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중앙대학교 공통이미터 전기회로 기초전자회로실험 전자회로설계실습 전기회로설계실습 전원의 출력저항 mosfet의 특성 측정 공통소스증폭기 rlc 인덕턴스
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"ssamchoo... ... C ... ...... MA ... .... ... ..421 . ... C." 검색결과 281-300 / 12,174건

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    4. MOSFET 소자 특성 측정 예비보고서 - [2021년도 전자회로설계실습 A+ 자료]
    , ID=75mA일 때 VDS(ON)=0.14 V(Typ)를 선택한다. VDS(ON)=0.14 V가 1V보다 낮기 때문에 Drain과 Source가 거의 short가 되었다고 볼수 ... _{D}가V _{DS}와 전혀 상관이 없고V _{GS}가 변함에 따라i _{D}가 변하는 current source로 동작됨을 알 수 있다.(C) 위의 결과를 이용하여V _{T ... 하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구한다.2.준비물 및 유의사항DC Power Supply(2chnnel)1대Digital Multimeter
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.05 | 수정일 2022.03.14
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    전기전자공학및실습 ch6 직류의 측정
    전기전자공학 실습4주차(ch6)학번이름분반표 6-1step저항회로상태전류meter locateion2,5R1=0.984KAPPA OMEGAR2=0.987KAPPA OMEGAR3 ... mAbetweenR1 and R212closed1.954mAbetweenR2 and R313closed1.954mAbetweenR3 and V표6-2stepsvoltage of s ... =1KAPPA OMEGAclosed6.037mAbetweenR1 and V6Xopen0mAbetweenR1 and V7R1,R2=1.9714KAPPA OMEGAopenXX8c
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    | 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.27
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    전자회로설계실습 6 예비보고서 Common Emitter Amlifier 설계
    _{i n } `+`R _{sig}} ` SIMEQ `1이므로-100`V/V`=`-g _{m} `2.5`k OMEGA 이고, 따라서g _{m} `=`40```mA/V이다.(C ... - {R _{IN }} over {R _{IN } `+`R _{sig}} `g _{m} `(R _{C} `||`R _{L} )로 나타낼 수 있다.{R _{i n }} over {R ... 다.I _{C} `=`g _{m} V _{T} `=`40`mA/V` TIMES `25`mV`=`1`mAI _{B} `=` {I _{C}} over {beta } `=` {1`mA
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.29 | 수정일 2022.03.31
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    울산대학교 예비레포트 전자6장 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT) 특성
    _CE(sat)보다 커지면 B-C에 역방향 전압이 걸리면서 전류가 거의 일정하게 유지된다.3.차단영역베이스에 전압을 걸어주지않아 컬렉터 전류가 흐르지 않는다.4.항복영역B-C의 역 ... 방향 전압이 너무 커지면 Breakdown이 발생한다.3. 시뮬레이션-공통에미터V_RB(V)I_B(uA)V_CE(V)V_RC(V)I_C(mA)V_BE(V)I_E(mA)3.31021 ... 가 흐른다. 트랜지스터는 전류를 증폭시키는데 쓰이는데 작은 전류가 베이스에 인가되면 컬렉터단에서 증폭이 된다.I_b=베이스 전류I_e=에미터 전류I_c=콜렉터 전류I_b = I_c -I
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.11.14 | 수정일 2023.11.17
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  • 자료 표지
    (A+) [중앙대 일반물리실험2] Ohm의 법칙 & Kirchhoff의 법칙(결과보고서)
    한다. 도선 내의 전류밀도 역시 유동 속력에 비례하므로 전류밀도는 전기장의 세기에 비례한다. 이 비례 관계를 도선의 전기전도도sigma _{c}를 비례 상수로 하여J`= sigma ... _{c} E로 기술할 수 있고 이를 Ohm의 법칙이라고 한다.도선 양단의 전위차와 전류밀도의 정의를 이용하여 Ohm의 법칙을 다시 기술하면J`= sigma _{c} E{I} over ... {A} `=` sigma _{c} {TRIANGLE V} over {l} `````( TRIANGLE V`=`V _{a} -V _{b} `=`- int _{b} ^{a
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    | 리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.09.01 | 수정일 2021.10.05
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    중앙대 전기회로설계실습 예비보고서3 (보고서 1등)
    이 3V ±10%, 정격전류가 3mA ±10%인 IC chip에 전력을 공급할 수 있는 분압기를 설계하는 것이다. 단, IC chip이 동작하지 않을 때, 즉 전력을 소비하지 않 ... %의 전압을 출력하는 분압기를 설계하라. 단, IC chip에 9V이상 걸리지 말아야 한다.출력 전압은 12V로 고정되어 있고, 정격전류가 3mA인 기기에 전력을 공급해야하기 때문 ... 로, 전류는 1.714mA로 감소한다. 이는 목표 값인 3V, 3mA와 각각 42.867%의 오차를 갖는다.#3.2 분압기의 설계 (부하 효과를 고려한 현실적 설계)(a) 등가부하를 고려
    리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.06.26
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    (에이쁠받음, 일반화학실험) (PH측정, ph측정) pH측정 결과레포트
    에서는 1-a이 거의 1에 수렴하므로 KA=Ka^이고 이때의[H _{3}^{+} O]`의 농도는 아래식으로 표현 할 수 있다.[H _{3}^{+} O]`=`Ma`=M TIMES s ... -} ]} over {[B]} `=` {Ma ^{2}} over {1-a} ` APPROXMa ^{2}[OH ^{-} ]=`Ma`=`M TIMES sqrt {{K _{B}} over {M ... 하는 양쪽성 물질인데, 아래 식에서 확인할 수 있다.H _{2} O``+`H _{2} O``````` lrarrow`````H _{3} ` ^{+} O``+OH ^{-}#산
    리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.10.06
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  • 판매자 표지 자료 표지
    [분반 1등], [A+], 중앙대학교 전자회로설계실습 9. Feedback Amplifier 설계 예비보고서
    Resistor 100Ω : 2개가변저항 10kΩ : 1개3. 설계실습 계획서3.1 Series-Shunt 피드백 회로 설계(A) 그림 1 회로를 simulation하기 위한 PSpice sc ... 시킴에 따라 부하저항 양단의 출력전압이 어떻게 변하는지를 보여주는 입출력 transfer characteristic curve를 그려라.{V _{O}} over {V _{S}} =2 ... _{2`} `=`1k OMEGA로 설정하고 회로를 설계한다.그림 1 회로를 simulation하기 위한 PSpice schematic이다.위의 그래프는 pspice s
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    | 리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.09.25 | 수정일 2022.09.30
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    [중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 결과보고서4 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)
    하기 이전에 MOSFET의 기본적인 특성을 알아볼 필요가 있다. MOSFET은 Threshold voltage 이상의 전압을 gate와 source 사이에 인가해주지 않으면 cut ... voltage를 측정할 수 있었고, Threshold voltage 이상의 gate-source 전압을 가해주었을 때의 MOSFET의 작동 특성을 실험 2.2에서 추가적으로 알아볼 수 있 ... 가 drain-source 전압이 증가해도 완만한 폭으로 아주 조금씩 증가하는 것을 관찰할 수 있었다. 이를 통해 drain-source 전압의 크기가 overdrive
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.08.28
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  • 자료 표지
    [전자회로설계실습]실습8(MOSFET Current Mirror 설계)_예비보고서
    Threshold Voltage와 On-Stage Drain Current 이용)이므로 saturation region 의 식을 이용하면=10mA인 전류원을 설계하기 위해서 의 를 구하 ... 가 흐를 수 있는 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror를 설계 및 측정하여, current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해 ... 한다.2. 준비물 및 유의사항DC Power Supply(2channel): 1대DMM: 1대Oscilloscope(2channel): 1대40cm 잭-집게 연결선 (빨강): 4개40
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.05.15
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    [중앙대전기회로설계실습] A+ 설계 실습 3 분압기(Voltage Divider) 설계 예비 보고서
    전류가 3mA±10%인 IC chip에 전력을 공급할 수 있는 분압기를 설계하는 것이다. 단, IC chip이 동작하지 않을 때, 즉 전력을 소비하지 않을 때 IC chip에 9V ... `전체에`흐르는`전류} = {x} over {x+3mA} =10%= {1} over {10}#10x=x+3mA#9x=3mA#x= {3} over {9} mA= {1} over {3 ... 와 실험값을 비교, 분석한다.2. 준비물* 기본 장비 및 선Function generator 1대DC Power Supply (Regulated DC Power supply(Max
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    | 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.05.26 | 수정일 2022.03.07
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    Floyd의 기초회로실험 9장 병렬회로
    1.93k OMEGA 1.5k OMEGA 1.302k OMEGAI _{T}(측정값)3.6mA2.6mA1.7mA1.2mA표 9-3I _{1} = {V _{S}} over {R ... mA, 1.7mA가 나온다. C점을 끊으면 3.0mA, 5.6mA, 2.6mA가 나오는데 이 전류값들은 전부 9.2=5.6+3.6, 3.0=1.7+1.3, 2.6+3.0=5.6 ... _{1}}I _{2}= {V _{S}} over {R _{2}}}I _{3} = {V _{S}} over {R _{3}}I _{4} = {V _{S}} over {R _{4}}I(계산
    리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.07.24
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  • 자료 표지
    비탈면 실험 결과 보고서
    : 3.6cm, 7.2cm, 10.8cm*실험 도구 : 레일, 수레, 각도를 주는 받침대, 데이터 수집 기계Ⅴ 측정 값실험 1 (기울기 1.71,)시간(s)위치(m)속도(m/s ... .8010.4230.441.90.8070.8220.4010.421.950.8490.8420.3690.420.8920.8530.4330.22실험 3 (기울기 5.14,)시간(s)위치 ... : 가속도의 법칙은 물체에 힘이 작용할 때 가속도 (a)는 힘 (F)의 크기에 비례하며 질량(m)에는 반비례한다.*Basic condition1. 위치 : 좌표계 원점에 대해
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    | 리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.05.03
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  • 자료 표지
    아주대학교 기초전기실험/기전실/ 실험 AC 9 10 결과보고서
    -p)}10.41mA2.38mAI _{L(p-p)}6.37mA2.16mAI _{R(p-p)}4.04mA1.23mAV _{Rs(p-p)}(forI _{s})66mVV _{Rs(p-p ... .04`mAI _{L} ``=`10.41mA TIMES {0.989} over {0.989+`0.6283} ``=6.37`mA ANGLE -90 DEG (구한 걸로 검산)I _{S ... `mA(d,g)I _{s(p-p)} = {V _{Rs(p-p)}} over {R _{s}} = {66mV} over {12.6 OMEGA } =5.24mAI _{L(p-p
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    | 리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.07.02
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  • 자료 표지
    캡스톤디자인1 Solarcell Project 최종발표
    Results Comparison in same wafer 1 2 3 4 η 10.40% 9.71% Voc 0.967V 0.960V Jsc 14.127mA/cm 2 14.101mA/c ... ) PRking 공정 Process 1) braking 장비로 scribing 선을 따라 분리 8-3. Expanding 테이프가 늘어나는 특성을 이용하여 expanding 하여 각 ... (By reducing charge carrier recombination) Reduce surface recombination (By passivizing the
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    | 리포트 | 37페이지 | 10,000원 | 등록일 2021.07.16
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    아주대학교 기초전기실험/기전실/ 실험 AC 9 10 예비보고서
    _{C}의 차를 이용할 필요가 있다. 병렬 R-L-C 회로의 임피던스를 구하는 공식은Z= {1} over {sqrt {( {1} over {R} ) ^{2} +( {1} over ... 를 구할 수 있다. 또, 리액스를 이용하여 페이저theta 도 다음과 같이 구할 수 있다.V= sqrt {V _{R} ^{2} +(V _{L} -V _{C} ) ^{2}} = s ... qrt {(IR) ^{2} +(IX _{L} -IX _{C} ) ^{2}}#````````=I sqrt {R ^{2} +(X _{L} -X _{C} ) ^{2}}#````````=IZ
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.07.02
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    태브난등가회로,중첩의원리 예비보고서
    )A-B ` 단자를 short 시킨 후 전류I_3 `를 측정한다.I_sc = I_3 `=` 1.567mA(4) Thevenin 등가 저항R_th `는R_th `=` V_oc ... `이 되므로-I `=` b over a가 된다.-I `는 전압V ``의 “+”에서 “-”로 흐르는 전류로 부하를 short 시켰으므로 short-circuit 전류I_sc ` 라 ... 한다. 그러면a `=` b over I_sc = V_oc over I_sc ``=` R_th `가 되어V `=` R_th I + V_oc 의 관계를 만족하므로 위 그림의 오른쪽
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    | 리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.10.28
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  • 판매자 표지 자료 표지
    홍익대 실험3 7주차예비보고서
    는 산화막으로 절연되어 있으므로 게이트 단자에는 전류가 흐르지 않는다.N-MOSFET과 P-MOSFET의 전류방향은 [그림9-2]와 같다.그림9-2(c)에서 단자1에서부터 단자3 ... 전압 VDS의 조건에 따라 N-MOSFET의 동작모드는 다음과 같다. 단 VTh는 N-MOSFET의 문턱전압이다.VGS=VTh, VDS< VGS-VTh: non-saturation ... mode 또는 linear mode [닫힌 스위치로 동작]VGS>=VTh, VDS >= VGS-VTh :saturation mode [증폭기로 동작]전류-전압 특성N-MOSFET
    리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2025.03.28
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    빅데이터의이해와활용 시계열 데이터를 분석하기 위한 기법을 3가지 이상 선택해 그 장단점을
    ) A/B 검증에 대해 설명하시오. 2. 네이버 데이터랩(https://datalab.naver.com/ ) 을 이용하여 20대 여성과 40대 여성의 취미생활 차이를 분석하고자 합니다 ... 해야 하는 상황이라고 가정합니다. The beauty of data visualization(https://www.youtube.com/watch?v=pLqjQ55tz-U 또는 ... 에 대해 설명하시오. 2. 네이버 데이터랩(https://datalab.naver.com/ ) 을 이용하여 20대 여성과 40대 여성의 취미생활 차이를 분석하고자 합니다. 적절
    방송통신대 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2025.05.27
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    브랜드 제안 탬플릿
    aut et derit a sequis moditatibus ma quis accum harciisit voles nit, te id que nobis et quae omniet ... molorro dolligent quatectatio eostium repudaeseque soluptat optatur aut inctur , volupta tibusda cum ... ma , Adiae Volorep Erspisimi , Sum Dolor Sumque Rempore Storporatium Ma niet velibusda nihille sequae
    ppt테마 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.01.16
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2026년 01월 22일 목요일
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