"고온플라즈마"의 검색결과 입니다.

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cvd 플라즈마 원리 원자 흡수 분광계 안과 수술 icp-oes ICP 레포트 진공증착 탄소나노튜브 토카막

"고온플라즈마" 검색결과 481-500 / 1,373건

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반도체 공정의 이해

고 흐트러지게 된다 . 따라서 고온에서 ( 1000 이상 ) 가열하게 되면 손상을 입은 Si 격자가 다시 복구되며 ( annealing ), implant 된 불순물들을 Si 의 s ... ( Low pressure CVD ) PECVD( Plasma Enhanced CVD ) Wet Oxidation Dry Oxidation PR( photoresist ) A Si ... 나가서 차가운 기판위에 부딪히게 해서 운동에너지를 잃게 한후 기판위에 증착시키는 방법 . wafer 를 고온으로 가열시킬 필요가 없어 기존의 metal line 등이 형성되어있

리포트 | 29페이지 | 3,500원 | 등록일 2011.11.18

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마이크로 표면측정2

어 `제 4의 물질 상태`로 불리어지며 이러한 상태의 물질을 플라즈마라고 한다.b) Plasma 표면개질플라즈마의 고온과 활발한 화학적 성질은 종래의 방법으로 얻기 어려운 극한 환경 ... 에서 개발한 고온, 고압법이 주로 쓰여져 왔으나 80년대초에 소련에서 메탄가 스 플라즈마로부터 저압에서 다이아몬드를 박막 형태로 얻어질 수 있다는게 밝혀져 이 를 이용한 반도체 소자 ... . 이렇게 쿼럼을 센싱하여 박테리아를 포획 하면, 항생제 없이 몇몇 종류의 박테리아를 조종하여 박테리아를 유용하게 이용할 수 있게 된다.5) Plasma에 대하여 간략하게 조사하시오

리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.06.24

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무균술과 소독법

열흡수 과정으로 미생물을 파괴하므로 고온이 요구된다.? 적용 : 일반적으로 증기가 통과하지 못하는 물품 (Oil, Powder, Jelly 등)? 장점 : 부식성이 없어 날카로운 ... . Plasma 멸균 (Sterrad 멸균, Hydrogen Peroxide Plasma/Vapor Sterilization): Plasma를 chamber 내에 방출해 c ... hamber 내에 확산되어 있는 H2O2분자를 이온화시켜 Gas plasma 상태로 만들고 H2O2의 궤도를 벗어난 free radical이 미생물의 세포막과 효소, 핵산과 반응하여 미생물

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.05.14

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[발광디스플레이 실험] Sputtering

와 반응성이 없어야 하며 끓이는 과정이 있으므로, 고온산화 등에 강하고, 독성이 없어야 한다.Sputtering고 에너지를 가진 입자를 이용해 증착 시키고자 하는 물질의 표면을 이온 ... puttering 가스를 진공상태의 chamber내로 주입하여 플라즈마를 생성 시켜 고 에너지를 가지게 하고, 이 플라즈마 상태의 가스가 target물질과 충돌 후 target 물질이 s ... 를 플라즈마 상태화 한다.13. 본 실험의 경우 과다한 양의 Ar기체가 평형 상태 유지를 위해 빠져 나가게 되어, chamber 내부에 소량 남게 되므로 플라즈마가 형성되지 못하

리포트 | 8페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.01.01

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[공업화학실험]반도체 식각 실험 결과

이나 Glass같은 물질을 깍아 낼수 있다. 그런 현상이 플라즈마 식각이다.6.전체 공정위 과정을 여러 번 반복적으로 수행하여 원하는 패턴모양을 제작할 수 있다.산화막(SiO2)형성 : 고온 ... 를 사용하여 적절한 식각가스와 파워를 선택하여식각 실험을 진행한다.(4) 식각된 산화막의 표면의 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용(5) 마스크 패턴의 제거 (O2 plasma ... ashing) - 플라즈마 애슁장치를 이용하여 산소플라즈마를 발생시켜서 적절한 조건에서 마스크 패턴을 제거한다.(6) 마스크 패턴을 제거한 산화막의 표면 색깔과 패턴 모양 관찰

리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.10.02

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Pulsed Laser Deposition

시킨 짧은 파장(높은 에너지)의 펄스 레이저를 쏘아 튀어나오는 플라즈마가 target과 마주보고 있는 고온의 기판에 묻어 결정화되는 것을 이용하는 실험법이다. PLD 방법은 타겟

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.01.17

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분말야금실험

을 매끄럽게 하여 조도 상승6. Finished (완제품)◈ 공정별 주요 관리 항목 'SPS (Spark Plasma Sintering)'이란?방전플라즈마 소결(Spark Plasma ... 실험제목분말야금법을 이용한 합금 제작 및 경도&밀도 측정실험도구Al?Fe 의 분말가루(20g), 통전활성소결장치(SPS : Spark Plasma Sintering system ... Sintering)이라는 것은 분말 재료에 압력과 저전압 및 전류를 걸어서 고품질의 제품을 단시간에 소결하는 것이다. 방전플라즈마 소결은 종래의 열간압축법(Hot Press)에 비

리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.12.06

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세라믹8조탄소나노튜브

. * T-CVD 에 의해 생성된 CNT 의 SEM 사진 * T-CVD 에 의해 생성된 CNT 의 TEM 사진플라즈마 화학기상증착법 (Plasma CVD) 열화학 기상증착법과 유사 ... 성 전기적 특성 - 구조에 따라 도체 또는 반도체 특성을 보임 - 전기 전도도가 매우 높음 열적 특성 - 열적도도가 높아 열 방출이 용이 - 고온에서도 잘 견딤 기계적 특성 - 강철 ... 튜브의 합성 기술 전기방전법 (arc-discharge) 레이저 증착법 (Laser vaporization) 열 화학기상증착법 (Thermal CVD) 플라즈마 화학기상증착법

리포트 | 30페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.06.08

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공주대 반도체제조공정 중간고사 족보

]▶lpcvd[단점:증착률이 낮고, 높은 온도가필요][고온산화물]▶plasma assisted cvd[장점 :저온에서 고속증착][단점:불순물 문제가 생김]▶lpcvd 리액션챔버:1 ... 시스템의 분자의 개수를 줄이고 가스를 밖으로 이동3.분자의 충돌 사이의 거리를 연장:스퍼터링 및 에칭 등 반도체 공정에 필요한 플라즈마를 만들기위한 필요 조건4.가속반응:진공은 증기 ... 를 연마를 통해 개선------------------------------------------------▶thermal processessilicon:고온공정(700~1200도

시험자료 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.11.08

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MHD발전

기 펠렛은 순간적으로 초고온ㆍ고밀도의 플라즈마로 되어 표면부터 팽창하기 시작하는데, 플라즈마가 완전히 팽창ㆍ확산하기 전의 아주 짧은 시간 안에 핵융합반응이 일어나도록 한다. 이 ... Magnetic Trap), 후자의 개방형 구조를 자기거울(Magnetic Mirror)이라 부르는데 고온플라즈마 밀폐의 기본이 되는 구조이다. 형태에 관련된 분류 외에도 밀폐 ... ---------------------------------------4~5Page-플라즈마 저장 장치----------------------------------------- -

리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.12.03

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재료 공학의 전반적인 내용 정리 !!!

하여 뭉치는 반응을 이야기합니다. 태양도 이런 반응을 통해 에너지를 생산하고 하고 있는 것이죠. 지구에서 이런 핵융합에너지를 얻기 위해서는 1억도 이상의 초고온 플라즈마를 만들어야 하 ... 고, 이 플라즈마를 가두는 핵융합장치와 연료로 쓰일 중수소와 삼중수소가 필요합니다. KSTAR라는 핵융합장치는 이 같은 초고온의 플라즈마를 진공용기 속에 넣고, 자기장을 이용 ... 해 플라즈마가 벽에 닿지 않게 가두어 핵융합반응이 일어나도록 하는 역할을 하는 것이죠.핵융합장치는 이처럼 태양에서와 같은 원리로 에너지를 만들어 낸다고 해 ‘인공태양’이라 불리는 것

시험자료 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.12.02 | 수정일 2017.08.21

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8. PLED 소자 제작(예비)

계 고분자4) 금속전극 증착공정전극막의 형성은 유기박막의 형성 후 진행이 되는데 저온에서 플라즈마 등에 따른 막의 손상을 가급적 피해야 하고 낮은 일함수를 가진 활성금속재료를 사용 ... 이 필요하다. 또한 금속재료는 450 ℃～1200℃의 고온에서 증발되므로 증발원의 복사열에 이미 형성된 유기박막이 손상을 입을 가능성이 존재하기 때문에 기판의 온도 상승을 80

리포트 | 39페이지 | 2,500원 | 등록일 2016.04.06

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6장 멸균과 소독

-170℃ 에서 1 시간 - 유리기구 , 금속류 , 파우더 , 기름 , 플라스크등 멸균 고온에서 안정된 내열성 물질 소독 자비소독 (Boiling) 100℃ 에서 아포 (spore ... (hydrogen peroxide vapor) 저온 플라즈마 멸균 , 독성이 없음 , 섬세한 기구의 소독 화학적 멸균제방사선 4) 자외선 (Ultraviolet light) 5

시험자료 | 32페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.03.31

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플라즈마에 관하여

를 개선하는 효과를 낼 수도 있다. 플라즈마가 내는 빛을 이용한 플라즈마표시장치(PDP:Plasma Display Panel)는 산업전반에 폭넓게 사용되고 있는데 대표적인 것이 PDP ... ~ 1014 /㎤ 의 밀도를 갖는 초고온 핵융합 플라즈마로 크게 구별할 수 있다. 이중 공업적으로 이용이 활발한 플라즈마는 저온 글로우 방전 플라즈마로서 반도체 공정에서 플라즈마 ... 플라즈마기체 상태의 물질에 계속 열을 가하여 온도를 올려주면, 이온핵과 자유전자로 이루어진 입자들의 집합체가 만들어진다. 물질의 세 가지 형태인 고체, 액체, 기체와 더불어 '제

리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.31

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박막증착

를 일컫는다.(1)다이오드/마그네트론 스퍼터링초기의 다이오드 스퍼터링 소스는 plasma 최적화를 위해 전기장모양으로 만들어진 target을 사용했다. 그러나 다이오드의 비효율성과 복잡 ... 한 Target 모양때문에 대부분 target근처에 자기장을 갖는 소스로 대체됐다. 세 가지 중요한 효과는 - target모양이 디스크, 튜브 또는 직사각형이라는 것, plasma ... 들을 따라 나선형으로 상승하는 원자들은 plasma로부터 손실되지만 유전체 기판에는 효과적일 수 있다. 전자는 기판의 근처에서 공정가스들을 이온으로 만들어낸다. 게다가 기판을 치는 이러

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.05 | 수정일 2013.12.01

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반도체소자와공정-1

MaterialPolycrystalline semiconductorWaferSingle crystalCzochralski법으로 만들어진 Ingot잘려진 wafer2) 산화 공정고온(800~1200 ... 사용되며 빠른 패턴 전사를 위해 사용된다. 그러나 마스크 바로 아래 층을 깎아내기 때문에(등방성) 식각표면에서 분해능이 떨어진다. 건식 식각 1) 플라즈마를 이용하여 wafer ... 하는 것이다. 확산 공정이란? 고온의 석영 튜브 노(furnace)에 반도체 wafer를 넣고 원하는 dopant가 포함된 혼합가스를 통과 시킴으로써 이루어 진다. 속도는 빠르

리포트 | 21페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.04.21

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플라즈마란

1.플라즈마플라즈마는 이온화된 기체를 지칭하며, 기체가 수만도 이상의 고온이 되면서 만들어지기 시작하고, 보통의 기체와는 매우 다른 독톡한 성질을 갖기 때문에 물질의 제 4 ... 들이 모두 플라즈마 상태에 있으며, Big Bang 이론에 의하면 우주의 탄생이 온도 1032도, 밀도 10100 g/cm3의 초고온, 고밀도의 플라즈마 달걀로 부터 대폭발을 함 ... 된다. 금속의 추출에 저온 플라즈마를 응용하는 것은 매우 특별한 경우이고 열역학과 반응 속도론적으로 볼 때 플라즈마 기술은 고온에서 작업하여야만 하는 흡열반응에 응용하는 것이 매우

리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.07.09

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인공광원의 종류 및 특성

램프387. 글로우방전등 408. 크세논램프 429. 탄소아크등 4310. 지르코늄 방전등 4411. EL 램프 4512. 무전극 램프4713. PLS(Plasma lighting ... 의 구조 및 원리1) 원리필라멘트에 통전→전기저항에 의한 발열→고온의 필라멘트에서의 온도방사2) 구조① 유리구 : 소다석회유리(연질), 붕규산유리(경질)② 필라멘트: 텅스텐 2중코일 ... , 도즈마중에 환형의 전류유도→에너지공급수십[KHz]-수십[MHz]의 RF전원을양단 외부 전극에 가할 때 전극사이전장에 의한 기체 이온화로 방전유지특징BULLET 플라즈마와 직접접촉

시험자료 | 68페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.08.18

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MEMS 기술과 나노기술을 이용한 마이크로(유비쿼터스)

을 식각g : 가스 등을 이용하여 박막을 식각하는 방법장점 : 비등방성 식각이 가능함종류 : Plasma etching, Sputter etching, Reactive-Ion ... : 식각을 원하는 곳에 이온을 충돌시켜 식각하려는 물질을뜯어내는 방법Reactive Ion etching : Plasma와 Sputter etching의 장점을 살려 높은선택비 ... : Predeposition → Drive inPredeposition : Dopant를 Si wafer에서 원하는 위치에 주입Drive in : 고온처리를 하여 표면에 있는 dopant

리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.12.06

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플라즈마 개념정리

에서는 13.56MHz 를 RF라고 칭함.→ RF Plasma in CVD process▶일반적으로 열플라즈마의 경우 DC를 사용하게 됨. ▶DC 방전은 방전기체가 수천도 이상 되는 고온 ... 가 혼재된 상태가 되는데 이를 플라즈마라 함.Notion of Plasma온 도고체액체기체플라즈마Generation of Plasma→ 플라즈마 형성은 왼쪽의 A,B,C 세가지가 복합 ... 를 여기 시킴. 이때 여기된 전자가 다시 안정한 궤도로 돌아오며 고유의 에너지 간격에 해당하는 빛에너지를 발산.ABC● 전자○ 이온Kind of PlasmaPlasma고온 Plasma

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.02.03 | 수정일 2018.09.28

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