Wafer Scribing and Cleaning

소개글

Wafer Scribing and Cleaning에 대한 실험 레포트

목차

1. 실험목적
2. 이론
3. 기구 및 시약
4. 실험방법
5. 결과 및 토의
6. 참고문헌

본문내용

1. 실험목적
◦OTFT 및 반도체 device의 Gate 전극으로 사용되는 Si Wafer를 원하는 크기로 자르는 방법을 습득한다.
◦원하는 모양으로 자른 Si Wafer의 오염된 표면을 세정하여 소자의 성능 및 수율을 향상시킨다.

2. 이론
Pattern 공정을 하기 위해서는 주변의 청정도가 매우 중요한데, 아래 그림에서 보는 것과 같이 Clean room 에서 빛에 노출되지 않는 환경을 구비한 후 공정을 시작하여야 한다.

◦ Cleaning & Wet-Station 의 중요성

모든 반도체 공정은 오염물들의 근원이고 이는 소자의 성능과 수율에 직접적인 영향을 미치게 된다. 각 공정 후 Wafer 표면의 오염물은 기하급수적으로 늘어나게 되고 이 오염물에 의해 반도체 소자의 수율은 급격히 감소하게 된다. 반도체 세정 공정은 Wafer 표면의 모든 오염물을 완벽히 제거하는 것이 가장 이상적인 목표이기는 하지만 그것은 거의 불가능하다고 할 수 있다. 실제로 웨이퍼 세정 공정은 각 공정 전과 후에 실시하여 기하 급수적으로 증가하는 오염물을 최소한의 감소시키는 것이 그 주된 목적이다. 따라서 기판 세정 공정은 모든 공정 전후에 반드시 행해져야 한다. 반도체 소장 공정 중 웨이퍼 표면 위에 오염되는 불순물의 종류는 크게 오염물은 particle, 유기 오염물, 금속 오염물 그리고 자연 산화막으로 나눌 수 있다. 이런 다양한 오염물들을 제거하기 위해서 웨이퍼는 각각의 오염물들을 효과적으로 제거하기 위한 여러 가지 세정 용액을 혼합하여 일괄 처리 공정으로 세정된다.

※ 오염원

※ Device 에 주는 영향

현재 반도체 공정에서 사용하는 습식 세정 공정은 1970년대 개발된 RCA 세정 방법을 근간으로 화학액의 조성에 큰 변화없이 사용되고 있다. RCA세정은 암모니아인 염기성을 주로 사용하는 SC1과 염산인 산성 용액을 사용하는 SC2 세정 방법으로 나눌 수 있다.
RCA세정 공정 중 SC1 (Standard Clean-1, APM) 세정 공정은 암모니아, 과산화수소

참고 자료

http://cafe140.daum.net/_c21_/bbs_search_read?grpid=epHH&fldid=5bYp&contentval=00001zzzzzzzzzzzzzzzzzzzzzzzzz&nenc=QO_DBdjaFmBLeahBbh8clQ00&fenc=Hed5BPdlGBc0&q=RCA+%BC%BC%C1%A4+%B9%E6%B9%FD&nil_profile=cafetop&nil_menu=sch_updw
http://cafe348.daum.net/_c21_/bbs_search_read?grpid=1A9nZ&fldid=7P7l&contentval=0000Pzzzzzzzzzzzzzzzzzzzzzzzzz&nenc=QO_DBdjaFmBoG9hCxgrTmA00&dataid=25&fenc=Y9UZLofXYWg0&docid=1A9nZ|7P7l|25|20071021111312&q=Si%20Wafer%20cleaning
http://www.withche.com/main/curri.asp?idx=139&page=1&startpage=1
http://www.itooza.com/common/iview.php?no=0000000000000013724&ss=11&qSearch=&qText=&qSort=
[논문] 대한금속 , 재료학회지, UV/O3와 ECR 플라즈마를 이용한 wafer storage box로부터 발생하는 Si 웨이퍼 표면 위의 유기오염물 제거 , 인하대학교 공과대학 금속공학과 주) 아펙스