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"웨이퍼공정" 검색결과 1,421-1,440 / 2,698건

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    이건희 리더십
    몇 가지가 웨이퍼 선택과 생상공정 방식의 선택이다. 삼성전자가 반도체에서 글로벌 기업이 될 수 있었던 여러 이유 중 하나는 이건희가 스택 방식을 선택했다는 것이다.1986년 10월
    리포트 | 15페이지 | 3,500원 | 등록일 2016.12.27 | 수정일 2016.12.29
  • Hwang’s Law
    기가 D램 개발, 4기가 D램, 300mm 웨이퍼 양산, 나노공정 도입 등 세계 최초의 기록들을 쏟아내면서 세계 반도체 기술발전을 이끌었다는 평가를 받고 있다.1997년부터 낸드
    리포트 | 1페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.05.12
  • ITO patterning 공정 예비
    1. 실험제목 : ITO patterning 공정2. 실험목적 :?OLED 소자의 투명전극으로 사용되는 ITO를 원하는 모양으로 식각하는 법을 습득 ... 한다.?Photolithograph에 사용하는 각 공정의 원리와 공정 시 주의 점을 습득한다.3. 실험이론 및 배경 : (고분자재료실험(한국고분자학회) 책의 key word는 꼭 조사할 것)저분자 혹은 고분자 ... . 따라서 ITO patterning전 전처리 공정을 통하여 표면을 개질시켜 주어야 한다.이 과정이 끝나면 Photoresist(PR)를 roll coater 또는 spin coater
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.09.15
  • [발광디스플레이 실험] Ni Sputtering을 통한 박막형성
    을 방지비닐장갑, 핀셋 : Sample 표면에 지문 등 불순물의 오염 방지Si wafer : 두께 촬영을 위해 전자들의 charging되지 않는 substrate 필요2 ... 의 균일도가 크다.-높은 에너지의 공정이므로 밀착강도가 높다.-Target 재료가 금속에 한정된다.-높은 Ar 압력이 필요하다. (10 ~ 15 mTorr)-박막의 순도가 떨어진다. ... 상 라디오 주파수와 간섭을 피하기 위하여 주로 13.56MHz 의 고주파 전원을 작동하도록 규제하고 있기 때문인데, 이 진동수가 국제적으로 플라즈마 공정에 허용되었다.DC
    리포트 | 8페이지 | 5,000원 | 등록일 2011.12.28
  • 1g 전쟁, 일본의 역습내용과 소감
    을 세계최초로 가동하였다. 잉크잭 기술이 컬러필터에 도입하여 50인치의 8세대 LCD기판을 만들어 낸 것이다. 잉크잭 기술이 컬러필터에 도입되어 기존공정에 비해 컬러 필터 재료 ... 가 적어도 되며, 공정이 기존 공정에 비해 1/4, 1/5로 줄어 원가 절감의 효과를 얻을 수 있다. 일본의 국가 프로젝트 '퓨쳐 비전'은 2002년 105억엔을 지원하여 설립한 프로젝트 ... 갈륨비소 반도체 웨이퍼를 개발했다는 점이다. 실리콘 웨이퍼에 비해 갈륨비소(갈륨+비소)반도체는 고속, 고주파, 발광기능이 뛰어난 고부가가치이다. 전 세계적으로 일본3곳, 미국2곳
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.05
  • NGL(Next Generation Lithography)에 대한 조사
    것으로 전망되며, 이를 위해 300mm 웨이퍼에서 선폭 50nm를 달성할수 있는 방법중 하나가 Extreme Ultraviolet Lithography라고 전망된다. ... - Lithography 장비 기술 현황그림은 선폭과 Lithography에 대한 Roadmap을 나타내고 있다. 2010년경에 DRAM/MPU의 공정에 13.4nm의 파장을 가지는 EUV ... Lithography가 채택되어 선폭 45nm의 양산공정에 사용될 것으로 예측하고 있다.한편으로는 System on Chip과 같은 소량의 주문형 반도체 생산에는 EPL
    리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.05.15
  • Wafer Scribing and Cleaning
    한다.?원하는 모양으로 자른 Si Wafer의 오염된 표면을 세정하여 소자의 성능 및 수율을 향상시킨다.2. 이론Pattern 공정을 하기 위해서는 주변의 청정도가 매우 중요한데, 아래 ... 공정은 오염물들의 근원이고 이는 소자의 성능과 수율에 직접적인 영향을 미치게 된다. 각 공정Wafer 표면의 오염물은 기하급수적으로 늘어나게 되고 이 오염물에 의해 반도체 소자 ... 의 수율은 급격히 감소하게 된다. 반도체 세정 공정Wafer 표면의 모든 오염물을 완벽히 제거하는 것이 가장 이상적인 목표이기는 하지만 그것은 거의 불가능하다고 할 수 있
    리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.07
  • 삼성전자반도체, 삼성 반도체
    웨이퍼 세대 교 체에 따른 투자 1990~91 년 8 인치 웨이퍼 설비 구축 / 90 년 말 12 인치 웨이퍼 설비 구축 결과 : 생산단가↓ → 제품수명주기초기 수익률↑ → 공격 ... 적 R D 투자 ∴ 선발주자 이점 ( 특히 , 모바일 관련 사업으로 다각화 추진 ) Part 2 - 공정혁신② “ 기술적 불균형 (technical imbalaces )” 을 통한 ... 을 해야 하나 고민하게 됐다 . 설비를 빨리 가동하기 위해 신제품 개발을 계속해야 했고 , 또 설비 활용도를 높이기 위한 여러 가지 대안을 찾아야만 했다 .” Part 2 - 공정
    리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.08.03
  • 업적 및 경력계획서 (서강대MBA 입시용)
    17일지원자 성명 : 김 종 혁 (인)서강대학교 경영전문대학원장 귀하[ 문제극복, 리더쉽을 발휘한 경험 ]2년간 신한다이아몬드 공업의 대만지사장으로 재직시, CMP 공정에서 웨이퍼 ... TSMC#8공장에서 Wafer 수천장 규모의 대형품질문제가 발생했습니다. 품질문제는 제품에 도금되어 있던 다이아몬드가 대량으로 떨어져 나와 패드에 박히고 그 다이아몬드가 야기 ... 한 웨이퍼 수천장 규모의 꽃잎모양 스크래치 불량이었습니다. 연일 고객사의 고위층부터 현장관리까지 십수명과 피말리는 회의를 하며 얼굴을 붉혔고 분위기는 극단으로 치닫고 있었으며, 본사
    자기소개서 | 2페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.10.19
  • 미래 성장 동력형 LED용 사파이어 단결정
    방법 ■ HEM 법4-1 사파이어 단결정 소재의 제조방법 ■ Bridgman 법4-2 사파이어 단결정 소재를 이용한 LED 제조방법 1 단계 : 웨이퍼 제조 – LED 의 종류 ... 에 따라 갈람비소 , 사파이어 소재사용 2 단계 : 칩 가공 – 도금 , 세척 , 절단 , 검사 등을 수행하는 공정 , 전극을 형성하고 개별 칩으로 절단하는 단계 3 단계 : 패키징 ... – 접착 , 배선 등을 통해 LED 칩을 LED 램프 등으로 만드는 공정 , 제조된 칩 과 리드 (Lead) 를 연결하고 빛이 최대한 외부로 방출되도록 패키징 하는 단계4-2 사파
    리포트 | 39페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.05.11 | 수정일 2016.11.29
  • MOS소자
    ) Cleaning 공정1) Piranha cleaning: Si wafer를 H2SO4 : H2O2 = 4 : 1 로 만든 용액에 10min 담가두어wafer 위의 유기물을 제거 ... 한다.2) HF cleaning: HF : D.I water = 1 : 10 용액에 wafer를 담궈 native oxide를 제거한다.(2) Oxidation반도체 공정에서 Si ... , MOSFET에서의 유전체(3) 사진식각공정(Photo-lithography)사진공정이란마스크에 설계된 패턴을 기판 위에(Si wafer, 유리..)전사시켜 형성하는공정
    리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.05.12
  • [LG실트론 자기소개서] LG실트론 자기소개서 최종합격 우수예문 + [빈출면접기출문제]_ LG실트론 합격 자기소개서_ LG실트론 자소서 예문
    실리콘 Wafer라는 것에 매료되었습니다. 특히, 제조공정의 Melting/IngotGrowing 과정이 꽤 인상 깊었습니다. 정확하고 섬세한 공정이 이뤄지지 않으면 불가능하며, 고도 ... 하며 꼼꼼함이 몸에 베인 습관은 이런 기계장비를 다루는데 많은 도움이 될 것입니다. 공정지식과 경험을 바탕으로 반도체 Wafer 생산에서 최고의 기술력과 효율적인 시스템 운영, 최신식 ... 가 되겠습니다. 현재 우리나라는 전자산업 분야에서 세계를 주도하고 있으며, 특히 반도체를 빼놓고 한국의 발전을 이야기할 순 없습니다. 뛰어난 반도체 Wafer 생산기술로 비약적인 발전
    자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.09.25
  • OCI Case Study
    ,2가 감소했다.[Exhibit 7] 석유석탄화학은 CCC의 인수로 매출이 증가했지만 공정거래법에 저촉될 소지가 있는 인수합병이었다는 점에서 향후 심각한 문제가 예상되었다. 이 ... 에 따라 2006년 6월 28일 국내 최초로 웨이퍼 및 태양전지의 핵심원료인 폴리실리콘 사업 투자를 결정하였고 OCI는 태양광산업에 본격적인 진출을 시작하게 된다.태양광산업은 향후 화학 ... 폴리실리콘을 잉곳 혹은 웨이퍼로 불리는 얇은 원판 위에 전극을 그려 가공하면 전력을 생산할 수 있는 태양전지 셀을 얻을 수 있다. 산출된 다수의 태양전지 셀을 직·병렬로 연결
    리포트 | 17페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.12.29
  • 만화로 보는 반도체 이야기를 보고나서
    으로는 단결성장, 규소봉 절단, 웨이퍼 연마, 회로설계, 마스크 제작, 산화 공정, 감광액 도포, 노광, 현상, 식각, 이온주입, 증착, 배선, 웨이퍼 뒷면 연마, 웨이퍼 절단, 칩 ... 자동 선별, 금선 연결,성형, 최종검사, 마킹, 출시로 20가지의 공정을 거친 후에야 반도체가 완성, 시장에 판매가 된다. 여기서 웨이퍼의 재료는 규소이다.반도체의 공정 중 전기 ... 는 D램, 낸드플래시, S램과 노어 플래시로 분류되고 시스템 LSI는 마이크로 컴포넌트, 로직, 아날로그, 개별소자, 광학반도체로 나뉘며 CPU, DSP 등으로 나뉜다.제조 공정
    리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.12.05
  • 식각 박막 예비보고서
    로 정밀한 장비와 재료를 사용하여 마이크로화 된 형상을 웨이퍼 상에 전사, 재현한다. Lithography 기술은 마스크(mask)상에 설계된 패턴을 공정 제어 규격하에 기판상에 구현 ... LithographyLithography기술은 반도체 기판 위에 패턴을 형성하는 기술로 photo 공정과 etching 공정으로 나눌 수 있다. Photo Lithography는 반도체 웨이퍼 위에 감광 성질 ... 1. 실험제목SiO2 박막의 식각 및 PR 제거2. 실험목적여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 세가지 공정으로 나뉘어 지는데 첫째로 증착
    리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.15
  • Photo- resist Patterning 기술의 공정과 분해능
    현상액을 이용하여 빛을 받은 부분의 PR을 제거하여 pattern을 형성시키는 공정.`1)2)1) Wafer 사진2) PR을 wafer에 증착3) UV lithography 기구4 ... 1. Photo-resist (Photo)lithography 정의 2. Photolithography 공정 (용어) 3. Photolithography (순서) 4 ... . Positive Resist Negative Resist 5. 반도체 공정(사진)빛이나 방사선을 쏘면 그 부분만 구조변화를 일으켜, 용매에 녹지 않거나(NegativeType), 그 반대
    리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.07.31
  • LCD에 대한 모든 자료 입니다.(의미, 종류, 특징, 역사, 구조, 제조공정, 응용분야, 향후 연구개발 등)
    에 박막트랜지스터를 배열하여 제작하는 공정이다. Wafer 대신에 유리를 사용한다는 점에서 반도체와 다르며, 반도체 공정은 1,000℃ 정도의 공정온도를 갖는 반면 TFT공정 ... TN, STN-LCD의 구조 8 TFT-LCD의 구조 9~12? LCD Display의 제조공정 ········ 13 ~ 18 page TFT 공정 13~15 Cell 공정 16 ... ~18 Module 공정 18? LCD Display의 응용분야 ········· 19 page? LCD Display의 향후 연구 개발 ······· 20 page? 참고문헌
    리포트 | 23페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.01.03
  • 판매자 표지 자료 표지
    [아사히글라스-최신합격자기소개서]아사히글라스자기소개서,합격자기소개서,아사히글라스자소서,합격자소서,자기소개서,자소서,입사지원서
    하는 공정에 활용하는 백그라인드기판에 실리콘웨이퍼에 붙여 지지하는 용도로 쓰입니다. 개발된 백그라인드기판은 열팽창률이 실리콘에 가까워 고온처리에서 문제가 되는 변형 발생을 억제 ... 에 성공했고. 그리고 전자전기 분야로 확대하여 모바일 기기에 사용하는 반도체칩을 적층을 위해 두께를 최소화하는 기술로 확대시켰습니다. 두께를 최소화하기 위해서는 섬세한 연마공정 ... 이 필요한데, BG기판은 이를 위한 웨이퍼 고정에 쓰입니다. 저는 고온처리 시 실리콘과 BG기판의 팽창률 차이로 발생하는 변형을 줄이기 위해 다양한 형태의 기술개발을 진행하였고 현재
    자기소개서 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.12.06
  • 화학사고사례 - 구미불산누출사건
    의 제련, 전자회로와 각종 화학물질의 제조 등에 쓰인다. 특히 반응성이 높은 성질 때문에 공장에서 촉매재로 사용되거나 탈수제로도 이용되며, 반도체 실리콘 웨이퍼의 불필요한 부분 ... 수소를 냉각시켜서 액체로 만들면 순수한 불산이 만들어지는 것이다. 인산칼슘염과 황산을 반응시켜서 인산을 생산하는 공정에서도 플루오린이 불순물로 결합되어 인산칼슘염을 사용하는 경우 플루오린화수소를 부산물로 얻을 수 있다.
    리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2016.04.26
  • 07CVD (2)
    의 화합물을 공급하여 기판과의 화학적 반응을 유도함으로써 반도체 기판 위에 박막층을 형성하는 공정 외부와 차단된 반응실 안에 기판를 넣고 Gas를 공급하여 열, 플라즈마, 빛(UV ... or LASER), 또는 임의의 에너지에 의하여 열분해를 일으켜 기판의 성질을 변화 시키지 않고 solid Deposition를 이루는 합성 공정CVD법의 원리Gas흐름기판CVD법 ... 적 용이, 웨이퍼의 대구경화에 매우 적합. 단점: 높은 가스의 유속이 요구됨.PECVD 장·단점장점 APCVD, LPCVD에 비해 플라즈마를 이용 함으로써 저온(300°)에서 증착
    리포트 | 23페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18
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2025년 05월 21일 수요일
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- 작별인사 독후감