 1998년에는 동무와 서무, 내삼문을 교화시키기 위해 이 향교가 사용되었다는 것을 염두하여 고려와 관련된 유적지로 판단하여 탐방을 하였다.강화향교 입구의 비석강화 향교 측면 모습강화향교 입구강화향교 정면 모습3) 강화산성 서문강화 산성은 강화향교로부터 도보로 약 20분 정도의 거리에 위치하고 있었다. 강화 산성의 모든 문을 보기에는 시간 여건상 힘들다고 판단하여 서문만 탐방하였다. 처음에 도착하자 강화도 조약이 최종 조인된 장소인 연무당 옛터가 보였다. 산성의 모습을 온전히 띠고 있지는 않았지만 서문과 그것을 두르고 있는 성곽의 모습만으로도 강화 산성이 실재하고 있다면 어땠을 지를 상상할 수 있었다. 서문은 첨화루라 불렸는데 실제로 탐방시에 서문 누각에 첨화루(瞻華樓)라고 써있는 현판을 확인 할 수 있었다. 강화산성에 대한 대략적인 안내문을 보고 서문의 전체적인 모습을 천천히 살펴보았다. 성벽이 한 쪽으로는 이어져있지만 지금은 국도 때문에 한 쪽이 끊긴 모습을 하고 있었다. 또한 나라를 지키는 산성의 모습답게 크고 웅장한 모습이 인상적이었다. 이곳에서 고려의 선조들과 외세가 싸웠을 모습이 머리 속으로 그려졌다.강화산성유형 : 유적시대 : 고려성격 : 산성건립시기 : 고려규모(면적) : 지정면적 30만 7576m ^{2}소재지 : 인천광역시 광화군 강화읍 국화리문화재 지정번호 : 사적 제 132호문화재 지정일 : 1964년 6월 10일사적 제132호. 지정면적 30만 7,576㎡. 강화읍과 내가면·하점면 일대에 걸쳐 있으며 성문 4개와 첨화루·안파루·진송루의 문루, 암문(성벽에 다락 없이 만들어 놓은 문)·수문·장대 등의 방어시설을 갖추고 있다.고려 말 몽고군의 침입으로 백성과 국토가 유린되자 1232년(고종 19) 6월 대몽항쟁의 기치를 들고 강화천도를 위하여 최우가 궁궐을 짓고 도성을 축조한 것이다.그러나 이 때 왕궁과 도성시설이 완비된 것은 아니고 1234년 1월부터 도성과 궁궐 및 각 관청을 송도의 것과 비슷하게 만든 것이다.성은 내성·중성·외성이 있었는데, 내성은 주위 약 1,200m로였다. 하지만 이 큰 돌들을 차곡차곡 건축하였을 고려의 기술력을 생각하니 다시 한번 놀라웠다. 또한 성곽길을 매우 가파르게 되어 있어 외세의 침략에 대비하기 좋은 지형이라 생각되었다.4) 홍릉홍릉은 고려고종의 릉이다. 고려의 제23대 왕이자 재위 기간에 몽골 등 북방민족의 침입을 받고 수도를 강화에 천도한 임금이다. 28년간 항쟁 속에서도 팔만대장경 조판, 유학 장려 등 문화적 업적을 남겼다. 서문에서 홍릉으로 가는 길은 매우 멀고 험했다. 처음에 도착하자마자 평지에 있을 것이라 생각했던 홍릉은 산 중턱에 존재했다. 가파른 길을 올라 겨우 도착한 홍릉은 생각했던 것보다 규모가 크지 않았다. 원래의 홍릉은 높게 쌓은 3단의 축대로 이루어져 제일 아래에 정자각, 2단에는 사람형상을 한 조각, 가장 높은 곳에는 왕릉이 배치된 형식이었다고 한다. 능의 주변에는 사람모양의 석상이 보였고 이는 흡사 왕을 보좌하는 신하의 모습을 연상케 했다. 사람의 모습을 유지하고는 있지만 한 눈에 보아도 세월의 흔적을 엿볼 수 있었다 제사를 지내기 위해 있을 것이라 추측되는 석판과 향로석은 매우 깨끗이 보존되어 있는 것으로 보아 복원했을 것이라 생각하였다. 능이 높은 곳에 위치해 있었지만 나무에 가려 시원한 전경은 볼 수 없었다. 하지만 나무가 많이 자라지 않았을 경우의 전경을 생각하니, 그제야 왕의 무덤을 왜 높은 곳에 지었는지 이해할 수 있었다.홍릉유형 : 유적시대 : 고려성격 : 능건립(제작)시기 : 고려 1259년규모(면적) : 298m ^{2}소재지 : 인천광역시 광화군 강화읍 국화리 산 180문화재 지정번호 : 사적 제 224호문화재 지정일 : 1971년 12월 28일홍릉은 고려 제23대 고종의 릉이다. 고종은 강종의 아들이며 어머니는 원덕태후유씨이고 비는 제21대 희종의 딸인 안혜태후이다. 왕이 즉위할 당시에는 최충헌이 세력을 잡고 있었으나 고종 6년(1219)에 그가 죽자 그의 아들 우가 뒤를 이어 정권을 잡아 왕은 제 구실을 못하다가 고종 45년(1258)유경, 김준등이려 대몽항쟁의 중요한 한 특징이었으며 이 때문에 살례탑을 사살한 1232년 처인성 승첩의 경우는 뒷날 임진왜란 때 이른바 의병운동의 선구적 사례로 부각되기도 하였다.삼별초의 역사적 성격)고려정부에 있어서 삼별초의 봉기는 명백한 반역행위였다. 그리하여 이후 역사 기술에서 삼별초의 봉기는 ‘작란(作亂)’, 삼별초는 ‘역적(逆賊)’이나 ‘적당(賊黨)’ 등으로 표현되고 있다. 1941년 김상기는 삼별초에 대한 이 같은 관점을 극복하고 역사적 재평가를 시도하였다. 그는 12·3세기 고려의 중요한 정치적 사건이었던 묘청의 난과 무인 난, 삼별초의 봉기를 고려 역사에 흐르는 일련의 정신적 맥락에서 주목하였으며, 이러한 관점에서 삼별초의 봉기를 “묘청 일파로 말미암아 나타난 고려인의 자아적 정신”이 “임연·배중손 등의 배몽사상으로 출현”한 것으로 파악하였다. 즉, 삼별초의 봉기를 고려인의 전통적 민족의식에 의한 대외항전의 사건으로서 파악하면서 그 역사적 의의를 강조하였다. 이는 묘청의 난의 역사적 의의를 주목하였던 신채호 선생의 사론에 일정한 영향을 받은 것으로 보인다. 삼별초의 봉기와 항전에 대한 이 같은 역사적 재평가는 대체로 지금까지 대세를 이루어왔다는 점에서 그 의미가 크다. 한편 북한에서는 반외세 투쟁이었다는 점 이외에, 그것이 인민에 의한 것임이 특별히 강조되었다. 일찍이 김석형은 고려 대몽항쟁사의 전개를 3단계로 나누어, 제1단계 지배계급과의 협력에 의한 인민항전, 제2단계 인민들만에 의한 침략군에 대한 항전, 제3단계 인민들의 반외세 반봉건정권 투쟁으로서 구분하면서, 삼별초항전을 제3단계의 투쟁으로 규정하였다. 그 후 김재홍은 이를 더욱 구체화시켜서 삼별초항전을 ‘인민들의 애국적 투쟁’이라는 관점에서 반외세 반봉건정부 투쟁으로 높이 평가하였다. 그리고 이러한 관점이 북한에서 대몽항쟁사 서술의 기본관점으로 정착되었다. 또한 기전위(旗田巍)는 일본사의 입장에서 삼별초 항전을 평가하여 “삼별초의 저항이 없었다면 몽골은 예정계획에 따라 훨씬 일찍 일본을 습격했을 것”

독후감/창작| 2013.05.12| 18페이지| 2,000원| 조회(519)

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MOS 소자 형성 및 전기적 성질 확인

신소재응용 실험-MOS 소자 형성 및 전기적 성질 확인-1. 실험 목적MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)소자를 만들고 전기적 성질을 확인한다. 또한 두 가지 물질와의 전기적 성질이 어떻게 다른지 확인하고 고찰한다.2. 이론적 배경1) High-k하이케이는 사실 특정 물질을 칭하는 말은 아니다. 어떤 소재가 유지하는 전하량 측정 기준인 유전율(High dielectric constant)이 높다는 뜻을 담고 있다. 쉽게 말해 k값이 높아서 하이케이라고 부르는 것이다. k 값이 높으면 더 많은 전하를 품을 수 있다.흔히 유전율은 상수값 k로 표시한다. 공기의 경우 상수값 k가 1(진공 상태가 1, 아닐 경우 1.0005)이며 유전체 소재로 주로 쓰던 실리콘 다이옥사이드는 3.9의 유전율 상수값을 가진다. 유전율 상수값 k가 실리콘 다이옥사이드보다 높은 하이케이 소재는 하프늄 다이옥사이드(HfO2), 지르코니움 다이옥사이드(ZrO2), 티타늄 다이옥사이드(TiO2) 등이 대표적이다. 이 물질들은 실리콘 다이옥사이드보다 수 배 이상의 상수 값을 가진다. 유전율이 높다는 뜻은 전력 누출을 더 잘 막는다는 것으로 해석할 수 있다. 하이케이 기반 절연체는 종전 실리콘 다이옥사이드 절연체에 비해 확실한 전력 누출 개선 효과를 가진다. 또 상수 값 k가 높아지면 트랜지스터 용량도 커진다. 이렇게 되면 스위칭에 유리한 특성을 가지게 된다. 스위치가 꺼질 때는 전류가 흐르는 양이 매우 적고 스위치가 켜지면 많은 전류가 흐르게 된다. 현재 45나노 공정으로 만든 인텔 프로세서는 하프늄(Hafnium) 기반 하이케이 소재를 쓰고 있다.2) Flat band Volatage이상적인 MOS와 달라서 실제의 MOS 구조에서는 게이트 전극에 인가하는 전압 VG가 제로로 되었을 때 반도체의 대역 에너지 준위는 평탄하게는 되지 않는다. 이상적인 디바이스와의 차이, 즉 에너지 준위의 표면에서의 굴곡 원인으로는 금속과 반도체의 일 함수의 차, 산화 절연막 중에 잔존하는 이동성 정 전하, 혹은 반도체 표면에 존재하는 전자나 정공의 트랩 등. 플랫밴드 조건을 실현하기 위해 게이트 전극에 가해야 할 미소한 전압이 플랫밴드 전압이다.3) Threshold Volatage(문턱전압, 임계전압)P형 반도체는 +, 즉 정공이 많은 반도체이지만, 물체의 극성으로 따지자면, 중성이다. 한마디로 내부 분자결합구조가 전자가 결합되기 쉬운 상태라는 것이다. 반대로 N형 반도체는 -, 즉 전자가 많은 반도체이다. 물체의 극성으로 따지자면, 이 역시도 중성이다. 한마디로 내부 분자결합 구조가 전자가 탈출하기 쉬운 상태이다.이 두개의 반도체를 서로 접합시키게 되면, 접합부분에서 N형 반도체에서 빠져나온 소량의 전자가 P형 반도체로 이동, 안정화되게 된다. 즉, 빠져나갈 것은 빠져나가고 들어갈 것은 들어가서 안정적으로 된다는 것이다.그러나 이렇게 서로 안정화되면서 나타나는 현상은, P형 반도체에는 전자가, N형 반도체에는 정공이 많이 생겼다는 점이다. 이는, 중성인 물체에서 각각 -, + 성분이 더해 졌기 때문에 극성이 생겨버린 것이다.다시 말하면, 접합다이오드의 접합 부분에 P형 반도체에는 -형이, N형 반도체에는 +형의 성분이 생겨, p형 반도체에서 빠지기 쉬운 전자가 이 접합 부분을 통과하지 못하게 된다. 이 부분을 공핍영역이라 하는데, 여기에 생긴 전위차를 문턱전압 혹은 임계전압이라고 한다.3. 실험방법1) Cleaning(1) 시편준비 : diamond cutter로 흠집을 주고 wafer[100]를 cutting 한다.(2) 유기물 제거를 위해:를 1:4로 혼합하여 발열반응이 일어날 때(약 100℃)에 10분 정도 담궈 준다. 이 때 기포반응이 일어나는데 이것은 유기물과 산이 만났기 때문이다.(3) DI water에 담궈 초음파 처리를 통해 황산을 제거하고 표면에 붙은 불순물도 제거한다.(는 친수성이기 때문에 DI water로 행궈 줄 때 시편에 물이 잘 묻지 않는 것을 확인하여가 잘 제거됨을 확인할 수 있다.)(4) HF cleaning : 자연 water를 1 : 10으로 혼합 후 10초 정도 담궈 준다.(5) 마지막으로 다시 DI water로 행궈주고 질소 gas를 통해 표면에 있는 물기를 제거해준다.2) Oxidation 형성 :는 열산화법을, 물질 X는 RF Sputtering(Reaction Ion)을 이용하여Oxidation을 형성한다. (두께 약 50nm)3) Photolithography(빛에 민감한 물질에 대해 실험하므로 영향을 적게 받기 위해 yellow room안에서 실험 실시)(1) spin coating : P.R용액을 시편 위에 떨어뜨려주고 고루 얇게 펴지게 하기 위해 회전을 시켜준다. (1 step: 고루 퍼지게 한다, 2 step: PR 용액의 두께를 조절한다.)(2) baking : hot plate에 3분동아 올려 놓아 baking을 해준다. (용액상태보다는 고체상태가 관찰이 용이하기 때문에 용매를 날려버리고 PR을 굳게 해준다.)(3) UV노광 : Photo mask를 위에 대고 UV노광을 한다. (이 때 photo mask는 반대쪽에 Cr코팅이 되어 있다. 코팅된 부분은 거무스르한 빛을 띄는데 이러한 이유는 빛의 회절로 인해 난반사된 빛을 흡수하기 위해서이다. 결과적으로 패턴의 흐트러짐을 방지한다.)(4) 현상 : KOH가 주성분인 현상액에 2분간 담궈 현상을 한다. 담군 시편을 KOH에 행궈 붙어있는 찌꺼기를 떨어뜨려주고, DI water로 다시 행궈 KOH를 제거해준다. 마지막으로 질소로 물기를 제거한다.4) electrode deposition : E-beam evaporation으로 Al을 시편 위에 증착시킨다.(Al을 electro beam을 통해 끓이고 진공에서 생긴 Al증기는 직진으로 나아가 시편에 부딪혀서 쌓인다.)5) lift-off : Acetone에 10분 정도 담궈 PR을 제거한다.6) 분석(1) SEM : oixde 박막의 두께를 확인한다.(2) EDS : 박막 oxide의 조성을 확인한다. (물질 X의 확인)(3) SPA : 반도체의 특성을 V, C-V curve를 통해 전기적 특성을 확인한다.4. 결과 data1) I-V 변화 그래프XOI-V 종합 (& XO)2) C-V 변화 그래프XOC-V 종합 (& XO)-> XO가보다 current양이 더 많음을 볼 수 있다.3) SEM EDS 결과 data(1) 첫 번째 시편data 결과 값에 따라 첫 번째 시편은 SiO2로 이루어진 oxide임을 알 수 있다.(2) 두 번째 시편data 결과 값에 따라 미지의 물질 X는 Hf임을 알 수 있다.5. 결과 고찰1) 위의 결과 data에 의한값 도출을 해보면는 -35V, 41V가 나와 대체적으로 대칭인값이 나왔고,는 -25V 25V로값이 나왔다.break down(항복 현상)이란 자에 전압 혹은 압력 등을 가한 경우, 어느 한계를 넘었을 때 급격한 변화를 일으키는 것을 말한다. 이러한 항복 현상이 일어나는 mechanism은 크게, 터널링에 의한 제너 항복 현상과 캐리어 증식에 의한 애벌랜치 항복이 있다.값을 비교해보면 절대값이가보다 낮은 것을 확인할 수 있다. 따라서 두 시편 모두 두께가 일정하다 가정하였을 때, 더 안정한 물질은임을 알 수 있다.2) 각 구간의 accumulation, depletion, inversion 구간은 다음과 같다.인가된 (-)전압을 가해주게 되면 산화막과 p-type Si 표면에 다수 캐리어인 자유 정공(free hole)들이 끌려와서 양의 면전하를 형성하게 된다. 이 상태를 accumulation상태라고 부른다. 전압을 점차 양의 전압을 가해주게 되면 자유정공의 공핍으로 인한 음의 전하가 생겨남으로 depletion 구역이 발생한다. 위의 그래프에서 이 구역에서의 capacitance가 급격히 감소함을 확인할 수 있다. 마지막으로 depletion 상태에 있는 MOS capacitor에서 전압을 양의 방향으로 변화시켜 인가된 전압의 값이 문턱전압 값 이상이 되면 산화막과의 경계면에 있는 depletion 된 p-type Si 영역에 자유전자가 모이게 된다. 전기적으로 중성인 농도(p)가 자유전자 농도(n)에 비해 훨씬 크므로, p-type Si 포면에 생겨난 자유전자는 inversion 캐리어라 부르고, 이 상태를 inversion이라 부른다.에너지 밴드 관점에서 각 구간을 설명 해보자.금속 게이트에 (-)전압을 인가했을 경우에 대하여 p형을 기판으로한 MOS capacitor의 에너지밴드 그림은 위와 같다. 가전자대 끝이 벌크 재료내보다 Oxide-Si 계면에서 페르미 준위에 더 가깝다. 반도체의 표면은 벌크재료보다 더 p형으로 나타나고 있다. 페르미 준위는 MOS 체계가 열적 평형 상태에 있고 산화물을 통해 전류가 흐르지 않으므로 일정하다. 이 구역이 accumulation이다. 금속 게이트에 (+)전압을 인가했을 때 MOS 체계의 에너지 밴드 그림은 위의 그림(b)와 같다. 전도대와 가전자대 끝이 그림에서 보이는 대로 pn 접합내의 공핍 영역과 유사하게 공간 전하 영역을 나타내도록 휘고 있다.여기서 더 큰 (+)전압을 인가하였을 경우, 크기가 증가하는 유도된 전계에 따라 MOS capacitor에 대응하는 (+)와 (-)전하들이 증가한다. MOS capacitor내 보다 큰 (-) 전하로 인하여 보다 큰 유도된 공간 전하 영역을 이루고 밴드가 더욱 휘게 된다. 충분하게 큰 양의 전압을 인가함으로서, 반도체 표면이 p형에서 n형 반도체로 바뀌었고 결과적으로 inversion층이 생김을 확인할 수 있다.3) Accumulation 영역의 Capacitance 값으로부터 산화막의 유전율 계산Capacitance는 다음과 같다.이 공식에서 유전율의 식을 구할 수 있다.(진공 유전율=, 두께=50m, 상부전극의 면적=m )그러므로를 가진 시편에서 Accumulation 영역의 산화막 유전율은 다음과 같다.를 가진 시편에서 Accumulation 영역의 산화막 유전율은 다음과 같다.의 유전율이의 유전율보다 약 6.5배 더 큼을 확인할 수 있다.이론 값과 실험 값을 비교해보면의 경우 이론 값 : 3.9F/m, 실험 값 : 3.64F/m나왔다.

공학/기술| 2013.05.12| 8페이지| 1,500원| 조회(171)

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