반도체 제조 공정 (P-N Junction) 반도체 공학

소개글

산화,식각,이온 주입,증착 단계별로 공정 과정을 그래픽화 시킴 각 공정별 특성,성장률 주의점 등

목차

1-1 실리콘 산화
1-2 실리콘 산화의 방식

2-1 광 노광 공정

3-1 선택적 식각(Selective etching)- PR제거 및 Oxide Layer제거 1
3-1 선택적 식각(Selective etching)- PR제거 및 Oxide Layer제거 2
3-1 선택적 식각(Selective etching)- PR제거 및 Oxide Layer제거 3
3-2 선택적 식각(Selective etching) - polymer(노광 된 PR Layer) 제거

4-1 확산과 이온 주입

5-1 증착을 통한 금속화 공정(PVD)
5-2 증착을 통한 금속화 공정(CVD)
5-3 금속화 공정 후 금속 식각 1
5-3 금속화 공정 후 금속 식각 2

본문내용

산화물의 역할 : 절연(부도체), 공정 중 Protector 역할
Lattice Structure는 <111>,<100>을 사용 (산화 효율이 높다)

Mask를 통과한 UV광은 PR Layer와 화학작용으로 Polymer되어 굳는다.

현상액을 도포하면 Polymer는 현상액의 부식성을 견디지만 Photo Resist는 견디지못하고 제거된다
Wafer를 120℃~180℃로 Baking한다. (접착성과 내구성 상승)

PR Stripper 또는 산소 플라즈마 시스템으로 polymer를 제거한다
- PR-Stripper(Low PH(농도 7이하):산성)

N-type Dopant Gas를 주입
SiO₂Layer부분을 제외한 부분에 집중되어 주입된다.

금속의 양측을 식각하는 이유는 주변의 Wafer와 접촉이 되기 때문이다
2. 광 노 광 공정을 MASK의 위치를 변경시켜 재 공정한다.

재 광 노광 공정 후 Gate부위에 Polymer를 남겨둔 후 BOE(Buffered Oxide Etch)용액을 도포.
※ BOE용액은 Metal 과 SiO₂모두 녹이지만 Etch Rate를 조절 Metal만을 식각한다.

참고 자료

Principles of Semiconductor Devices
Fundamentals of Semiconductor Fabrication