[반도체공정] 화학기상증착

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2005.06.29
최종 저작일
2005.06
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소개글

반도체 공정에 주로 이용되는 화학기상증착은 기체 상태의 화합물을 공급하여 기판과의 화학적 반응을 유도함으로써 반도체 기판 위에 박막층을 형성하는 공정이다. CVD는 공정 중의 반응기의 진공도에 따라 대기압 화학기상증착(APCVD)과 저압 또는 감압 화학기상증착(LPCVD)으로 나뉜다.

목차

(1) CVD 장치
(2) 박막 성장 메커니즘
(3) 화학반응장치

본문내용

반도체 공정에 주로 이용되는 화학기상증착은 기체 상태의 화합물을 공급하여 기판과의 화학적 반응을 유도함으로써 반도체 기판 위에 박막층을 형성하는 공정이다. CVD는 공정 중의 반응기의 진공도에 따라 대기압 화학기상증착(APCVD)과 저압 또는 감압 화학기상증착(LPCVD)으로 나뉜다. CVD 기술은 다음과 같은 여러 장점 때문에 반도체 공업에서 빠른 속도로 응용이 확대되고 있다.
1) 다양한 특성을 가지는 박막을 원하는 두께로 성장시킬 수 있다.
2) 여러 가지의 화합물 박막의 조성 조절이 용이하다.
3) 기판과의 화학반응에 의해 박막이 형성되므로 단차피복성(step coverage)이 매 우 우수하다.
CVD로 얻어지는 박막의 물리 화학적 성질은 증착이 일어나는 기판의 종류 및 반응기의 증착 조건(온도, 압력, 원료공급 속도 및 농도 등)에 의하여 결정된다. 일반적으로 이러한 변수들은 반응원료의 기판으로의 확산 및 기판에서의 반응속도에 직접적인 영향을 미침으로써 형성되는 박막의 구조나 성질에 영향을 미치게 된다.

참고 자료

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