. 2) Why is polysilicon used instead of metal for the gate a MOSFET? What are the advantages or ... disadvantages of having polysilicon to having metal such as aluminum? [10pts]장점 : 폴리실리콘은 제조 과정에서 고온(900도
하다. 이는 FPGA를 프로그램하는 원리가 다양하기 때문에 회사마다 기술에 맞는 기본 셀을 만들어 쓰기 때문이다. 각 회사별로 하나의 칩에 들어갈 수 있는 용량을 나타내고는 있 ... block, tri-state control block 으로 나누어진다.위의 그림에서처럼 Programmable multiplexor가 필요한 이유는 사용자가 output을 sync ... 는 3개의 층으로 구성되는데 가장 아래층은 heavily-doped된 n+ 반도체층, 유전체로 이루어지는 중간 절연층과 최상층의 polysilicon 전도층으로 이루어진다. 이 구조
은?Substrate (Bulk) 까지 쳐서 4단자 기호이나, 보통 Source 에 연결되어, 제품화 되어 나온다. 이렇게 Source 에 연결하는 이유는,?Bulk?의?전위가 가장 낮 ... 에서 MOSFET 을 구성 시, Substrate 를 공통으로 쓰기 때문에 생기는 현상이기도 하며, Bulk 부분이 gate 역할을 한다고 해서 back gate 라고도 불린다.Body ... Effeposit polysilicon thick=0.3 divisions=10[설명]소자의 길이를 x축 10um, y축 3um 로 설계 해준 후 mesh의 크기를 지정해주었다.설계
가 필요한 이유는 user가 output을 sync로 사용할지 async로 사용할지 하드웨어 설계가 끝날 때까지 알 수 없기 때문이다. 일반적으로 mux은 select line이 있 ... 은 heavily-doped된 n+ 반도체층, 유전체로 이루어지는 중간 절연층과 최상층의 polysilicon 전도층으로 이루어진다. 이 구조에 비교적 높은 18 V의 전압을 anti ... 을 만들어 쓰기 때문이다. 각 회사별로 하나의 칩에 들어갈 수 있는 용량을 나타내고는 있지만, 계산방식이 약간씩 다르기 때문에, 용량의 60~70%정도를 사용할 수 있다고 생각
이 있습니다.3 인치, 4 인치, 5 인치, 6 인치, 8 인치, 10 인치, 12 인치점점 더 큰 직경의 wafer를 사용하려는 이유는 한 장에서 얻을 수 있는 칩의 갯수가 직경 ... 하게 d)다른 하나는 수증기를 쓰는 습식 (wet oxidation)Si (solid) + H2O -> SiO2 (solid) + 2H2건식 산화막은 습식 산화막 보다 같은 두께 ... 를 만드는 데 더 오래 걸린다.더욱 치밀한 물질이다.(건식 산화막이 빈대떡이라면 습식 산화막은 빵처럼 부풀어 오른 것이다.)단시간에 두툼한 산화막이 필요하면 습식 산화막을 만들어 쓰