"koh etching"의 검색결과 입니다.

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반도체 공정실험 Etching mems실험 기계전공면접 습식식각 ito patterning koh etching PCB 공정 photoresist development hard baking

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"koh etching" 검색결과 1-20 / 91건

HVPE로 성장된 GaN의 용융 KOH/NaOH 습식화학에칭 (The molten KOH/NaOH wet chemical etching of HVPE-grown GaN)

한국결정성장학회 박재화, 홍윤표, 박철우, 김현미, 오동근, 최봉근, 이성국, 심광보

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.21 | 수정일 2025.05.13

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KOH 용액 및 KOH-IPA 혼합용액에 의한 단결정 실리콘의 이방성식각 특성 (Anisotropic etching characteristics of single crystal silicon by KOH and KOH-IPA solutions)

한국진공학회 조남인, 천인호

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.09 | 수정일 2025.05.08

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초정밀 나노구조물 형성을 위한 새로운 KOH 습식각 기술 (A Novel KOH Wet Etching Technique for Ultrafine Nanostructure Formation)

한국전기전자재료학회 강찬민, 박정호

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.10 | 수정일 2025.03.28

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MEMS기반 에너지 하베스터 제작을 위한 실리콘 KOH 식각 모형화 (Modeling of Silicon Etch in KOH for MEMS Based Energy Harvester Fabrication)

한국전기전자재료학회 민철홍, 김태선, 강경우

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.14 | 수정일 2025.07.20

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AlN 단결정의 품질평가를 위한 molten KOH/NaOH eutectic alloy의 화학적 습식에칭 (Wet chemical etching of molten KOH/NaOH eutectic alloy to evaluate AlN single crystal)

한국결정성장학회 박철우, 홍윤표, 박재화, 오동근, 최봉근, 이성국, 심광보

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.09 | 수정일 2025.05.08

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서울과학기술대_반도체제조공정_클린룸 견학 보고서 A+

에 사용되는 용액은 수산화칼륨(KOH)이며 이 용액에 wafer를 담가 Etching을 하게 된다. 하지만 이 과정에서 development 되지 않은 PR 들이 수산화칼륨을 오염 ... 용액을 이용한다.3. Etching위의 BOE 공정과 PR을 제거하는 과정을 거친 후 30% 희석된 수산화칼륨(KOH) 용액에 wafer를 담가 bare wafer를 원하는 두께 ... Photo & Etching 공정 2제 1 절 Photo 공정 21. PR 처리 22. 노광(Exposure) 3제 2 절 Etching 공정 41. BOE(Buffered

리포트 | 8페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.04.01

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반도체 전공정 면접 대비 자료

: KOH, IPA. 산화는 (111)이 면밀도 높아 반응 확률이 높기에 빠름. Etch 중 가장 중요: uniformity. 수율과 연결되기 때문 but loading ... , ARC(반사광 최소화 함으로 정상파 감소해 해상도 개선), LELE, SADP -펠리클 등에서 E loss 줄여야함. 패터닝 3가지 방법 -etch: 박막형성-포토-etch-pr ... 안되는 Cu같은 물질 패터닝시 사용. Sio2 etch 하고 ~ Etch- Poly Si etch(STI), dielectric etch(절연막, nand에서 contact

자기소개서 | 16페이지 | 3,500원 | 등록일 2024.10.01 | 수정일 2024.10.15

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정보디스플레이학과 광전자공학 3차 준비 보고서 리소그라피 장비 종류 및 구동 방법

하는 공정으로, 증착과 세정 이후의 PR도포, 노광(Exposure), 현상(Develop)까지의 공정을 일컫는다. 추가로 식각(Etching)과 PR 박리까지 포함하는 경우도 있 ... filtering system 적용으로 단색광을 이용한다.DevelopDevelop을 할 때에는 KOH, TMAH 등의 물질을 이용하고, 모두 끝난 뒤에는 Hard baking ... (Curing)을 하여 완성된 패턴을 고온으로 가열해 경화시킴으로써 Etch 저항성 및 기판과의 접착성을 증대시키는 것이 특징이다.Immersion 방식Resist를 현상할 때 기판

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.01.30

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(특집) 포토공정 심화 정리5편. 현상(Development)과 Hard bake

의 극성에 따라 Positve / Negative로 나눔?(1) Postive PR- Developer : 알칼리 용액(NaOH, KOH, TMAH)- Rinser ... → Pattern 불량 / 진공 공정 시 Solvent burst 현상 방지2) PR 안정화가 진행되어 후속 공정(ion implantation, Wet/Dry etch 등)시 내구성

리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.08.15

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exp.1 distribution and cleaning of apparatus

크로마토그래피에 사용되거나 데시케이터의 역할을 겸하는 경우도 있다.cleaning solution실험 초자를 닦을 때 사용하는 용액으로 이번 실험에서는 KOH, 증류수 ... , ethanol을 섞어서 만들었다. KOH는 강한 염기로, 초자에 남아있는 이물질(ex. oil, grease, 유기물질)과 반응하거나 분해하는 역할을 하기 때문에, cleaning ... bottleReagents: KOH, Ethanol, DI water화학식mwdensitymp (oC)bp (oC)KOHKOH56.112.044(20 oC)3601327

리포트 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.08.17

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[A+레포트] 마이크로리소그래피 실험 Microlithography

용해되어 씻겨 나간다.일반적 감광제의 현상액은 대부분 수용성 알칼리 용액을 사용하고 있으면 주원료로는 KOH와 TMAH (Tetramethyl Ammonium Hydroxide ... 와 기판서 제거해야한다. 만약 이 방법으로도 안 된다면 nanostrip 방법이 있다. 유기 물질들을 제거하기 위한 acid etch 방법이다. 하지만 nanostrip은 다른 금속 ... 들도 같이 etch 시키는 단점 이 있다.9) LIFT-OFFLift off 공정이란 반도체 공정 중 etching 공정 중 일반적인 etching을 사용하지 않고 patterning

리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.11.16 | 수정일 2021.11.18

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Photoresist processing

.· develop노광과 bake를 가진 감광제는 현상과정을 거친다. 일반적인 감광제의 현상액은 대부분 수용성 알칼리 용액을 사용하고 있으며, 주 원료는 KOH와 TMAH(tetra-methyl ... 을 뿌려 현상 초기에 제거된 부위를 씻어낸 후 정지상태에서 웨이퍼 위에 developer를 표면 장력으로 잡아서 현상하는 방식이다.· etching/strip감광제는 현상을 통해 빛

리포트 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.01.18 | 수정일 2023.01.12

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화공계측실험Pre-Report (10)-Photolithography

는 패턴이 나온 상태이다. Developing 전에 post-exposure bake 과정이 진행되기도 하는데 이는 정상파를 감소시키기 위해 진행한다. 네 번째로 식각(Etching ... 는 KOH와 TMAH가 있다.Negative ResistNegative Resist는 PR 물질 중에서 빛을 받지 않은 부분이 용액에 의해 제거되는 물질을 통칭한다. 자유 라디칼에 의한

리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.06.12

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습식식각PPT

Wet EtchINDEX 식각 공정이란 ? 식각 공정 장비 ? 식각 공정 종류 ?01. 식각 (etching) 공정이란 ? 금속 , 세라믹 , 반도체 표면에서 불필요한 부분 ... 을 화학적 , 물리적 으로 제거 하여 원하는 모양을 얻는 공정 VS 건식 식각 습식 식각01. 식각 (etching) 공정이란 ? Wafer ` P 타입 N 타입 PR( 감광액 도포 ... )01. 식각 (etching) 공정이란 ? Wafer `01. 식각 (etching) 공정이란 ? 습식식각 특 징 최소 선폭 3um 이상 공정에 사용 등방향성 (isotropic

리포트 | 23페이지 | 3,000원 | 등록일 2017.06.05

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초미세공정 족보 정리본 - A+ 학점 확정

공정에서는 사용하지 못한다. 따라서 MEMS에서 많이 쓰이게 된다.TMAH특징 : 에칭이 된 표면이 KOH로 에칭 한 것에 비해 거칠고, etch ratio가 ~10-35로 KOH ... 되며, 따라서 전극을 만들거나 electroplating을 위한 seed layer 증착, etch-mask나 structural layer 등을 만들 때 사용 ... 으로 조절하여 깔끔한 모양을 만들 수 있다.계면활성제를 섞은 etchant로 에칭 하게 되면 에칭 시 계면활성제가 실리콘 표면을 덮어주어 etch rate을 전체적으로 비슷하도록 맞춰줄

리포트 | 23페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.10.16 | 수정일 2019.10.22

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LG,삼성,외국계대기업합격한 어마한 PT자기소개서, 경력기술서 입니다 . 이거 하나면 끝입니다. 잘 참고 하시면됩니다.

Develop 조건 설정 (4) Si Wafer Wet Etch 공정 Set up  KOH Powder → KOH 용액 변경 검토 (5) Flip-Chip Bonder Set ... ) Die) Dry Etch (Oxide, Nitride) Set up  Pressure, GAP, Gas Flow 설정 (2) Sputter (Au, Cu, Cr, Ti, Al ... ( 64pin ) 변경  Etching Time(1000sec) 및 PR Edge Bake 정도에 따른 Clamp 붙는 현상 개선 (3) Cleaning Recipe 적용

자기소개서 | 15페이지 | 6,000원 | 등록일 2020.03.22 | 수정일 2023.02.09

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ITO Patterning 예비

에서의 etching 공정에 대해 충분한 저항성을 가지게 되며 glass 기판과 PR과의 물리적 접착력도 향상된다.이 과정이 끝나면 glass 기판의 전면에 형성된 ITO film ... 을 현상과정에서 형성된 PR층의 pattern을 통해 선택적으로 제거해 내는 etching 공정을 진행한다. Etching은 그 방법에 따라 크게 wet etching과 dry ... etching으로 나누어지는데 wet etching은 주로 liquid상태의 chemical을 사용하는 모든 종류의 etching을 의미하며 dry etching은 plasma를 이용

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.12.16

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VLSI공정 7장 문제정리

+ H2O7.4 . 실리콘 기반의 비등방성 습식식각에 가장 많이 이용되는 KOH계 식각의 경우에 대체로 23.4% KOH : 13.3% C3H8O : 63.3% H2O ... )on assistant의 장점도 있으며, 이온화된 입자들이 큰 에너지를 띄고 있기 때문에 저온에서 공정이 가능하다. 또한 etch rate의 control이 좋다는 장점이 있 ... 의 표면을 화학용액으로 처리하여 전위밀도(dislocation density)를 측정하는 방법을 (2종 이상) 설명하라.1) EPD(etching-pit-density): 에치 피트

리포트 | 9페이지 | 4,000원 | 등록일 2018.06.05 | 수정일 2020.05.03

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박막별 wet etching - chemicals

는 에칭용액의 조성에 따라 변화4. a-si etching* TMAH - Tetramethylammonium hydroxide, (CH3)4NOH* KOH5. Ni etching* HCl : HNO3 5:1* HF: HNO3 1:1 ... 1. SiO2 etching* BOE(Buffered oxide etch) 사용,* 조성 ; DIW + Hydrofluoric Acid (HF) + Ammonium ... NH3 + HF.2. Si3N4 etching* HF(49%)* H3PO4:H2O (Hot phosphoric acid )* BOE(Buffered oxide etch)* 사용예

리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.12.07

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pva 나노섬유막의 소수화 가공

작용으로 PVAc에서 PVA를 형성할 수 있다. 비누화 반응이란PVAc등에 있는 Ester기를 NaOH나 KOH같은 알칼리의 촉매작용으로카르복실산염(fatty acid salt ... 으로 플라즈마의 종류를 구분하는 것이 보통이다.2) 저온 플라즈마-플라즈마의 종류에는 저온 플라즈마와 열 플라즈마가 있다. 그중에서 이번실험에는 저온 플라즈마의 Dry etching

리포트 | 12페이지 | 4,000원 | 등록일 2019.09.19 | 수정일 2019.10.12

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