"고온플라즈마"의 검색결과 입니다.

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cvd 플라즈마 원리 원자 흡수 분광계 안과 수술 icp-oes ICP 레포트 진공증착 탄소나노튜브 토카막

"고온플라즈마" 검색결과 741-760 / 1,372건

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부종에 대해

의 증가 (increased hydrostatic pressure)② 혈장 삼투압의 감소 (decreased osmotic pressure of plasma)③ 나트륨 축적 (s ... , 원충, 기생충 등 감염질환을 일 으키는 인자들.고온, 저온, 방사선, 자외선, 적외선(열선), 외상 등.산, 알칼리와 같은 단순 화학독이나 제초제와 같은 유기독 등.항원.항체 반응

리포트 | 22페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.07.30

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정보디스플레이 유기발광다이오드(EL) 정리 레포트

을 위한 플라즈마 공정실과 클러스터 형태로 중앙에 공통의 챔버를 두고 주위에 여러 증착실을 갖추어 다층 유기박막을 번갈아 장입하면서 효과적으로 유기 박막과 전극을 형성하는 클러스터 ... 하고자 하는 재료를 소량 고온측에 두고, 캐리어 가스에 의해 유기분자를 승화시켜 저온쪽으로 이동시킨다. 이때 온도구배에 의해 순수물질과 불순물의 석출온도 차이를 이용하여 불순물

리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.04.03

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TFT와 FET 그리고 둘의 차이점

에 쓰이는 Magnetron Sputtering은 DC 플라즈마를 이용하며, Source Target의 둘레와 뒤쪽에 자석을 설치한 다이오드 구조에서 발생하는 자계(Magnetic ... Field)가 Ar을 여기 시키는데 방해가 되는 2차 전자(Secondary Electron)를 격리시키며, 플라즈마 조정을 용이하게 하여 증착 효율을 높일 수 있다.반응성 스퍼터링 ... 을 증착하는 CVD는 반도체막이나 절연막의 형성에 사용되며, 기체 화합물의 분리를 위하여 플라즈마 Source를 사용하는 PECVD는 온도 의존성이 있는 유리 기판의 제약성 때문

리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.04.06

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[공학]플라즈마의 첨단기술 응용분야

를 갖는 초고온 핵융합 플라즈마로 크게 구별할 수 있다.이중 공업적으로 이용이 활발한 플라즈마는 저온 글로우 방전 플라즈마로서 반도체 공정에서 플라즈마 식각(plasma etch) 및 ... 확대되고 있다.▷ 신소재 합성 - 종래의 초고압, 고온에서 얻어지던 인조 다이아몬드가 플라즈마를 이용한 기상 증착법에 의해, 특히 박막 형태로 얻어지고 있으며, 이종 기판상 단결정 ... 성분과 전류, 전원 조건에 따라 플라즈마 코팅막의 특성이 달라진다.산화 플라즈마 코팅의 대표적인 기술인 플라즈마 전해산화 피막처리(PEC; Plasma Electrolyzer

리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.23

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핵융합에너지

는(NFRI) 6일 미국 오크리지 국립 연구소(ORNL)와 핵융합 및 플라즈마 연구 분야의 기술 교류와 상호협력에 관한 협약을 체결했다고 밝혔다.양 기관은 상호협력협약 체결에 따라 연구 ... 로 변한다. 결국 하나의 헬륨 핵을 만들기 위해서 네 개의 수소 핵이 필요한 셈이다.핵융합 에너지를 얻는 방법지구상에는 태양처럼 핵융합 반응이 일어날 수 있는 초고온, 초고압 상태는 존재 ... 하지 않는다.그래서 자기장이나 레이저를 이용해 태양과 같은 환경을 인공적으로 조성하는 `핵융합로`가 필요한 것이다.우선 플라즈마 발생을 위해 핵융합 장치 내부를 완벽한 진공상태

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.12.10

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ICP-MS를 이용한 원소분석, 헬름홀츠 코일을 이용한 비전하 측정

이 담겨있는 용기로 옮긴다. 관을 통해 기기로 들어간 용액은 고온의 플라즈마에 의해서 이온화되고, 이렇게 분석하여 얻은 데이터에서 각 원소별로 분석된 CPS값을 이용하여 mix에 들어있

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.10

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탄화규소

SiCl4CCl4C7H8 (Toluene)고온 수소 기류중 합성at(2200~2700℃)SiCl4 +CCl4 orC7H8 (Toluene) → β-SiCorSiO2(플라즈마) + 탄소 ... bideSiC란?최근에는 고전압 반도체 , 보석1970년도 부터 구조세라믹 재료로 연구개발이 현재까지도 진행고온가스터빈,베어링,전자회로 기판..등등최초의 SiC 제품 1893 ... (메탄) → α-SiC메틸 트리클로로실란 플라즈마 분해 → 미세SiC(실란 + 프로판 + 수소 + 염소 )gas → β-SiC..PAGE:15Silicon carbide기상 합성법

리포트 | 22페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.06.08

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반도체공정기술

로는 - Positive PR : 빛을 받은 부분이 Deverop됨.Negative PR : 빛을 안받은 부분이 Develop됨.3.ETCH용어·DRY ETCH:Gas나 Plasma ... )·DEPOSITION:화학반응을 이용하여 박막을 Wafer표면에 붙도록 침적시켜 놓는 과정·DIFFUSION:반도체 제조공정중 고온의 전기로 내에서 Wafer에 불순물을 확산시키는 과정 ... 하여 표면 밖으로 튀어나오는 현상·SPUTTER:Sputtering현상을 이용하여 Wafer표면에 막을 형성시키는 것·PLASMA방전:기체,고체,액체 상태의 Source가 고에너지를 받

리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.09.12

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판매자 표지

세포막의 구조와 역할

을 유지할 수 없다. 원형질막(세포막, plasma membrane, cytoplasmic membrane)이 이러한 분리 기능을 담당한다. 원형질막은 그람음성세균의 세포 외막과 유사 ... 은 고온균의 원형질막은 낮은 온도에서 유동성이 없어지기 때문에 물질의 운반 등 원형질막의 기능이 낮아진다.(3) 기능원형질막은 다음의 기능을 가지고 있다.1) 원형질을 외부로부터 격리 ... 정도의 낮은 산성조건과 90℃ 이상의 고온에서 살아가는 원시세균)는 보통의 원핵세균의 지방산보다 2배 정도 긴 사슬의 가지화된 탄화수소를 가진다. 고농도의 염분환경에서 살아가

리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.11.25 | 수정일 2022.12.08

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ICP예비레포트

방전에 의해 아르곤 이 온과 전자를 생성된다. 이때 생성된 전자를 seed전자라 하며 일단 생성된 전자는 유도된 전하장하에서 계속적인 에너지를 받으면서 플라즈마 전체에 확산 ... 되어 ICP가 유지된다. 즉, ICP는 유도코일에 의해 유도된 전자장이 결합 된 플라즈마를 의미 한다. 플라즈마가 생성되면 에어로졸 상태의 시료 용액을 시료운반 기체에 실어 torch의 중 ... 심 관으로 넣어 플라즈마의 중심부를 관통케 함으로써 시료원자를 발광 시킨다.? 반지름 세기와 측면세기스펙트럼선의 세기는 플라즈마 중심부 중에서 감도가 좋고 방해영향이 적은 지역

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.06.23

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반도체공정순서 및 박막 증착법

에피탁시는 특별한 종류의 박막 증착법입니다. 에피탁시란 고온에서 단결정 실리콘위에 수증기로부터 단결정 실리콘 층을 성장시키는 것이죠, 3가 염화물 혹은 4가 염화물(SiCl4 ... 에 진공을 만들고 원하는 진공상태에서 보트에 전원이 공급되면 금속이 증발하게되는 것이지요.스퍼터링(Sputtering) :스퍼터링에서는 이온을 생성하기 위해 플라즈마를 사용 ... 하는데, 플라즈마 내에서 생성된 이온들로 하여금 웨이퍼에 달라붙게 하는 것입니다.우선 플라즈마를 생성하기 위해 아르곤(Ar)가스 분위기에서 캐소드 쉴드를 사용합니다. 소스 물질과 기판은 그림

리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.09.25

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[기업분석] 주성엔지니어링 vs 쏠리드 재무제표분석 (2008~2010)

,저압화학증착장비,고온플라즈마,선택적 에피성장장치,탄탈룸옥사이드공정장비 제조수출비중52.0%쏠리드- 기업소개대표이사정준/이승희구상호쏠리테크설립일1998.11.05상장일2005.07

리포트 | 35페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.05.03

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[공학기술]플라즈마의 첨단기술 응용

1.플라즈마의 정의 및 응용분야1)플라즈마의 정의물질의 상태는 고체, 액체, 기체, 플라즈마 상태(제 4의 상태)가 있다. 물질 중 가장 낮은 에너지 상태는 고체이다. 이것이 열 ... 들이 다수가 모여 군집 활동을 하며, 전체적으로 전기적인 성질이 중성으로, 즉 이온들의 수와 전자들의 수가 거의 같은 수로 존재하는 경우(준 중성 상태), 이를 플라즈마라 정의 ... 한다. 따라서 전자 혹은 이온빔은 하전 입자들의 모임이나 플라즈마라 정의 할 수 없다. 일반적으로 산업용 플라즈마에서 이온화율 즉 실제 플라즈마는 전체에 1%미만으로 통상 사용

리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.05.29

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쏠리드 vs 주성엔지니어링 기업분석 (재무분석,회계자료,swot분석,경영분석) (2008년~2010년)ppt

,저압화학증착장비,고온플라즈마,선택적 에피성장장치,탄탈룸옥사이드공정장비 제조수출비중52.0%요약 BS, 요약 IS2기업 소개Company Logo쏠리드 -요약 B/S , I

리포트 | 22페이지 | 4,000원 | 등록일 2012.05.03

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ion plating

,000℃ 이상의 고온에서 증착시켜 온 TiC막을 500℃ 이하에서도 증착할 수 있어 크게 주목을 받았다. ARE법은 저온 플라즈마 중에서 금속과 반응가스를 이온화하여 각종 화합물 ... 가 플라즈마 속을 통과하면서 이온화하고 sputter와 같은 고에너지를 가지고 도금이 되므로 도금속도도 크고 밀착도 좋으며 뒷면에도 도금이 된다. 즉, 이온을 사용한 도금이라고 하 ... 다.현Plating의 기본Process그림2는 플라즈마 법에 의한 Ion Plating의 기본구성이며 막 형성은 다음의 세가지 주요 프로세스를 통해 이루어진다.? 진공증착과 마찬가지

리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.01.02

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소각로의 종류와 특징

)건설비회전로 형태유동층 형태스토커 형태구 분새로운 소각 기술열분해 용융 방식 플라즈마 용융 방식 고온 소각방식1.열분해 가스화 용융소각로TS식 열분해 용융시스템 TS식 열분해 ... 에 태워 기체 중에 고온 산화시키는 쓰레기 처리방법, 소각처리라고도 한다. 폐기물 관리체계 중 중간처리 과정의 하나이며 화학적 방법에 속한다.소각의 장점폐기물의 감량화 - 폐기물 ... 되고 국부가열이 발생될 우려가 있다. - 과잉공기비가 1.6 - 2.5로 높은 편이다. - 배기가스 배출량이 많다. - 고온 중에서 기계적으로 구동하므로 금속부의 마모가 심하다.화격자

리포트 | 37페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.08.31 | 수정일 2018.10.08

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pvd와 cvd

모재의 표면에 충돌하면서 증착되는 방법Ion Plating Process코팅될 물질을 어떤 방법에 의해 기화시키고, 이 기화된 원자를 Plasma 내에서 이온화 시킨 다음, 모재 ... 분야와 원자력. 반도체. 전자공학과 관련된 산업분야에서부터 장식용의 실용적인 부분에까지 광범위하게 응용되고 있다. 최근에는 재료의 다양한 특성, 예를들면 고온강도, 충격강도 ... 보다 최근 전기방전 플라즈마 활성화에 의해 보다 낮은 기판온도에서 증착 될 수 있어 예로, 실란(silane)으로부터 10~35m/0 수소가 고체 도금층에 남아 결합된 채로 비정질

리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.09.28

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수의외과 소독과 멸균

, 적혈구 파괴등을 일으킴Category 1 carcinogen: 태아 기형 유발환경적으로 해로운 CFC12를 사용플라즈마 멸균볍(plasma sterilization): 저온 멸균법 ... 는 가연성, 폭발성의 액체로 이산화탄소나 프레온과 섞으면 효과적인 멸균제가 됨, 알킬화를 통해 미생물의 DNA를 변형시킴.증기멸균법의 고온과 증기를 견디지 못하는 장비들(내시경, 카메라 ... 으로 고온에 민감한 기구 멸균하는데 사용활성화된 이온, 전자, 중성 원자 입자를 사용하여 멸균증기 과산한수소 멸균법: 빠르고 효과적낮은 온도(50°C이하)에서 짧은 시간 동안(45분

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.03

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금속의 성질과 부식

을 함유하는 경우가 많다.안정화1)부식인자제거①NaOH ②LiOH ③sodiumsesquioarbahate ④sodiumsulphide ⑤H Plasma ⑥soxhilet 장치 ... .85나 고온에선 자성이 약해지고 비중 7.8-펠라이트 : 탄소가 0.8%, 경도 220, 723도에서 공석점 형성, 적층모습, 시멘타이트, 시먼라이트 접촉-오스테나이트 : 감마고용체 ... : 레데부라이트-공석체 : 펄라이트-화합물 : 시멘타이트②탄소강의 성질대량생산 용이, 가격이 저럼, 기계적 성질이 우수. 상온 및 고온에서 가공성이 좋음. 열처리에 의해 강의

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.01.18

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Type별 Scrubber 원리 및 반도체 공정,반도체 Gas 특성

하여 배출시키는 장치Type별로는 Wet Type, Dry Type, Thermal Wet Type, Burn Wet Type, Plasma Type 등이 있음［Burn-Wet Type ... / 한계로 인해 PFCs의 처리가 불가 능함장＊단점Type별 Scrubber［Plasma-WET］순환 pumpN2 InletWet 처리Water tankPFCs InletGas ... OutletDrainN2를 주입하여 Thermal Plasma를 발생시킴 으로써 PFCs를 처리하고, 재결합 방지부를 거쳐 후단의 Wet Scrubbing으로 수용성 Gas를 처리

리포트 | 23페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.02.26

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