"고온플라즈마"의 검색결과 입니다.

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cvd 플라즈마 원리 원자 흡수 분광계 안과 수술 icp-oes ICP 레포트 진공증착 탄소나노튜브 토카막

"고온플라즈마" 검색결과 561-580 / 1,372건

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금속 박막증착

(Sputtering)과 증발법(evaporation)으로 나뉜다.- 화학 기상 증착(CVD) : 외부와 차단된 반응실 안에 Substate(기판)를 넣고 Gas를 공급하여열, 플라즈마 ... 와 타겟부 사이에서 플라즈마가 발생하고 플라즈마내의 Ar 양이온이 target으로 가속되어 target원자를 떼어내게 되어 반대쪽의 기판으로날아가서 박막을 형성하는 방법이다.① DC ... Sheild 크기작다 ⇒ 성막면적이 크다크다 ⇒ 성막면적이 작다Reactive sputteringRF 보다 불리함적합③ 마그네트론 스퍼터: 플라즈마를 영구자석에서 발생하는 자속

리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.08.24 | 수정일 2015.02.12

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플라즈마, glow방전, 진공증착법

◎ Plasma (플라즈마)1. Plasma 란?플라즈마란 기체가 고도로 이온화한 상태를 말합니다. 즉 플라즈마란 고온에서 음전하를 가진 전자와 양전하를 가진 이온으로 분리 ... 는 태양풍 속에도 플라즈마가 존재합니다.2. Plasma 상태플라즈마 상태는 밀도와 온도 이 두 가지 요소에 따라 우리주변에서도 쉽게 찾아 볼 수 있는 플라즈마 상태들 즉, 네온사인 ... 이 늘어나고 있다.플라즈마가 내는 빛을 이용하여 차세대 고선명 텔레비젼에서 요구되는 대화면(50인치)이상의 평판 표시장치의 하나인 플라즈마 표시장치 (PDP : Plasma

리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.04.04

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CVD 공정

반응 Energy ( 열 , 플라즈마 , 빛 (UV or Laser), 또는 임의의 에너지 ) Reaction chamber Gas inlet Gas exhaust Wafer ... 에 주입된 반응기체의 분해 및 박막 증착 시 열에너지를 이용하는 방법 PE CVD Plasma Enhanced CVD Photo CVD Laser 또는 자외선의 광 에너지를 반응 ... 에 주입 . CVD 분류 → Atmospheric Pressure CVD → Low Pressure CVD → Plasma Enhanced CVDAPCVD (Atmospheric

리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.31 | 수정일 2018.09.28

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플라즈마와 RF

들이 플라즈마 상태라고 하면 이해하기가 쉬울 것이다. 이중 공업적으로 이용이 활발한 플라즈마는 저온 글로우 방전 플라즈마로서 반도체 공정에서 플라즈마 식각(Plasma Etch) 및 증착 ... 다.(2) 플라즈마의 정의1. 제4상태의 물질플라즈마 속에는 전기적으로 중성인 원자들로만 이루어진 고온 기체와는 달리 서로 반대의 전하를 띤 입자들, 즉 전자와 원자핵이 뒤섞여 존재 ... 온 플라즈마주 발생원RF, Microwave, Inductive coupledDC플라즈마Bulk온도수십 ~ 수백 ℃~ 수만 ℃주용도반도체 제조, 형광등 제조 등.고온 (소각, 금속

리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.05.23

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SiC_반도체

적, 열적 특성이 우수하며 화학적, 기계적 안정성도 뛰어나 차세대 반도체 재료, 특히 고전압, 고출력, 고온 반도체 재료로서 가장 응용 가능성이 뛰어난 재료이다.4. 탄화규소 제조법1 ... 제조공정, 특히 고온 제조공정용 부품 및 치구에 많이 사용되고 있다.CVD SiC 제조에는 탄화규소의 증착에 용이한 MTS(methyltrichlortosilane, CH3 ... flow rate이다. 화학기상 증착법에는 증착하는 원료를 활성화하기 위하여 에너지를 가하는 방법에 따라 thermal CVD, plasma enhanced CVD, laser CVD

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.12

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태양전지(solar cell)

없어지는 빛의 양을 줄이고 흡수를 많이 하고, 광 경로를 길게 해주어 전류를 증가시킬 수 있다.③ 인의 열확산을 통해 n형 반도체를 형성해 줘야 하는데, 이 원리는 고온의 POCl ... 3와 O2 도가니 안에서 서로 반응하여 P2O5 층을 형성하고, 고온의 열처리를 통해 인이 Si속으로 확산되어 n층을 형성하는 원리이다.C-Si 태양전지 제작과정도핑(Doping ... 전지 제작과정⑥ Edge isolation, 옆면의 n층과 반사 방지막을 제거 해준다. 이를 제거하지 않을 경우 단락된다. 통상 플라즈마 에칭을 이용한다.⑦ 전면과 후면에 전극

리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.15

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Gas Chromatography Mass Spectrometer(GC MS 소개, 원리, 사용방법, 실 데이터 분석, 기기 작동법 및 기기사진)

되어 분리on port) Sample 은 내부에 액체나 기체상태로 주입 내부의 고온조건에 의해 액체시료를 기체로 변환 내부의 고압조건에 의해 시료가 분리관에 도달하기 전에 운반기체에 의해 ... CH3 ＋＋ CH4 → C2H5 ＋＋ H2 메탄 플라즈마에서 가장 반응성이 큰 것은 CH5 ＋이며 이것의 상대 세기를 측정 함으로써 화학 이온화의 최적조건에 도달하였는지를판단

리포트 | 44페이지 | 4,000원 | 등록일 2014.03.11 | 수정일 2014.03.18

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플라즈마 제트 절단

◎ 플라즈마 제트 절단1. 플라즈마(1) 플라즈마(Plasma)란?- 전기적인 방전으로 인해 생기는 전하를 띤 양이온과 전자들의 집단- 기체 상태의 물질에 계속 열을 가하여 온도 ... 는 플라즈마 상태로 변환한다.- 플라즈마 속에는 전기적으로 중성인 원자들로만 이루어진 고온 기체와는 달리 서로 반대의 전하를 띤 입자들, 즉 전자와 원자핵이 뒤섞여 존재한다. 따라서 ... )플라즈마 응용분야1) 저온 플라즈마- Dry etching : 플라즈마에 의해 활성화된 라디칼, 전자 등을 이용하여 etching.- CVD : Plasma를 이용하여 기상합성으로 기능

리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.01.17

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유도결합플라즈마(ICP) 이론 ppt

분광기의 원리방출 분광법 Plasma방출 분광법 플라즈마 : 원자가 이온화 되어 있는 고온의 가스ICP란?시료를 고주파유도코일에 의하여 아르곤 플라즈마에 도입하여 6,000~8 ... Contents방출 분광법과 플라즈마2ICP torch4ICP 개요33분석방법의 종류31ICP 검출한계6ICP 적용37ICP vs AA35분석방법의 종류전자기 복사선에 의한 분석 ... ,000˚K에서 여기된 원자가 바닥상태로 이동할 때 방출하는 발광선 및 발광강도를 측정하여 원소의 정성 및 정량분석에 이용하는 방법ICP-AESICP 개요ICP 개요Torch플라즈마

리포트 | 29페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.11.18

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고려대학교 재료공학실험1 진공 증착기를 이용한 Ohmic Contact 형성용 Metal 박막 증착(예비보고서)

플라즈마 스퍼터링 기술은 정밀도, 균일성, 수축에서 0 사이의 장력으로 스트레스 제어 같은 요구된 결과로 큰 개선을 시연하였고 기판 위의 표면차 측정은 대략 50/60cm이다. 선형타겟 ... 다. 휘이트스토운 브리지에서는 그림과 같이 4개의 저항이 연결되어 있고 그 중 하나의 용량을 모를 때 사용된다. 따라서 이 알고자 하는 저항대신에 고온 filament를 대치해 넣 ... 으면 된다. 이렇게 하면 진공 용기에 연결된 튜브 속의 고온 filament가 압력 P에 비례하여 기체분자들에 의해 열을 빼앗기면 저항의 감소가 유발된다. 따라서 이 저항의 변화

리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.07.16

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의료 폐기물

화학약품으로 처리한다.④ 방사선 이온법원자핵 분열에서부터 나오는 알파, 베타, 감마선이나 x-선 등을 이용하여 병원 균을 죽이는 것이다.⑤ 초고온 플라즈마 용해법이 방법은 초고온 ... 플라즈마(아크 첨단부 5,000℃, 로내온도 1,500℃)를 용융해 주사침, 각종용기, 검체 등의 감염성을 고온으로 용해하는 것이다.*의료폐기물의 위험성*① 발생 시 감염의 위험 ... 와 고온(800～1500℃)에서 운전되어 병균의사멸에 효과가 크기 때문에 각 의료기관에서 많이 사용되고 있다.③ 화학적 소독법의료 폐기물을 분쇄하여 세균을 죽일 수 있는 염소가스 등

리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.05.07

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판매자 표지

멸균방법

, petroleum생성물, powder같은 물품의 멸균에 주로 이용ⅱ) 매우 느린 전도에 의한 열흡수 과정으로 미생물을 파괴하므로 고온이 요구됨b) 장점ⅰ) 부식성이 없어 날카로운 기구, 바늘 ... 하여 진공상태를 만들고 증기와 혼합된 포르말린 가스가 접촉하여 통과함으로써 멸균이 됨ⅳ) 다른 멸균법보다 복잡하고 덜 효과적3) Sterrad(스테라드) 멸균 (Plasma 멸균 ... )a) 방법ⅰ) Sterrad는 Plasma를 chamber내에 방출시켜 chamber내에 확산되어 있는 H2O2분자를 이온화시켜 gas plasm 상태로 만들고 H2O2의 궤도

리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.10.02

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박막증착 장비의 종류 및 원리, GaN LED

에 플라즈마나 빛에너지도 사용되며 이런 경우는 플라즈마 (Plasma) CVD 또는 광(Photo) CVD 라고 합니다. 이러한 CVD는 현재 상업적으로 이용되는 박막제조 기술 중 가장 ... 는 화학적 기상도금 또는 화학증착이라고 하는 고순도 고품질의 박막을 형성하는 기술로 저온에서 기화한 휘발성의 금속염(Vapor)과 고온에서 가열된 도금할 고체와의 접촉으로 고온분해 ... , 고온바응하고 여기에 광에너지를 조사시켜 저온에서 물체표면에 금속 또는 금속화합물층을 석출시키는 방법으로 화학 Gas들의 화학적 반응방법을 이용하여 막을 증착시키는데 이때

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.11.30

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핵융합발전(인공태양-KSTAR)

+ 에너지핵분열과 핵융합핵융합 초고온의 “플라즈마” 상태⇒ 경량의 원자핵간 융합 ⇒ 중량의 원자핵⇒ 에너지 변환핵분열과 핵융합1,080배의 가격차이100% 안전 (3~5초간 가동연료 ... % 플라즈마로 구성) 원자핵은 1억℃이상의 고온에서 반발력을 상실 - 핵융합이 가능핵융합의 조건1억℃의 플라즈마 용기(장치) 자기력선 그물망 ( 플라즈마가 자기력선에 감기는 속성 ... 중수소, 삼중수소우라늄, 플루토늄연료핵융합 E 사용핵분열 E 사용개념핵융합 발전원자력 발전구분핵융합의 조건1억℃의 플라즈마 필요(환경) 플라즈마 상태(물질의 제4상태) 우주(99

리포트 | 26페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.04.10

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플라즈마

플라즈마는 수만도 정도의 온도와 109 ~ 1010 /㎤의 밀도를 갖는 저온 글로우 방전 플라즈마와 수천만도 이상의 온도와 1013 ~ 1014 /㎤ 의 밀도를 갖는 초고온 핵융합 ... 플라즈마로 크게 구별할 수 있다. 이중 공업적으로 이용이 활발한 플라즈마는 저온 글로우 방전 플라즈마로서 반도체 공정에서 플라즈마 식각(plasma etch) 및 증착 (PECVD ... ■ 플라즈마의 정의◎ 이온화한 기체◎ 물질의 제 4 상태◎ 번개, 아크, 네온사인, 태양, 오로라 등◎ Electrons, Electrically charged ions

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.03.24

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인공 다이아몬드

다이아 응용- 열적적 특성의 응용- 기계적 특성의 응용- 광학적 특성의 응용- 다이아 몬드가공과 전기적특성 응용Ⅱ-3 광학적 이용-코팅 방법- 물리적 코팅(PVD)- 플라즈마 코팅 ... 시키는 방법이다.1. 전자 빔 원2. 알곤3. 반응 가스4. 코팅할 부품5. 코팅 재료6. 도가니 (양극)7. 저 전압 아크 방출원8. 진공 펌프4.2 플라즈마 코팅- 소개?low ... -pressure glow discharge를 이용함으로써 화학반응을 촉진시키고, 열적 반응만 있을 때보다 더 낮은 온도에서 plasma-assisted 반응을 가능하게 하

리포트 | 44페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.12.07

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특수가공

가 용접에 사용된다.플라즈마(plasma)가공통상의 전극과 원통상의 전극 사이에 아크를 방생시키고 그 주위에 고속기류의 가스를 통과 시키면 가스는 아크열로 이온화 되고(가스 ... 의 플라즈마 상태) 고속, 고온의 난류가 발생된다. 이것은 플라즈마 용접 및 절단에 사용된다.원리-플라즈마 토치는 가스가 아크 킬럼에 밀접하게 전근되도록 설계되어 있다. 아크 가스는 아크 ... 작아진 효과)이렇게 하여 전류밀도가 증가하여 온도가 높아지고 압력도 상 승하여 가스의 불출작용과 함께 플라즈마는 노즐 전극의 작은 구멍에서 고속으로 외부로 분출한다.전기 광학적 가공

리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.11.29

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CMOS 집적회로 제작공정

수 있음?불화수소산에 의한 에칭은 등방향으로 진행, 마스크 아래까지 에칭이 됨. 실리콘 질화막은 뜨거운 인산사용?플라즈마 에칭 - 진공 시스템 내에서 고주파, 여기에서 생성된 가스 ... 플라즈마에 의해 수행, 가장 많이사용가스 플라즈마에는 실리콘 산화막을 에칭시키는 불소나 염소가 포함되어 있음?스퍼터에칭 - Ar+같은 고에너지의 불활성 가스 이온을 웨이퍼 표면 ... 에 충돌시켜 물리적인 에칭 실시?플라즈마/스퍼터 에칭은 비등방향의 에칭을 얻고, 소량의 반응가스를 사용하므로 폐기물오염을 감소?에칭이 끝나면 PR제거 용액을 사용하여 제거하거나 산소

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.19

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plasma

- Plasma -1. Plasma 란?플라스마라는 말이 등장하기 전에는 플라스마 상태를 제4의 물질상태라고 불렀다. 1879년에 크루크스는 방전기체의 여러 가지 현상을 조사 ... 던 기체 분자나 원자들이 전자를 이탈시키면서 전리되어서 전리기체인 플라스마 상태를 이룬다. 플라즈마란 전리된 기체 형태로서 양전기를 띈 이온과 음전기를 띈 전자가 거의 같은 밀도 ... 로 분포되어 있어서 전체로 전기적 중성을 유지하면서 고르게 분포되어 있는 하전인자 집단을 가리킨다.2. 주위의 Plasma플라스마는 그 발생조건이 까다롭기 때문에 지구 위의 물질상태

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.10.31

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용접의 종류와 설명

와같은도의 고온데 도달한다. 플라즈마는 전자와 이온이 거의같은 수로 합성된 이온화된 고온가스이다.?플라즈마아크용접의 두 종류▶전달식 아크용접피용접물이 전기회로의 일부분이 된다. 따라서 ... 한다. 이때 음극과 양극 사이 부분을 아크주(arc column) 또는 아크 플라즈마라 한다.아크주는 5,000~50,000℃의 높은 온도로 되고 주위의 실온 가스보다 비중이 적으므로 이 ... 한다.?해리 : 분자들이 고온의 아크내에서 전체적으로 또는 부분적으로 분리되는 현상N2 → N + NH2 → H + HCO2 → CO + O?이온화 : 위에서 해리된 원자들이 전자와 결합

리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.05.22 | 수정일 2018.03.28

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