MOS소자

최초 등록일
2010.05.12
최종 저작일
2010.04
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신소재기초실험보고서입니다.

목차

1. 제목
2. 목적
3. 이론
4. 실험방법 
5. 실험결과
6. 고찰

본문내용

1. 제목 : MOS 소자 형성 및 C-V 특성 평가

2. 목적
- MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)소자를 직접 제작하고, 작동원리를 이해한다.

3. 이론
(1) Cleaning 공정
1) Piranha cleaning
: Si wafer를 H2SO4 : H2O2 = 4 : 1 로 만든 용액에 10min 담가두어
wafer 위의 유기물을 제거한다.
2) HF cleaning
: HF : D.I water = 1 : 10 용액에 wafer를 담궈 native oxide를 제거한다.

(2) Oxidation
반도체 공정에서 Si 기판 위에 산화제(H2O, O2)와 열에너지를 공급하여
절연막 등 다양한 용도로 사용되는 SiO2 막을 형성하는 공정
1) 산화막의 용도
① 확산 공정 mask layer
② PN 접합 보호(Passivation)
③ 유전체로서의 응용 - ILD, IMD
④ 소자간의 격리 - LOCOS, STI
⑤ 열주기 동안 불순물 주입 mask layer
⑥ Gate capacitor, MOSFET에서의 유전체
(3) 사진식각공정(Photo-lithography)
사진공정이란
마스크에 설계된 패턴을 기판 위에(Si wafer, 유리..)전사시켜 형성하는
공정이다. Photoresist(PR)이라고 하는 광 반응성 폴리머에, 마스크를 통하여
빛을 선택적으로 조사함으로써 특정 모양의 PR 패턴을 형성한다. 이는 마치
판화에서 상판에 형성된 패턴모양이 잉크와 같은 염료를 종이 위에 찍어내는
것과 유사하다.

사진 공정의 의미
반도체 공정은 여러 가지 재질(Metal, Nitride, Oxide, 불순물, 기판 자체…)
을 특정 패턴으로 여러층으로 형성해 가는 하나의 일관된 과정이다. 특정
재질의 박막을 주입 (implantation), 성장, 식각(etching) 하는 과정에서 패턴
을 만들게 되는데, 사진 공정으로 형성된 PR 패턴을 매개 층으로 하여 부분
적인 주입 및 식각을 수행할 수 있게 된다.

참고 자료

없음

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