"고온플라즈마"의 검색결과 입니다.

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cvd 플라즈마 원리 원자 흡수 분광계 안과 수술 icp-oes ICP 레포트 진공증착 탄소나노튜브 토카막

"고온플라즈마" 검색결과 541-560 / 1,372건

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나노다이아몬드발표

고압법 10-100 nm 범위의 나노다이아몬드는 충격파를 이용하거나 고온고압법에 의해 합성된 마이크론 크기의 다이아몬드 분말을 기계적인 방법으로 미분 제조한다 .최초 HPHT 장치 ... 함유한 화합물 열 , 전자분해 여 과 활 성 가스 ( 플라즈마 상태 ) 기판 위 증착화학증착법 열필라멘트법 마이크로파 플라즈마법 고주파 플라즈마법 CACVD 법 직류방전 플라즈마법 ... 열플라즈마법 연소염법나노 다이아몬드의 제조▣ 나노다이아몬드는 현재 금속 표면의 코팅제 , 고분자 및 고무 복합체 , 연마제 , 오일 첨가제 등으로 광범위하게 적용되고 있으며 이 밖

리포트 | 33페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.06.08

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탄소나노튜브를 이용한 수소에너지 응용

http://tvpot.daum.net/clip/ClipView.do?clipid=37261944 1 분 50 3 분 45 초 기상증착법 플라즈마 화학기상증착법 열 분해법 레이저 ... ~1050 ℃의 고온의 반응로 안에 탄소 성분의 가스 (C2H2, C2H4) 를 흘리면 , 촉매금속 (Ni, Co, Fe) 의 표면에 열분해 된 탄소 원자가 반응하여 CNT ... C. N. T - 탄소나노튜브 현재 수소 저장합금은 최대 10.2wt% 지만 화석연료의 효율에 현저히 떨어지는 수치 ( 고온 , 압력 ) 2010 년 기준 DOE 자료응용 및

리포트 | 22페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.04.24

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플라즈마 용접

으로 고속도로 분출시킴으로써 생기는 고온의 불꽃을 이용해서 절단, 용접하는 방법. - 10000～30000℃의 고온 플라즈마를 분출시킴.What is the Plasma ... of applicationWhat is the Plasma Welding ?플라즈마 상태 - 가열된 기체가 열 운동에 의해 전리되어 이온과 전자가 혼합되고 도전성을 띠게 되는 상태 ... (매우 높은 온도) 플라즈마 용접 (Plasma Welding) - 플라스마의 불길로 하는 용접. - 금속 가운데서 특히 순금속이나 특수 합금 또는 특수강으로 된 구조물을 용접

리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.06.24

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반도체공정-유전체증착

를 구성해 나가 는 전과정 , 죽여서 FAB 이라고 한다 .웨이퍼 가공 (Fabrication) ⑥산화공정 고온 (800~1200℃) 에서 산소나 수증기를 실리콘 웨이퍼 표면과 화학 ... interconnection 으로부터 poly-Si 를 isolate 하는 데 SiO 2 를 사용할 때 . - 완성된 IC 위에 마지막 passivating layer( 보호층 ) 으로 plasma ... nitride 를 성장 시킬 때 - plasma enhanced CVD (PECVD) 공정 - interconnection 과 contact 을 위해 metal 과 metal s

리포트 | 26페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.05.19

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MEA & CNT 기술과 특허

+ 은나노 기술백금촉매는 전도성이 뛰어난 반면, 비싸고, 높은 온도에 견디기 힘듬.은나노는 지속성 내구성이 뛰어나고 고온에서도 안정함.고주파 플라즈마에 의한 화학적 합성법을 이용함. ... - 여러 종류의 화학물질과 기체가 저온 플라즈마에서 반응하여 나노 결정질 물질을 형성한다. 70nm 보다 크기로 코팅을 할 수 있다.beforeafter기존의 백금촉매보다 안정

리포트 | 17페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.05.10

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박막재료의표면처리및식각실험(결과).

Si substrateSiO2Si substrateSiO2PR1. Oxidation Layering2. PR coatingDeposit barrier layer SiO2 고온 ... 혹은 부식용액을 사용하게 됨 Dry etching (예:RIE-Ar, C2F6)를 사용하여 산화막과 같이 식각※ Plasma etching - Wet etching ... : Isotropic - Dry etching : AnisotropicPRPR6. Clearing PR (Photoresist)PR-stripper or O2 Plasma PR은 탄소고분자

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.09.23

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용접의 정의 종류 및 균열 및 대책

시킴으로써 생기는 고온의 불꽃을 이용해서 절단, 용사, 용접하는 방법으로 10,000~ 30,000C 의 고온 플라즈마를 분출시킨다.5.전자빔 용접전자빔 용접은 진공중에서 고속 ... .특수 용접4.플라즈마 용접5.전자빔 용접6.저항 용접1.아크 용접그림과 같이 2개의 전극을 수평으로 대치시키고 거기에 적당한 저항을 거쳐 직류전원에 접속하면 아크를 발생하면서 고열 ... )텅스텐 전극 대신 용가재의 전극선을 연속해서 자동으로 송급하고 모재와의 사이에 아크를 발생시켜 용접함4.플라즈마 용접기체를 가열하면 기체는 양이온과 음이온으로 나누어지게 되는대 이

리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.10.09

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plasma에 대한 간단한 이해

plasma기계산업시스템공학부2009100860마정민2009.3.11플라즈마의 정의원자핵과 전자가 분리된 전리기체집단적 행동으로 특징지어지는, 중성입자와 전하를 띤 입자들의 준중 ... 성 기체플라즈마(plasma)는 이온화된 기체로써 고체, 액체, 기체 의 상태와 더불어 또 하나의 상태로 여겨진다. 자유롭게 움직이는 전하들 때문에 플라스마는 높은 전기 전도 ... 성을 띄며 전자기장에 대한 매우 큰 반응성을 갖는다.플라즈마는 수백만도 이상의 초고온의 환경에서 만들어진다. 이런 환경에서 원자들은 따로따로 파괴되어 양전하를 가진 원자핵과 전자가 섞인

리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.03.11 | 수정일 2018.01.19

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기계공학응용실험 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 예비보고서 (2)

식각, 플라즈마 건식 식각으로 나눈다. 각각의 식각을 통한 구조물의 형상은 다양한 모양을 갖는다. 여기서 모든 방향에 대해 일정한 속도로 식각하여 그 형상이 둥근 반원 모양 ... 등방 식각 방법에서는 결정 방위면에 맞추어야만 수직벽이 얻어지므로 곡선모양의 패턴을 식각할 수는 없다. 이 때에 이용되는 것이 건식 식각방법으로서 플라즈마를 이용한 반응성 (RIE ... 로서, 일반적인 IC 생산에 비해 마이크로머신 분야에서는 많이 사용되는 기술이다. 일반적으로 웨이퍼 접합 기술은 크게 보아 고온(1000。C 이상)을 가하는 융합접합(fusion

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.01.10

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[생화학] 생명의 기본단위와 생화학 반응의 환경 (생명체의 특징과 생화학, 세포, 생체 분자를 구성하는 원소 및 화학결합, 생체 용매로서의 물)

→ 회전운동4) 원시균(archaea)① Carl Woese(1977년) : 특정 핵산 분자들 분석② 극한미생물(extremophile) : 고온, 저온, 고염, 고압③ 극한효소 ... ③ 세포질(cytoplasm) : 핵(유전물질인 DNA 함유), 구획화된 세포 내 소기관들(orgarnelles)6) 세포의 구조① 세포막(그림 1-2), 원형질막(plasma

리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.11.04

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반도체공정 레포트 최종

. 산화공정.일반적으로 웨이퍼위에 oxide 막을 형성하기 위한 공정으로 반도체 웨이퍼를 furnace라 불리는 노에 집어넣고 고온상태를 유지하면서 공기와 질소 또는 수증기와 질소를 노 ... 를 사용), 주입될 불순물을 그 위에 바르거나 또는 불순물을 가진 source 물질을 웨이퍼와 함께 노에 집어 넣어서 고온으로 가열하는 방법을 사용한다.확산공정을 하는 동안에는 목적 ... 하면, 에너지가 방출되며, 이때 glow discharge가 발생하여 이온과 전자가 공존하는 보라색의 plasma를 보인다.- Plasma 내의 Ar+ 이온은 큰 전위차에 의해 c

리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.01.25

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판매자 표지

[공업화학실험] 식각실험 결과보고서

다. 에칭을 하기전에 냉각수를 흘려주는 것을 잊으면 안된다. 플라즈마는 고온을 필요로 하기 때문에 냉각수를 흘려주지 않으면 기계가 과열될 우려가 있기 때문이다. 에칭의 깊이 조절 ... 와 활성기체를 적절히 섞어서 (이를태면 C2F6 가스 50%와 Ar가스 50%를 흘려주고 웨이퍼 부분에 RF파워를 가해주면 C2F6 플라즈마와 Ar플라즈마가 웨이퍼를 공격하게 된다 ... 를 조절 할 수 있다.5) Ashing : 남아있는 감광제를 깨끗이 제거해 주는 과정이다. 이때 쓰이는 것은 바로 산소 플라즈마 이다. 식각 기계의 위쪽부분에 RF파워를 가해주

리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.07.23

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용접법의 종류와 원리

다.⑤ 플라즈마용접아아크프라즈마(arc plasma)는 주위가 냉각될수록 그의 이름이 축소하게 되고 플라즈마온도가 상승하는 성질(열적핀치효과)을 가지고 있다. 이에 의하여 1～2만도의 고온 ... 플라즈마를 열원으로 얻을 수 있다. 용도는 알루미늄, 강 및 스테인레스강 등의 절단에 이용되었다가 그 응용범위가 확대되고 있다.⑵ 화학적 에너지에 의한 용접법① 가스용접가스용접은 연료 ... 시키면 접촉면은 마찰에 의하여 발열하게 되어 고온에 달하고 적열상태로 된다. 이때 회전을 중지시키고 축방향으로 가압하여 용접을 행한다.② 압접피접합재를 강하게 가압하여 국부적으로 큰 소성

리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.11.09

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수소폭탄

이 생겨나고, 중성자가 튀어나오게 되는 원리이다. 임계량이 없으므로 이론적으로는 대형화·소형화가 가능하다.수소폭탄 핵융합기술수소폭탄→ 수소핵융합 반응을 이용 고온 수소 플라즈마가 필요 ... 239의 분열폭탄)을 방아쇠로 하는 고온·고열 하가 아니면 융합반응을 일으키지 않기 때문에 열 핵무기 또는 핵융합무기라고도 한다.수소폭탄의 종류수소폭탄 초 우라늄폭탄 순 융합폭탄 ... 하는 '더러운 수폭'이며, 이 폭탄을 3F 폭탄이라 한다.수소폭탄의 원리삼중수소와 이중수소가 고온 하에서 반응하여 헬륨의 원자핵이 융합되면서 중성자 1개가 튀어나오게 되는 것이다. 이

리포트 | 17페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.06.22

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PDP의 특성, 구동원리 및 주요기술, 특허분석 및 적용사례, 특허 분석 발표 자료

예방 전극물질의 스퍼터링 손상Plasma 생성방법 (친환경화)96979*************0550100150200250PDP 특허 통계PDP 특허 통계1. 플라즈마 디스플레이 ... 디스플레이공학Display Term ProjectUniversityDisplay Term ProjectA plasma display panel (PDP) is a type of ... plasma which emits ultraviolet light which then excites phosphors to emit visible light. `매우 강한 비선형성기억

리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.03.02

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화학에서 인생을 배우다

이 플라즈마 상태로 존재한다.앞서 말했듯이 플라즈마 기술은 고온을 얻을 수 있기 때문에 대상물질을 활성화시켜 반응 속도를 크게 증가시킬 수 있다. 그런 이유로 플라즈마 장치는 종래 ... 로 물질을 가열함에 따라 고체, 액체, 기체 상태로 변하는데, 훨씬 더 높은 온도에서 얻어지는 플라즈마는 전기적인 성격을 가지므로 단순히 중성 기체와는 달라 ‘제4의 물질상태’라 ... 불린다.지구상에는 매우 적은 양의 전기 아크, 번개, 네온사인 등의 플라즈마를 제외하고는 대부분의 물질이 고체, 액체, 기체 상태로 이루어져있지만, 우주의 구성 물질은 99% 이상

리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.06.13

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이원계 합금의 제조 및 분석

방출분광법 (Inductively Coupled Plasma - Atomic Emission Spectroscopy)시료를 고주파유도코일에 의하여 형성된 아르곤 플라즈마에 도입 ... ,000K의 고온에 도입되므로 거의 완전한 원자화가 일어나 분석에 장애가 되는 많은 간섭을 배제하면서 고감도의 측정이 가능하게 된다. 또한 플라즈마는 그 자체가 광원으로 이용되기 때문 ... 에 매우 넓은 농도범위에 시료를 측정할 수 있다.ICP-AES는 유도결합전류에 의해 형성된 고온(6000K 이상)의 Ar 플라즈마에 시료용액을 분무하면 시료의 원자는 들뜨게 되

리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.06.17 | 수정일 2022.09.16

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판매자 표지

[공업화학실험] 식각실험 예비보고서

- 광학 현미경 사용5. 실험이론(1) 플라즈마 (Plasma) 란?우선 플라즈마라는 단어가 다소 낮설겠지만 네온사인이나 한여름에 소나기가 쏟아지면서 자주 발생하는 번갯불등이 플라즈마 ... 하여 적절한 식각가스와 파워를 선택하여식각 실험을 진행한다.(4) 식각된 산화막의 표면의 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용(5) 마스크 패턴의 제거 (O2 plasma ... ashing) - 플라즈마 애슁장치를 이용하여 산소플라즈마를 발생시켜서 적절한 조건에서 마스크 패턴을 제거한다.(6) 마스크 패턴을 제거한 산화막의 표면 색깔과 패턴 모양 관찰

리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.07.23

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반도체 제조 공정 (P-N Junction) 반도체 공학

-type Si Wafer SiO ₂ P olymer P olymer SiO ₂ PR Stripper PR Stripper 또는 산소 플라즈마 시스템으로 polymer 를 제거한다 ... ) 장점 : 큰 면적 증착 단점 : 1000 ℃ 이상 고온이필요한 공정 화학 증착재료 GaN ( 질화갈륨 ) 등 Metal P-type Si Wafer SiO ₂ SiO ₂ N

리포트 | 15페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.11.18 | 수정일 2013.11.21

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금속 박막증착

(Sputtering)과 증발법(evaporation)으로 나뉜다.- 화학 기상 증착(CVD) : 외부와 차단된 반응실 안에 Substate(기판)를 넣고 Gas를 공급하여열, 플라즈마 ... 와 타겟부 사이에서 플라즈마가 발생하고 플라즈마내의 Ar 양이온이 target으로 가속되어 target원자를 떼어내게 되어 반대쪽의 기판으로날아가서 박막을 형성하는 방법이다.① DC ... Sheild 크기작다 ⇒ 성막면적이 크다크다 ⇒ 성막면적이 작다Reactive sputteringRF 보다 불리함적합③ 마그네트론 스퍼터: 플라즈마를 영구자석에서 발생하는 자속

리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.08.24 | 수정일 2015.02.12

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