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Chemical Vapor Depos LPCVD spin coating 초미세공정
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"PSG/SiO2 passivation" 검색결과 1-11 / 11건

  • 자료 표지
    PSG/SiO2 보호막 처리된 Al-1%Si 박막배선에서의 Sodium과 수분 게터링에 관한 연구 (A Study on the Sodium and Moisture Gettering in PSG/SiO2 Passivated Al-1%Si Thin Film Interconnections)
    한국진공학회 김진영
    논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.27 | 수정일 2025.05.14
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  • 자료 표지
    2021 반도체공정1 중간&기말고사 보고서
    를 사용한다.Passivation의 역할을 설명하고, SiO2 대비 Si3N4의 passivation layer의 장점을 서술하시오.기판을 mobile ion이나 particle과 같 ... 은 오염과 습기로 부터 보호하기위해 증착하는 layer이다. SiO2대비 Si3N4가 밀도가 높아 오염이 확산되는 속도가 느려 강한 장점이 있다.Equivalent oxide ... thickness (EOT)에 대해 서술하시오.Scaling down을 하면서 SiO2를 사용하면 SCE가 발생하는데 이를 막기 위해 high-k 물질로 대체한다. 이를 사용할 경우
    시험자료 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2025.04.21 | 수정일 2025.10.29
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  • 판매자 표지 자료 표지
    초미세공정 족보 정리본 - A+ 학점 확정
    시킨 다음(photo lithography 2번, silicon이기 때문에 DRIE 2번) sacrificial layer를 CVD로 증착해준다(PSG). 그 다음, s ... 적 신호로 송출할 수 있다. 이 때 n-type 실리콘에도 전도성이 있으므로 Al 전선과 차단시키기 위해 가운데에 절연층인 SiO2 layer가 깔려 있어야 한다.공정 순서는 첫 번 ... 하여 electrochemical etching을 하여 backside를 파낸 다음 알루미늄 전선이 piezoresistor 상단에만 위치하도록 리소그래피 하고 SiO2 절연층을 CVD 방법을 통
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 23페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.10.16 | 수정일 2019.10.22
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  • 자료 표지
    화학 증착법(CVD)에 대한 조사[정의, 원리, 응용, 특성, 종류 등]
    3N4 박막과 금속 배선층간의 절연막인 SiO2 박막 등이 PECVD(plasma CVD)법에 의해 증착된다.- 최근에는 이제까지 주로 PVD법에 의해 증착되었던 금속층들(예 ... 의 온도를 낮게 유지할 수 있으며, 빠르고 균일한 증착이 가능하고 SiO2, TEOS 등 다양한 금속박막을 형성할 수 있다. ※ 고온에서 박막이 형성 시 하부 층의 Metal ... Line에 Damage를 주어 제품 불량이 초래됨.6.3.4.PECVD의 주요 형성 박막① SiO2 : 층간 절연막(IMD, ILD)- 디램의 최하층에 로직트랜지스터 및 저장트랜지스터
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.01.06
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  • 자료 표지
    신소재공학 (spin-coating,ALD,CVD)
    증연막으로 이용되어지는 산화막(SiO2), PSG(Phosphosilicate Glass)막 또는 표면 보호막으로 이용되어지는 질화막(SiN, Si3N4)등이 CVD방법으로 만들 ... PR(Photo resistor)을 코팅시키는 것이다. 스핀코터에 의해 사용하는 액체는 물론 액체의 점도가 적당히 있어야 하기 때문에 감광제는 유기화합물이다. 하지만 SiO2막 ... 감광제를 도포하기 전에 SiO2막과 감광막 사이의 밀착성으로 향상시키기 위해 진공상태에서 HMDS(Hexa methyl distance)라 불리는 유기막을 도포 또는 증기 상태
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.12.20
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  • 자료 표지
    반도체공정-유전체증착
    interconnection 으로부터 poly-Si 를 isolate 하는 데 SiO 2 를 사용할 때 . - 완성된 IC 위에 마지막 passivating layer( 보호층 ) 으로 plasma ... 를 위해 보호막 증착시 2~3% 의 PH 3 를 첨가하여 PSG (Phospho- Silica-Glass) 형성 ② 기본반응식 SiH 4 + 2O 2 → SiO 2 + 2H 2 O ... 반응 시켜 얇고 균일한 실리콘 산화막 (SiO2) 를 형성 시키는 공정 ⑦감광액 (PR:PhotoResist) 도포 빛에 민감한 물질인 PR 을 웨이퍼 표면에 고르게 도포
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 26페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.05.19
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  • 자료 표지
    반도체 처음부터 끝까지
    - oxidation with pure dry O2 - Si + O2 →SiO2 - high quality, low growth speed 2. Wet oxidation - oxidation ... with H20 - Si + H2O →SiO2 + 2H2 : bubbling water, pure steam, H2 burning in O2 - lower quality ... to PR. Patterned films, such as SiO2 and Si3N4 thin film, by the PR mask could be used for another
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 53페이지 | 4,000원 | 등록일 2008.05.20
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  • 자료 표지
    건식도금
    다결정 Si·Gate 전극·배선용·산화물 dope(SIPOS)·확산원(doped poly silicon)SiO2PSG(SiO2/P2O5)BPSG(SiO2/P2O5/B2O3)·층간 ... 절연막(poly silicon/Al, Al/Al)·Passivation막·확산원(P, B, As)Mo, WMoSi2, WSi2·Gate 전극·배선용·Through hole·저저항 ... 하는 기술이며, 이러한 화학반응을 일으키기 위해서는 에너지가 필요한데, 가하는 에너지에 따라 다음과 같이 분류한다.막의 종류생 성 막형 성 방 법반 응 가 스절 연 막SiO2열
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    | 리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.12.13
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  • 자료 표지
    화학적 기상 증착법 (Chemical Vapor Deposition,CVD) (친절한 설명과 핵심적인 내용을 논문 형식으로 작성)
    SiO2 박막 등이 PECVD법에 의해 증착되며, 최근 들어서는 이제 까지 주로 PVD 법에 의해 증착되었던 금속층(예:Al,Cu, W, TiN) 등도 CVD 공정을 이용 ... ------------12.2 CVD 공정의 특징 및 장점 ------------------22.3 CVD 공정의 분류---------------------------22.4 ... 고자 한다.2. 본론2.1 CVD 공정의 원리우선 CVD 공정의 구조를 살펴보면 첫 번째로 반응기체를 반응용기에 흘려주기 전에 가스를 섞어주는 가스 배분장치, 두 번째로 기판
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.17
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  • 자료 표지
    반도체공정(CVD)
    metalizationP in SiO2 (P doped SiO2, PSG)- softening at lower temperature - step coverage increase ... . Silicon Dioxidepassivation layer - deposition on AlSiH4(g) + O2(g) → SiO2(s) + 2H2(g)isolation before ... => P-glass reflowdeposition before Al depositionLPCVDSiCl2H2(g) + 2N2O --> SiO2(s) + 2N2 + 2HCl(g)TEOS
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.10.13
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  • 자료 표지
    [반도체공정] 화학기상증착
    (passivation film)인 Si3N4 박막과 금속 배선층간의 절연막인 SiO2 박막 등이 PECVD(plasma CVD)법에 의해 증착되며, 최근 들어서는 이제까지 주로 PVD법에 의해 ... 기술은 다음과 같은 여러 장점 때문에 반도체 공업에서 빠른 속도로 응용이 확대되고 있다.1) 다양한 특성을 가지는 박막을 원하는 두께로 성장시킬 수 있다.2) 여러 가지의 화합물 ... 다. 한편, 반응기 내의 기판의 위치에 따라서 horizontal 반응기, barrel 반응기 및 pancake 반응기 등으로 구분하기도 한다.(2) 박막 성장 메커니즘CVD 법
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.29
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- 작별인사 독후감
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