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중앙대학교 공통이미터 전기회로 기초전자회로실험 전자회로설계실습 전기회로설계실습 전원의 출력저항 mosfet의 특성 측정 공통소스증폭기 rlc 인덕턴스
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"ssamchoo... ... C ... ...... MA ... .... ... ..421 . ... C." 검색결과 201-220 / 12,174건

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    회로이론및실험1 9장 망 해석법과 마디 해석법 A+ 예비보고서
    .425[mA],i _{b} `=`6.237[mA],i _{c} `=`1.94[mA]다음 표는 각 저항을 지나는 전류와 저항 양단의 전압 예측값이다.I _{1}I _{eqalign ... {2#}}I _{3}I _{4}I _{5}8.425mA2.188mA6.237mA4.297mA1.94mAV _{1}V _{2}V _{3}V _{4}V _{5}2.78V7.22V2 ... } `=`8.319[mA],i _{b} `=`5.02[mA],i _{c} `=`0.45[mA],i _{d} `=`-0.7[mA]다음 표는 각 저항에 흐르는 전류와 저항 양단 전압
    리포트 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.04.02
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    교류및전자회로실험 실험4-1 교류회로의 측정 예비보고서
    (['전류 크기: ', num2str(I_milliampere), '[mA]']);disp(['멀티미터로 측정시 전압크기: ', num2str(V_rms), '[V]']);disp ... (['멀티미터로 측정시 전류크기: ', num2str(I_rms), '[mA]']);disp(['전체 임피던스: ', num2str(Z_total), '[Ω]']);disp(['전체 ... 기.figure;compass(I);title(['전류의 크기: ', num2str(r_I), ', 위상: ', num2str(theta_I)]); % 크기와 위상 표시grid on;(1
    리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.06.22 | 수정일 2024.08.17
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    무선랜에서 일반화된 이진 기하방식의 백오프 조작 모델링 및 분석 (Generalized two’s exponential backoff Misbehavior modeling and analysis in WLANs)
    대한전자공학회 강병철, 김재석
    논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.08 | 수정일 2025.05.17
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    설계실습 3. 분압기(Voltage Divider) 설계 예비보고서
    이 3V±10%, 정격전류가 3mA±10%인 IC chip에 전력을 공급할 수 있는 분압기를 설계하는 것이다. 단, IC chip이 동작하지 않을 때, 즉 전력을 소비하지 않을 때 ... 를 설계하라. 단, IC chip이 동작하지 않을 때, 즉 전력을 소비하지 않을 때 IC chip에 9V 이상 걸리지 말아야한다.정격전류 3mA±10%가 흐르려면 총 저항은 4kΩ ... 하고 설계와 실험값을 비교, 분석한다.2. 준비물*기본 장비 및 선Function generator : 1대DC Power Supply(Regulated DC Power supply
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.09.17
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    중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 8_MOSFET Current Mirror 설계
    V, =10V일 때 =600mA이다. 이므로 이다.(B) =10mA인 전류원을 설계하기 위해서 의 를 구하여라. 또한 를 만족시키기 위한 값을 구하여라.이다. 또한, 이다.(C ... 다. 따라서 이다.(B) ==10mA인 전류원을 ORCAD로 설계하여 회로도를 제출한다. (=500Ω으로 설계)(C) PSPICE를 이용하여 시뮬레이션 하고, 시뮬레이션 값을 다음 표 ... 는 2N7000(Fairchild)을 이용하며 ==10V인 경우, =10mA인 전류원을 설계한다.(A) 2N7000의 Data sheet로부터 (1/2)(W/L)을 구한다. 사용
    리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.03.05 | 수정일 2024.03.11
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  • 자료 표지
    아주대학교 기초전기실험/기전실/ 실험 AC 4 결과보고서
    )}I _{p-p}R43.11mV60.97mV121.93mV1.20mA3.33KOMEGAV _{Rs(peak)} `=` sqrt {2} TIMES 43.11mV=60.97mVV ... )}} over {I _{p-p}} = {4V} over {1.20mA} =3.33k OMEGA(f)R _{`s} =100.39 OMEGA R _{1} _{`} =1.18K OMEGAR ... 저항 단순합)44.93mV89.86mV0.90mA4.52KOMEGAV _{Rs(peak)} `=` sqrt {2} TIMES 31.77mV=44.93mVV _{Rs(p-p)} =44
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.07.01
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    배론과제 외국어로서의 한국어학개론
    /, /v/, /x/ 등.성조: ngang(중성), sc(상승), huyn(하강), hi(파동), nga(굴곡), nng(중저음단절)예)ma: 유령 (ngang)/ ma: 어머니 (sc ... /, //자음: 초기 위치 자음과 종성 자음 구분된다대표 자음: /b/, /c/, /d/, /g/, /h/, /k/, /l/, /m/, /n/, /p/, /r/, /s/, /t ... nha냐집trng쯔엉학교sach삿책cm껌밥banh반빵nc누억물m메엄마b보아빠bn반친구con meo껀 메오고양이동사n안먹다ung우엉마시다hc혹배우다chi쪄이놀다đi디가다lam람
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2025.10.21 | 수정일 2025.10.24
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  • 자료 표지
    [ 기초전자공학 ][ 한국공학대 ] 트랜지스터 실습2
    전류)를 나타내는가? -10mA[1-2]④ 오실로스코프 ch.2를 보면서 콜렉터 전류가 콜렉터 포화전류((sat))의 절반이 되도록 를 조정한 상태에서 VR의 손잡이를 좌우 ... (타임베이스: 100us/div, 전압 레인지: 500mV/div)로 를 관찰하라.⑤ 오실로스코프 ch.2(전압 레인지: 500mV/div)로 를 관찰하라. -1V의 는 몇 mA ... 증가하지 않는 (포화 개시 전압)가 몇 V인지 조사하라(가 2V를 넘지 않도록 주의할 것).④ 오실로스코프 ch.2를 보면서 콜렉터 전류가 콜렉터 포화전류((sat))의 절반
    리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.02.16
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    전기회로설계실습 예비보고서 3. 분압기(Voltage Divider) 설계
    %, 정격전류가 3mA+- 10%인 IC chip에 전력을 공급할 수 있는 분압기를 설계하는 것이다. 단, IC chip이 동작하지 않을 때, 즉 전력을 소비하지 않을 때 IC chip ... 3. 설계실습계획서(이론 1, 2, 3, 4장 참고)설계 목표는 출력전압이 12V로 고정되어있는 한 대의 DC power supply를 이용하여 정격 전압이 3V+- 10 ... . 단, IC chip이 동작하지 않을 때, 즉 전력을 소비하지 않을 때 IC chip에 9V이상 걸리지 말아야 한다.준비물에 있는 저항은1k OMEGA ,`2.7k OMEGA
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.06.22
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    기초전자실험 - 19장 공통 이미터 증폭기 설계
    이득 Av의 값을 확인하라.r _{e} = {26mV} over {I _{E} (mA)} = {26mV} over {1mA} =26 OMEGA #|A _{v} |= {R _{C ... 저항r {I _{E}} = {26mV} over {1.08mA} =24.07 OMEGAr_e = 24.07Ωc. 주파수 1kHz에서 실효값 V_sig = 10mV 를 갖는 교류 입력 ... } (beta =100) >< Z _{i}(측정값) = {V _{i}} over {(V _{sig} -V _{i} )} R _{x}>< Z _{o}(측정값)= R _{C} PVER
    리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.19
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    A+ 전자회로설계실습_MOSFET 소자 특성 측정
    variable→Voltage source→VDC 이름 적기(Gate 전압), Start value→ 0V, End value→5V, Increment→0.1V]위의 결과를 이용하여 VT ... 의 결과를 이용하여 VOV=0.6V인 경우, kn, gm을 구하고 3.1의 결과와 비교하여라.이고, 시뮬레이션 상에서 값은 56.23mA정도이다. Saturation 상태에서 이 ... 므로, 이다.따라서 이다.3.1의 (A)의 값인 223mA/V^2와 gm값인 133.8mA/V보다 약간 큰 값을 가짐을 확인할 수 있었다.PSPICE를 이용하여 iD-vDS 특성곡선
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.08.21
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    (22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 결과보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정
    하여 MOSFET의 특성곡선을 구하여라.(D) 위의 결과를 이용하여 를 구하고 3.2(C)의 결과와 비교하여라.는 약 1mA의 전류가 측정되는 2.2V로 잡을 수 있었고 Data ... 하라.=0.6V인 경우는 =2.8V인 경우고 이 때 측정된 값은 39.6mA이다. =5V로 고정시켰고 =0.6V보다 크므로 saturation region에서의 식인 를 이용 ... 해보면 가 0.5V, 0.6V, 0.7V 부근에서 거의 Saturation됨을 확인할 수 있다. ideal하게 saturation 되지 않는 이유는 MOSFET의 channel
    리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.02.12
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    전자회로실험 제11판 예비보고서 실험9(BJT의 고정 및 전압분배기 바이어스)
    ) = 0V7. Vce(계산값) = 11.1089Vd. 2N4401에서 동일하게 적용시키자.1.beta `=` {I _{C}} over {I _{B}} =` {3.675mA ... _{C} ``/`% TRIANGLE beta 를 계산하라.S( beta )`=`% TRIANGLE I _{C} ``/`% TRIANGLE beta `=`11.60`/`11.07 ... 을 가진다.1) 차단 영역(cutoff region)=> 베이스에 전류가 흐르지 않으면, 이론적으로 컬렉터 전류가 흐르지 않지만,실제로는 약간 흐른다. 여하튼 베이스에 전압을 걸어주
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    | 리포트 | 13페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.03.19
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    기초회로실험 - 7주차 결과보고서 - 중첩의정리
    3}'' = 1.117mA + 0.336mA2. 가역 정리(2) 단자 A, B의 전압을 2V, 4V, 6V 로 변화시키면서 C, D에서의 전류를 측정한다.I = 3.826mAI ... = 7.656mAI = 11.487mA2V4V6V(4) 단자 C, D의 전압을 2V, 4V, 6V 로 변화시키면서 A, B에서의 전류를 측정한다.I = 3.826mAI = 7.656 ... [REPORT]■과목명:기초회로실험■■■■■2. 실험절차가.실험 준비물-밀티 미터(전류 측정) 1대-직류 전원 장치 (DC power supply) 1대-저항 180Ω,200Ω
    리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2025.03.20
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    전기전자공학실험-공통 소스 트랜지스터 증폭기
    {R _{S}} = {1.511V} over {512 OMEGA } =2.95mAI _{D}= 2.95mA순서 2(a)에서 계산한 직류 바이어스 값과 순서 2(c)에서 측정한 값 ... } over {512 OMEGA } =6.91mAI _{D} `(계산값) = 6.91mA이 값은V _{GS} =0V일 때의 드레인 전류이므로I _{DSS}와 같다.(저항R _{s ... } over {512 OMEGA } =6.91mAI _{DSS} =I _{D} = 6.91mA(방금 계산한I _{D}값 이용)실제 저항값 측정b. 이제R _{S} =1kΩ를 연결하라
    리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14
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    Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 결과보고서
    } =1.046mA##I _{B} `=`I _{E} -I _{C} =10.4uA이다.(B) 3.2(G)에서 결정한대로 Function generator의 출력전압을 설정 ... _{C}} = {5.96V} over {5.412k ohm } =1.034#I _{E} = {V _{E}} over {R _{E}} = {3.6V} over {3.441k ohm ... /V로 측정되었으며 simulation 결과값인 87.474 V/V 와 약 3% 발생하였다.(C)측정값simulation오차V _{B}4.19 V4.043 V3.63%V _{C}5
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.01.21
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    [A+] 전자회로설계실습 5차 예비보고서
    고 20mA가 흘러 LED가 ON이 되도록 R2를 구한다. 이때의 소비전력을 구한다.소비전력은 이다.(B) 구동신호(VIN)가 5 V (High)일 때 LED가 OFF되도록 VCE(s ... at), VBE(sat)을 이용하여 R1을 구한다. 이때의 소비전력을 구한다.BJT가 소비하는 전력R1이 소비하는 전력R2가 소비하는 전력소비전력은 이다.(C) 이 회로의 한 주기 ... 을 측정, 평가한다.2. 준비물 및 유의사항Function Generator : 1대Oscilloscope(2channel) : 1대DC Power Supply(2channel
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.06.21
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    [일반물리학실험]전류천칭 측정
    .72243742.1A10.7mA2cm11.7g0.1146648.708581(1) 실험(그래프)에 의한 B(자기유도)46.219279(2)B=mu _{0}nI _{s} 이론에 의한 B(자기 ... 는 전류(I _{s})의 자기장B`=` mu _{0} nI _{s}이다. 여기서mu _{0}는 진공 중에서의 투자율이다.[그림1]에서 전류(I)는 B→C로 흐르고, 솔레노이드 전류(Is ... .5A11.4mA1cm11.7g0.1146643.72997723A18.8mA1cm11.7g0.1146626.51711433.43A18.8mA2cm11.7g0.1146627
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    | 리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.08.03
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    전기전자공학실험-공통 이미터 증폭기 설계
    이득 Av의 값을 확인하라.r _{e} = {26mV} over {I _{E} (mA)} = {26mV} over {1mA} =26 OMEGA #|A _{v} |= {R _{C ... 저항r {I _{E}} = {26mV} over {1.08mA} =24.07 OMEGAr_e = 24.07Ωc. 주파수 1kHz에서 실효값 V_sig = 10mV 를 갖는 교류 입력 ... } (beta =100) >< Z _{i}(측정값) = {V _{i}} over {(V _{sig} -V _{i} )} R _{x}>< Z _{o}(측정값)= R _{C} PVER
    리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14
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    일반물리학실험1_힘의 평형과 합성_결과보고서
    었다. 실험 1) 3개의 힘의 벡터는 다음과 같다. 각 벡터 A ,B, C의 크기는 F=ma공식을 이용하여 하기와 같이 결정하였다. (중력가속도 g=9.80 m/s2 ) A= mag ... REPORT 힘의 평형과 합성_결과보고서 학 과 학 번 이 름 실험조 실험일시 1. 실험값 및 계산 : 1) 실험데이터 ma θa mb θb mc θc 1 20.20g 167 ... 과 해석법 비교 실험값 해석법 오차율 C = mcg N(뉴턴) = kg .m/s2 φ (180° - θb) C’ φ’ 1 0.686N 31° 0.64N 32 6.7 % 2 0.582
    리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2025.07.11 | 수정일 2025.07.17
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2026년 01월 22일 목요일
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