[전자공학기초실험]트랜지스터의 직류 특성

소개글

"[전자공학기초실험]트랜지스터의 직류 특성"에 대한 내용입니다.

목차

1. 실험 목적

2. 실험 이론 및 원리
1) 트랜지스터의 구조
2) 트랜지스터의 구분
3) 트랜지스터의 동작
4) 회로시험기를 사용한 트랜지스터의 검사
5) 출력특성곡선
6) 입력특성곡선

3. 실험 장치
1) 실험 준비

4. 실험 방법
1) 베이스 바이어스 회로

5. 실험 결과
1) 결과 data
2) 실험 고찰

본문내용

1. 실험 목적
1.1. 반도체 증폭기 소자의 기본인 트랜지스터의 전압-전류 특성 곡선을 조사한다.

2. 실험 이론 및 원리
2.1. 트랜지스터의 구조
트랜지스터는 이미터, 베이스, 콜렉터라고 불리는 3개의 서로 다른 단자로 구성되어 있으며 2개의 접합면을 형성하고 있다. 이들 두 접합면의 상호작용으로 트랜지스터 작용이 이루어진다. 이들의 구조와 기호는 그림 1과 같다. PN 접합면 중에서 베이스 영역은 매우 얇고 약하게 도핑 되어 있으며, 이미터는 강하게 도핑하고 콜렉터 영역은 일반적으로 적절하게 도핑 되어 있다. 물리적 구조로 보면 콜렉터가 보통 대전력 트랜지스터의 경우 케이스와 전기적으로 연결되어 있어 콜렉터 영역에서 열을 발산시킬 수 있도록 되어 있다.

2.2. 트랜지스터의 구분
대부분의 트랜지스터는 2N3904, 2n3906과 같이 앞에 2N을 붙여 표시하며, 2N은 2개의 접합을 갖고 있는 반도체를 의미한다. 다른 트랜지스터는 MTE5192, FA3333과 같이 제조회사의 번호 등을 붙여 표시하는 것도 있다.

2.3. 트랜지스터의 동작
트랜지스터는 선형(활성) 모드, 차단 모드, 포화 모드, 불활성 모드 등 4개의 서로 다른 모드로 동작한다.
트랜지스터의 선형 모드는 그림 2와 같이 항상 베이스-이미터 접합은 순방향으로 바이어스 하고, 콜렉터-베이스 접합은 역방향으로 바이어스 한 상태에서 동작되는 경우를 말한다.
그러므로 베이스-이미터 접합은 보통 100Ω 이하의 저항을 가지며 콜렉터-베이스 접합은 100KΩ 이상의 저항을 나타낸다.

만일 그림 3과 같이 얇은 베이스 영역을 둘로 나눈다면 2개의 다이오드가 연결되어 있는 형태로 트랜지스터를 표시할 수 있다. 따라서 순방향 및 역방향으로 바이어스 된 일반 다이오드와 같은 방법으로 접합 사이의 저항을 계산할 수 있다. 다이오드가 순방향 바이어스 되었을 때 저항은 이론적으로..

<중 략>

참고 자료

없음