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"웨이퍼공정" 검색결과 1,421-1,440 / 2,814건

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  • FED의 구조와 동작원리
    의 기본구조 6. 반도체 제조공정(웨이퍼)1.수직편향판 과 수평편향판4개의 편향판으로 편성 마이너스극성의 전자빔을 플러스 극성의 편향판으로 빔의 위치를 조정2.FED의 구조와 동작 ... 부분이 지그재그 모양과 팔걸이 의자모양웨이퍼링(Wafering)정제된 단결정들을 두께 500-700m로 절단한 후 표면 처리하여 반도체 소자제조 회사에 웨이퍼(wafer)로 공급 ... 한다. 이 과정을 웨이퍼링(wafering)이라 한다. 성장된 단결정 덩어리(Single Crystal Ingot) 특성 측정 비저항(resistivity) 불순물량(Impurity
    리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.04.04
  • 판매자 표지 자료 표지
    RAM(Random Access Memory) - DRAM, SRAM, FeRAM(FRAM), MRAM, PRAM
    으며 빛에 의한 사진 식각 기술이 여전히 주류를 이루고 있다. 즉 64K부터 256K까지는 작은 Wafer와 Mask를 밀착시켜 Mask Pattern을 1:1로 Wafer 전체 ... 하여 6inch 이상의 큰 Wafer상에 위치를 달리하면서 반복적으로 행하여 전체 Wafer에 Pattern을 그려 넣는 방식이다. 이 방식에 의하여 Mask CD(Critical ... 가 있어야 하며 까다로운 공정제어가 필요하다. 올해 Tohoku 대의 Ohno와 Hitachi는 공동연구를 통해 상온에서 472% 수준의 자기 저항비를 획득한 바 있다. 실제 Gb급
    리포트 | 64페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.12.22
  • 박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거 (반도체 식각)
    형태로 가 웨이퍼의 내부에 침투 시킴으로서 불순물 주입은 고온의 전기로 속에서 불순물 입자를 웨이퍼 내부로 확산시켜 주입하는 Diffusion 공정에 의해서도 이루어진다제12단계 ... . 일종의 보호막 과도 같은 역할을 한다.제13단계 : 금속 배선(Metal Deposition)웨이퍼 표면에 형성된 각각의 회로를 금,은,알루미늄 선으로 연결시키는 공정. 금속 ... 접한다. 낮에는 태양 밤하늘에 보이는 별, 방 안의 형광등, 길거리 네온 싸인 등은 직접 접할 수 있는 플라즈마이며 반도체, LCD 모니터, 핸드폰 등에서처럼 제조 공정
    리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.10.13
  • OCI의 M&A전략
    로 매출이 증가했지만 공정거래법에 저촉될 소지가 있는 인수합병이었다는 점에서 향후 심각한 문제 예상정밀화학 : 고무약품과 농약원제의 시장규모 축소로 전년 대비 매출 규모가 36% 감소 ... 과 FBR 공법의 제조공정에 따라 달라짐11N (99.999999999%) 이상의 순도를 갖는 반도체용과 6N(99.9999%) 이상의 순도를 필요로 하는 태양전지용으로 분류단위 ... :톤수직적계열화금속 실리콘(MG-Si; Metallurgical Grade-Silicon)을 원재료로 하여 가스화 공정 및 실리콘 석출공정을 거쳐 생산됨석출방법에 따라 크게 2가지
    리포트 | 45페이지 | 6,000원 | 등록일 2015.04.18 | 수정일 2015.05.26
  • Thermal Evaporation법을 이용한 박막의 제조 결과
    를 통하여 박막재료 제조 공정의 이해를 돕는다.2. 이론전자 장치 중에는 MOS형 트랜지스터와 같이 Bulk 결정의 맨 끝 표면층만을 활성층으로 사용하는 것과Planar 트랜지스터 ... 형성법으로 LPCVD라 불리는 방법이 있다. 일반적인 CVD법에서는 가스흐름의 형태가 형성된 막 두께의 균일성에 영향을 주기 때문에 반응관을 이용하여 여기에 여러 개의 웨이퍼 ... 를 늘어놓음으로써 막형성을 균일하게 하기는 곤란하다. 가스흐름의 상류와 하루에서는 반응에 관여하는 가스의 성분함유율이 변화하여 막의 형성속도에 차이가 생기며, 가스흐름에 맞대어 웨이퍼
    리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.03.08 | 수정일 2015.06.29
  • LG실트론 Equipment Engineer 최종합격 자기소개서 실트론 합격 자기소개서 LG실트론 자소서(LG실트론 엔지니어 합격 자기소개서)
    소자의 원재료인 실리콘 Wafer라는 것에 매료되었습니다. 특히, 제조공정의 Melting/IngotGrowing 과정이 꽤 인상 깊었습니다. 정확하고 섬세한 공정이 이뤄지지 않 ... 었습니다. 평소에 신중하며 꼼꼼함이 몸에 베인 습관은 이런 기계장비를 다루는데 많은 도움이 될 것입니다.공정지식과 경험을 바탕으로 반도체 Wafer 생산에서 최고의 기술력과 효율적인 시스템 ... Equipment Engineer가 되겠습니다.현재 우리나라는 전자산업 분야에서 세계를 주도하고 있으며, 특히 반도체를 빼놓고 한국의 발전을 이야기할 순 없습니다.뛰어난 반도체 Wafer
    자기소개서 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.03.14
  • 태양광에너지
    것으로 집계되었다.2007년 말 현재 세계 태양광 시장의 90% 이상을 웨이퍼 형태의 결정질 실리콘 태양전지가 차지하고 있으며 이에 대한 효율 향상 및 가격 저감을 위한 연구개발 ... 방법으로서 실리콘 웨이퍼를 박형화(두께 약 180㎛)하는 추세이며 한편으로는 유리 기판을 사용하는 “박막 태양전지” 기술(막 두께 2~3㎛)이 개발되어 전체 시장의 10%를 차지 ... 된 스틱과 같은 저가의 기판에 반도체 막(膜)을 수 마이크론 두께로 코팅하여 제작된다. 결정질 실리콘 전지에 비해 소재를 적게 사용하고 자동화를 통해 모듈 공정까지 일관화 시킬 수
    리포트 | 11페이지 | 4,000원 | 등록일 2013.12.05
  • ITO Scribing & Cleaning 예비보고서
    하게 된다. 반도체 세정 공정은 Glass 표면의 모든 오염물을 완벽히 제거하는 것이 가장 이상적인 목표이기는 하지만 그것은 거의 불가능하다고 할 수 있다. 실제로 웨이퍼 세정 공정 ... 행해져야 한다. 반도체 소장 공정웨이퍼 표면 위에 오염되는 불순물의 종류는 크게 오염물은 particle, 유기 오염물, 금속 오염물 그리고 자연 산화막으로 나눌 수 있다. 이런 ... 다양한 오염물들을 제거하기 위해서 웨이퍼는 각각의 오염물들을 효과적으로 제거하기 위한 여러 가지 세정 용액을 혼합하여 일괄 처리 공정으로 세정된다.ITO의 Coating이 표면
    리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.02.23
  • P-N 접합의 제작과정 및 동작원리
    의 빈 자리의 이동으로써 확산되며, 냉각 후에는 그 결정의 격자 위치를 점유한다.IC 공정에서 이 방법은 열처리 과정으로, 1000℃에서 노(爐) 속에 n형의 Si 웨이퍼를 공기 중 ... 되어 왔다.2) 합금형 접합연구실이나 일부 생산공정에서 p-n 접합을 만드는 데 편리한 기법은 도핑 원자를 함유하고 있는 금속을 반대형식의 도펀트를 가진 반도체 위에서 합금을 만들 ... 수 있다.3) 확산형 접합p-n 접합을 형성시키는 가장 보편적인 기법은 불순물 확산공정이다. 접합부의 기하학적 구조를 제어하기 위하여 선택적 마스크를 함께 쓰는 이 방법은 집적회로
    리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.11.17
  • 반도체의 제조 공정
    반도체결정의 제조공정에 대하여? 웨이퍼란?- 실리콘(규소)은 땅 속에 풍부하다. 이것을 고순도로 정제해서 단결정으로 만든 것이 집적회로(IC)를 만드는 재료이며 이것이 실리콘 단 ... 결정인 Ingot 이라 한다. 실리콘 잉곳은 수백 나노미터의 두께로 절단되어 한쪽면을 거울같이 연마한 실리콘 Wafer가 된다.★ 세부공정1. 단결정 성장고순도로 정제된 실리콘 ... 위에 그려질 회로패턴을 설계한다.5. MASK 제작마스크란 웨이퍼 위에 만들어질 회로패턴의 모양을 각 층별로 유리판 위에 그려 놓은 것으로 사진공정시 스테퍼 (반도체제작용 카메라
    리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.12.08
  • 고상 이종 계면에서 계면반응 생성물의 성장거동 분석 예비보고서
    (electronic packaging)는 전자제품에서 사용되는 디바이스(device)를 효율적으로 포장하는 기술로, 낱개로 잘려진 웨이퍼(wafer)) 조각을 BT substarate에 접착 ... 하는 단계, 웨이퍼와 보드(board)를 연결하는 와이어 본딩(wire bonding)단계, 완성된 칩을 PCB(Printed Circuit Board))에 장착하여 연관되는 다른 ... 소자들과 연결하는 단계, 모듈(Module)화된 카드를 전체 메인보드에 연결하는 단계, 최종적으로 제품을 완성, 조립하는 단계 등 공정에 따라 세부적으로 나눠지기도 한다. 현재 각
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.09.28
  • [무기화학]연료감응형 태양전지의 원리와 구조
    DSSCs 제작을 통한 원리와 구조의 이해웨이퍼 구조 결정질 실리콘 다결정질 실리콘 박막 구조 CIGS 태양전지 Si 태양전지 CdTe 태양전지 GaAs 태양전지 광전기화학구조 ... ( 음극 )백금 전극 제조 과정 ( 양극 )셀 조립 및 전해질 주입 공정{nameOfApplication=Show}
    리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.03.20
  • wet etching
    Wet etghing 정의 Wet etghing 원리 Wet etghing 문제 및 해결 참고문헌Etching : Chemical 이나 Gas를 사용 Photo공정에서 형성 ... 된 Pattern으로 Layer를 제거하는 공정 Wet Etching 과 Dry Etching이 있다Pattern의 식각 형태가 등방성(Isotropic etch). 이것은 깊이 식각 ... 가 떨어짐 식각률 1000 ~ 3000Å/min (35 ~ 40℃)기포발생현상 화학반응에 의해 발생한 기포가 습식식각 작업 시 식각되어야 할 면에 붙어 식각이 이루어지지 않아 공정
    리포트 | 22페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.01 | 수정일 2013.12.18
  • 박막재료의 표면처리 및 PR 제거 결과
    1. 실험제목박막재료의 표면처리 및 PR 제거2. 실험목적여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 세가지 공정으로 나뉘어 지는데 첫째로 증착공정 ... 둘째로 마스크의 패턴형성 그리고 셋째로 식각공정으로 나뉘어 진다. 이러한 공정 가운데서 중요한 공정은 박막의 식각공정으로서 마스크 패턴을 가지고 증착된 박막을 식각하는 것이 ... 다. 본 실험에서는 마스크에 의하여 형성된 패턴을 증착된 박막위로 전달하는 식각공정에 대하여 이해하고 그에 따른 박막의 표면과 두께의 변화등에 대하여 고찰하고자 한다.3. 실험내용가장
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.08.07
  • 반도체 박막 두께 측정법
    Ⅰ광학적 방법1. 박막의 색을 이용하는 방법실리콘 산화막과 질화막은 웨이퍼에서 색이 다르다. 웨이퍼에 빛이 들어 왔을 때 일부는 산화막에 반사되고 일부는 통과해서 실리콘에서 반사 ... 는 프린지(Fringe)를 세면 된다. 웨이퍼의 한쪽을 HF로 산화막을 식각하여 그림과 같이 백색광에서 모았을 경우 웨이퍼면과 산화막 사이의 경계영역에서 프린지가 보인다. 더 정확 ... 의 광학적 성질을 가진 bulk 물질을 측정하여 얻는 그물질의 굴절률(n)과 소광계수(k)갑이 초보사용자가 발휘할 수 있는 최고의 신뢰도를 가진 물리량이다.실리콘 관련 공정
    리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.03.31
  • photolithography 공정에 대한 보고서
    을 해주셨기에 공정과정을 이해하는데 크게 어려움은 없었다. 또한 각 공정은 실험 전 수업시간에 교수님이 설명해 주신 내용과 같아서 도움이 많이 되었다. 처음 웨이퍼는 cleaning ... 1. 공정 이론1-1. Photolithography 공정 이론최근 각종 display application, 마이크로 칩 등을 비롯한 다양한 미소 전자 부품의 수요가 급증 ... 를 제작하기 위해 현재 상용되고 있는 기술 중 대표적인 것은 photolithography process를 들 수 있다.그림 1. 일반적인 기존의 photolithography 공정
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.19
  • 아모레퍼시픽 SCM부문 합격자소서
    를 찾아 현상 파악에 힘썼습니다. 직접 3000장 가량의 Wafer를 진행하며 현상에 대해 분석하여 4개월이 지나 95% 최고 수율을 기록하였습니다. Process Engineer ... 로 자신의 분야만 분석 하기 보다 타 공정까지 공부하여 서로의 문제점을 분석하여 양산을 가능하게 만들었습니다. AMOREPACIFIC 입사하여, Impossible ... 에서 적응하면 인간으로 못할 것이 없다고 생각하기 때문에 현재 부족한 역량은 풍부하게 채울 수 있다고 생각합니다.입사 후 이루고자 하는 비젼“생산, 공정 관리 Master”대학교 입학
    자기소개서 | 2페이지 | 3,000원 | 등록일 2015.08.10
  • 산화공정(Oxidation)
    실험 목표반도체 소자 제조 공정중 하나로 고온(800-1200℃)에서 산소나 수증기(H₂O)를 주입시키고 열을 가해 실리콘 웨이퍼 표면에 얇고 균일한 실리콘 산화막(SiO₂ ... , Furnace-Tube, Dummy wafer, Atomic Force Microscopy (AFM) 등실험방법⑴ cleaning 공정① H2SO4 와 H2O2 를 4:1 ... etching한다.④ 다시 D.I water로 충분히 헹군다.⑤ Si wafer의 물기를 제거한다.⑵ furnace 공정① furnace를 1200℃까지 올린다.② Si
    리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.07.04
  • 반도체 이온주입에 관한내용입니다.
    . 주입되는 불순물양을 정확하게 제어할 수 있다 . 1. 비싸고 복잡하다 . 2. 불순물 분포가 Wafer 전체에 균일하게 되어 생산성이 높다 . 2. 이온 주입시 Damage 가 발 ... 생할 수 있다 . 3. 저온 공정이다 . 3. 주입되는 깊이가 얕다 .(~1 ㎛) 4.Mask 선택이 넓다 . 4. 잠재적인 위험 요소가 많다 . 5. 불순물 공급이 수월하다 .2
    리포트 | 20페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.02.27
  • 공업화학실험 박막식각 예비보고서
    공정을 개략적으로)(3).1 웨이퍼 제조 공정 : Silicon원석에서 웨이퍼를 제작웨이퍼 제조공정 개요(1) 단결정 성장(Crystal Growing)-단결정 성장은 실리콘 웨이퍼 ... 로 변형시키는 공정입니다. 단결정조직이 정확하게 정렬되도록 단결정봉을 흑연빔에 놓은 다음 고도의 절삭 기술을 사용하여 실리콘 단결정봉을 웨이퍼로 바꾸게 됩니다. 절삭작업을 거치는 동안 ... 을 거쳐 연결시킨다.(3).3 조립 및 검사 공정(1) 웨이퍼 자동 선별 : 칩들의 불량 여부를 컴퓨터로 검사하여 불량품을 골라낸다. 불량제품은 검은 잉크로 동그란 마크를 찍어 분류
    리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.04.05
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2025년 05월 21일 수요일
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