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중앙대학교 공통이미터 전기회로 기초전자회로실험 전자회로설계실습 전기회로설계실습 전원의 출력저항 mosfet의 특성 측정 공통소스증폭기 rlc 인덕턴스
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"ssamchoo... ... C ... ...... MA ... .... ... ..421 . ... C." 검색결과 261-280 / 12,174건

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    전기회로설계실습 예비보고서3
    의 DC power supply를 이용하여 정격전압이 3 V±10%, 정격전류가 3 mA±10%인 IC chip에 전력을 공급할 수 있는 분압기를 설계하는 것이다. 단, IC chip ... 와 실험값을 비교, 분석한다.2. 준비물.* 기본 장비 및 선Function generator: 1 대DC Power Supply(Regulated DC Power supply ... 40 cm 연결선: 빨간 선 4개, 검은 선 4개(한쪽은 계측기에 꼽을 수 있는 잭, 다른 쪽은 집게)Breadboard(빵판): 1 개점퍼와이어 키트: 1 개* 부품 리드저항(1
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.09.06
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    [A+실험 보고서]고전역학 실험-뉴턴의 제 2 법칙
    _2 +M_3}이다.또한 힘센서를 얹은 카트의 알짜힘은 카트에 가해지는 장력이므로 이 역시F=ma에 의해sum _{} ^{} F=T= {(M _{1} +M _{2} )M _{3 ... 시키기가 어려우므로 가속도는 작아진다(a∝1/m). 위 두 식에서 a∝F/m이므로 F∝ma가 된다. 여기서 비례 상수를 k라고 하면 F∝kma가 되는데, 여기서 비례 상수 k가 1이 되 ... 도록 힘의 단위를 정하면 F=ma가 된다. 힘과 질량과 가속도의 관계식 F=ma를 운동 방정식이라고 하며 이 방정식을 풀면 운동에 관한 많은 것을 알 수 있다.무게가 각각 M,m
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.07.28
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    너의 이름은 자막/일본어/후리가나/읽는법
    ) no koe ) chou me ga sameru to naze ka nai te iru58sそういうことが時々ある때때로 그런 일이 일어난다.そういう こと が ときどき あるs ... ! ore baito chikoku datte22:44お前のシフト 今日か오늘 너 아르바이트였나?おまえ の しふと きょう かomae no shifuto kyou ka22:46（司）早く ... どう し た の さん よう( haya 耶香 ) chotto dou shi ta no san you1:06:07（勅使河原）お前… か か か너... 또는 또는（ てしがわら ） おまえ
    노하우 | 11페이지 | 4,000원 | 등록일 2024.11.04
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    전자회로실험 제11판 예비보고서 실험19(공통 이미터 증폭기 설계)
    `=`100(대표값)##I _{c(max)} `=`200mA##V _{ce(max)} `=`40V회로는 아래와 같은 특성을 가져야 한다.V _{cc} `=`10V##A _{v ... mA} =26 OMEGA ##vert A _{v} vert `=` {R _{c}} over {r _{e}} = {4.1k OMEGA } over {26 OMEGA } =158e ... 도록 Rc를 선택한다. 이 경우 VRc = Vcc ? Vce ? Ve = 4V이므로,R _{C} `=` {V _{R _{C}}} over {I _{C}} = {4V} over {1mA
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    | 리포트 | 14페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.03.19
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    [아주대 기초전기실험]결과보고서 AC14,15(학점4.5)
    (p-p)}I _{s(p-p)}Z _{p} = {V _{c(p-p)}} over {I _{c(p-p)}}500Hz6.91mV4.26V0.0426mA162.2066Ω1,000Hz7 ... 에서 {2 pi sqrt {LC}} 여기서 단위는 L은 H(헨리), C는 F(패럿)이다. 이 주파수의 외력에 대한 리액턴스는 직렬에서는 0이고 병 렬에서는INF 가 된다. 따라서 ... _{Tp} = {L} over {R _{l} C} - 공진주파수:f _{o} = {1} over {2 pi sqrt {LC}} sqrt {1- {R ^{2} C} over {L
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.06.27 | 수정일 2021.06.30
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  • 자료 표지
    아주대학교 기초전기실험/기전실/ 실험 AC 12 13 결과보고서
    _{max} (V _{L} )5033Hzf _{max} (V _{C} )5000Hzf _{1} (low)4000Hzf _{2} (high)6000HzBW2000HzQ _{s ... 을 이용} , -->R=27.416 OMEGA옴의 법칙으로 전압 값 유도,V=200mA TIMES 31.416 OMEGA =6.2832V가 된다.R`=`27.416 OMEGA `,`C ... } -->R=58.832 OMEGA 옴의 법칙으로 전압 값 유도V=200mA TIMES 62.832 OMEGA =12.5664V가 된다.R`=`58.832 OMEGA `,`C`=0
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    | 리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.07.02
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    (A+/예상결과/고찰) 아주대 기초전기실험 결과보고서 AC 4
    } )MeasurementI _{r ms}CalculationR= {V _{R(r`ms) it}} over {I _{r m s it}}50Hz4V1.414V1.376mA{1.414 ... _{measured} =99.3 OMEGA table 4.4FrequencyV _{L(p-p)}V _{R _{s} (p-p)}I _{p-p`} X _{C} (mea.)= {V ... } =28.88mA{4V} over {28.88mA} =0.139k OMEGA 0.140k OMEGA(e)X _{C} = {1} over {2pi fC}f=50Hz``````````X
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.10.23
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  • 자료 표지
    전자회로설계실습 실험 8 예비 보고서
    } ` ^{prime } {W} over {L} =0.104이다. 또,수식입니다.I _{REF} =10mA로 3.1과 같아수식입니다.V _{GS2} =2.41V이다. 하지만, cascode ... )을 이용하며수식입니다.V _{CC} =V _{DD} =10V인 경우,수식입니다.I _{REF} =10mA인 전류원을 설계한다.그림입니다.원본 그림의 이름: 실습8 데이터시트 ... } =10mA인 전류원을 설계하기 위해서수식입니다.M _{2}의수식입니다.V _{GS}를 구하여라. 또한수식입니다.V _{GS}를 만족시키기 위한수식입니다.R _{1}값을 구하여라.수식
    리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2026.01.09
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  • 판매자 표지 자료 표지
    홍익대 실험3 5주차결과보고서
    }}[kΩ]0.3293g _{m} = {I _{CQ}} over {V _{T}}[mA/V]716.92beta _{o}=g _{m} r _{pi }236.08v _{s}의 첨두-첨두값 ... Ω]시뮬레이션 결과에 의한 전압이득 Av,sim[V/V]식(7.1)에 의한 전압이득 Av,cal[V/V]측정값으로부터 계산된 전압이득 Av,meas[V/V]0.51-50.04306 ... }[mA]78.955mV _{BEQ}[V]720mI _{CQ}[mA]18.64V _{CEQ}[V]1.26소신호 파라미터 계산값r _{pi } = {V _{T}} over {I _{BQ
    리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2025.03.28
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    FET 특성 및 증폭기
    )] 회로 구성 후V _{i`n} `,`V _{d`} `,`V _{R _{S}} 측정해보기C _{C`1`} =`1 mu FR _{1} =1 MU OMEGA R _{2} =3 MU ... OMEGA R _{D} =33K OMEGA R _{S} =33K OMEGA C _{S`} =`10 mu FC _{C`2`} =`1 mu F그래프4. 측정커플링 커패시터C _{C`1 ... } ` != `0.224mA` 이고,I _{D`2} =0.194mA라면V _{GS} =3.75-I _{D} R _{S} =3.75-5.82=-2.07V 이므로|V _{GS} ``|
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    | 리포트 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2021.10.13
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    기초전자회로실험 - RL,RC 직렬및병렬회로 결과레포트
    도17.4.3 RC 직렬회로 특성V _{R1}V _{C1}sqrt {V _{R1} ^{2} +V _{C1} ^{2}}iV1 _{"rms" it}Z(이론값)X_{ C1}(이론값)Z ... (실험값)18.5V8.4V20.31V6.16mA6.745V1110옴482옴1094.9옴17.4.4 RL 직렬회로 특성V _{R1}V _{L1}sqrt {V _{L1} ^{2} +V ... RC 병렬회로i _{T}i _{R1}i _{C1}sqrt {i _{C1} ^{2} +i _{R1} ^{2}}V1 _{"rms" it}Z(실험값){1} over {X _{C1
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.02.27
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    [학원용]중국어 발음 기초 테스트 (발음학습 후 테스트용- 학생 및 교사)
    f d t n l g k hj q x zh ch sh r z c s1) zh ch sh r 발음 방법→2) ju qu xuju의 실제발음 →qu의 실제발음 →xu의 실제발음 →5 ... 중국어 발음 기초-성조, 운모, 성모, 성조변화1. 성조 mā lái nǐ bà1) mā lāi nī bā2) má lái ní bá3) mǎ lǎi nǐ bǎ4) mà lài
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    | 리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.12.29 | 수정일 2024.03.03
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    [경희대 A+] 실험 9. BJT의 고정 및 전압분배기 바이어스 예비결과보고서
    스와 전압분배기 바이어스 BJT 구조의 동작점을 결정합니다.3. 실험 이론* BJT의 동작 특성 및 동작점(Q-point)BJT는 cutoff, saturation, active 이 세 ... 영역에서 동작합니다. cutoff 영역에서는 트랜지스터는 거의 개방회로로 간주할 수 있습니다. emitter에서 collector로 극소량의 역방향 전류만 흐른다. s ... aturation 영역은 비선형적으로 증가하는 영역입니다. cutoff와 saturation 영역은 주로 디지털회로의 스위치로 cutoff는 off, saturation은 on으로 사용
    리포트 | 23페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.12.26 | 수정일 2024.01.08
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  • 판매자 표지 자료 표지
    물리화학실험 실험 1112 나노결정 태양전지의 제작 결과
    1. 제작한 태양전지의 개로전압(open-circuit voltage, Voc)과 단락전류(short-circuit current, Isc), 태양전지의 면적은 색소를 입힌 ... 밀도를 찾아 그래프에 표시한다. 또한 개로전압과 단락전류밀도도 그래프에 표시한다.power density가 최대인 전압은 0.52 V, 전류밀도는 18 mA/cm2이다. 개로전압 ... Voc는 0.67 V, 단락전류밀도는 21.88 mA/cm2이다.4. 제작한 태양전지의 효율을 계산한다:태양전지의 효율 = 최대 power density / 광원의 power
    리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.06.16
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    교류회로 / 일반물리학실험II / 결과보고서 A+
    의 각 요소에 걸리는 전압의 합은 다음과 같이 교류 기전력 ?와 같으며?=v _{R} +v _{C}#=iR+ {1} over {C} int _{} ^{} {idt}가 된다. 한편, 식 ... . 그리고 위상 상수phi는 아래와 같다.phi=tan ^{-1} ( {-V _{C}} over {V _{R}} )#`````=tan ^{-1} (- {1} over {wRC ... )I _{ac} (mA)I _{ac이론}(mA)00.000.0010.000.0020.000.0030.000.0040.000.0050.100.00실험 2-B) 교류 실험C= 0
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    | 리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.09.24 | 수정일 2022.10.07
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  • 자료 표지
    4. MOSFET 소자 특성 측정 예비보고서 - [2021년도 전자회로설계실습 A+ 자료]
    , ID=75mA일 때 VDS(ON)=0.14 V(Typ)를 선택한다. VDS(ON)=0.14 V가 1V보다 낮기 때문에 Drain과 Source가 거의 short가 되었다고 볼수 ... _{D}가V _{DS}와 전혀 상관이 없고V _{GS}가 변함에 따라i _{D}가 변하는 current source로 동작됨을 알 수 있다.(C) 위의 결과를 이용하여V _{T ... 하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구한다.2.준비물 및 유의사항DC Power Supply(2chnnel)1대Digital Multimeter
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.05 | 수정일 2022.03.14
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  • 자료 표지
    일반물리실험2 7주차 RLC로 이루어진 교류 회로에서의 임피던스(A0)
    .2022) R-C 회로[Table 3.1회차 -저항 : 200 [Ω] , 축전기 : 4.7 [μF]]주파수 f [Hz]수식입니다.I _{t}[mA]수식입니다.V _{t}[V]수식입니다 ... } R`sin( omega t+ phi )#V _{L} =L {dI} over {dt} = omega LI _{M} `cos( omega t+ phi )#V _{C} = {1 ... .910077.162.829.511379.2339저항인 임피던스 Z는수식입니다.sqrt {R ^{2} +( {1} over {omega C} ) ^{2}} = sqrt {R ^{2}
    리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.09.05
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  • 자료 표지
    인덕턴스의 특성 - 기초전기회로실험 - 전기전자공학및실습
    .3kΩ(1/2-W, 5%) 1개? 인덕터의 내부저항과 동일한 저항 1개인덕터? 대용량(7-10H) 1개(Magnetek-Triad #C8X 7H, 240Ω, 75mA ... ;Magnetek-Triad #C3X 10H, 500Ω, 50mA 또는 증가)? 100mH 1개기타? SPDT 스위치? SPST 스위치? on-off 스위치, 퓨즈 등실험 과정Steps B ... = 3.298kΩ, L = 100mH = 168ΩV= sqrt {V _{R} ^{2} +(V _{L} ^{2} -V _{C} ^{2} )} = sqrt {V _{R} ^{2} +V
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    | 리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.10.20
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    [전자회로실험]MOSFET 기본특성 결과보고서
    는 [표 7-1]과 같다.[표 7-1] 실험 회로1의 DC 동작 조건수식입니다.R_C값(PSpice)수식입니다.R_D값수식입니다.V _{sig}전압수식입니다.V _{o}수식입니다.I ... .79V8.93V525mA8.5V8.23V8.92V513mA9V8.86V8.91V502mA12V11.91V8.93V536mA수식입니다.V_sig전압이 0인 경우 차단 영역, 이 실험 ... .10 rm ohm이었다. 따라서수식입니다.R_D값을수식입니다.10 rm ohm으로 두고 실험을 진행하였다.수식입니다.R_sig경우수식입니다.5 rm k ohm두 개를 직렬 연결
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.12.04
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    전기전자공학실험-다단 증폭기 RC 결합
    순서 2(a)에서 계산한 직류 바이어스 값과 순서 2(c)에서 측정한 값을 비교하라.Q _{1}##I _{D _{1}} =�� {2.9mA-3.05mA} over {2.9mA ... _{D}} over {R _{D}} =9.78mAI _{DSS}(Q1) =I _{D} =9.78mA(방금 계산한I _{D}값 이용)b. 이제R _{S} =1kΩ를 연결하라. 다음 ... } = {V _{GS}} over {1- sqrt {{I _{D}} over {I _{DSS}}}} = {-1.818V} over {1- sqrt {{1.87mA} over {9
    리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14
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2026년 01월 22일 목요일
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