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광운대 mos capacitor 제작 evaporator LG 연구분야 sol-gel spin coating 현대광학 스퍼터링 화학신소재공학부 ALD ppt
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"Al2O3 기판" 검색결과 221-240 / 510건

  • 자료 표지
    반도체 공정
    의 전자가 남음. 열을 가하면 전공이 생길 수 있지만 굉장히 적게 생김  튀어나온 자유전자가 많기 때문에 전공이 쉽게 사라짐N형 반도체Si에 3족인 B, Al, Lm등을 첨가 전공 ... 로부45%, 총 100%성장 온도 높을수록 막성장 속도는 빠름 H2O, O2압력 높을수록 속도 빠름RTP(Rapid Thermal Process)할로겐 램프Slip Guide ... 불순이트 전극, 커패시터 전극, 연결배선 등으로 사용 주로 SiO2등 절연막 위에 형성 형성된 Si막은 다결정체가 됨(Poly-Si) CVD 방법으로 형성 시 PH3 가스등을 같이
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    | 리포트 | 50페이지 | 5,500원 | 등록일 2011.03.31
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  • 자료 표지
    세라믹제조공정-젖음(Wetting)
    를 본론에서 서술해 보았다.본론에서 다루는 Al합금인 Al-Si합금용탕과 Al2O3에 관한 젖음에 대한 내용은 Sessile-drop method으로 Al용탕과 Al2O3 기판간 ... 하면서 알루미나기판에서 초기접촉각과 후기접촉각이 모두 18° 감소함을 나타내어 젖음성이 증가하는 것을 알 수 있다.2. Al-Si합금/Al2O3계의 젖음성그림 6은 순Al용탕의 온도 ... 기 때문에 접촉각이 감소되는 것으로 보인다.Al합금 액적과 Al2O3, Cu 및 Ni기판과의 접촉각을 측정할 때에 일정한 온도에서 유지시간을 변화시키면 100초 이후에 접촉각이 점차
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.10.12
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  • 자료 표지
    TCO에 대한 기초 내용 및 현재의 기술동향, 관련 특허 조사 및 분석, 시장 및 기술동향에 대한 전망 발표 자료
    .186110-2~10-43.7~4.6121.8~2.2In2O3C-rare10.117--10-2~10-43.5~3.758.92.0~2.1ITOC-rare10.117--10-3~10-43.5 ... (For TCO target) - Sintering powder source like a In2O3 + SnO2 - It has many Defect which like a ... 아짐 - 인듐 용해액에 메타스태닉산 용액을 혼합 메타스태닉산 침전을 핵으로 하여 In2O3을 생성하여 용액상태에서 분산성과 혼합도를 향상시켜 나노 크기의 산화인듐주석분말을 제조15
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.03.02
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    미래 성장 동력형 LED용 사파이어 단결정
    신소재의 개발과 응용에 대한 과제 Term Project LED 미래 성장 동력 형 LED 용 사파이어 단 결정 소재목차1. 사파이어 소개알루미나 (Al2O3) 가 2300 ... 한 성장 기술의 개발을 통해 LED 용 사파이어 단결정 소재의 핵심 요소 기술을 확보하고 있는 LED 산업의 각광받는 소재 LED 기판제조용 사파이어 단결정 소재3-2 사파이어 단결정 ... 를 가짐 3) 저온 및 고온안정성 - 극저온에서 초고온까지 상 변태 없이 매우 안정 4) 우수한 기계적 성질 , 경도가 Mohs9 로써 다이아몬드 다음으로 높다 1-2 사파이어
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    | 리포트 | 39페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.05.11 | 수정일 2016.11.29
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    반도체소자와공정-1
    반도체 소자와 공정OUTLINE1.반도체 소자 1) 바이폴라(TTL, ECL) 2) 유니폴라(NMOS, CMOS) 2.반도체 공정 1) wafer 제조 2) 산화 공정 3) 노광 ... ℃)에서 산소나 수증기를 wafer표면과 화학반응시켜 얇고 균일한 실리콘 산화막(SiO2)을 형성시키는 공정을 말한다 건식 Si(solid)+O2(gas) = SiO2(solid) 습식 ... Si(solid)+2H2O(gas) = SiO2(solid)+2H2(gas)SiO2Original Si surfaceSilicon substrate열 산화막에 의한 실리콘 산화막
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 21페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.04.21
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  • 자료 표지
    연소 화학 기상 증착법(Combustion Chemical Vapor Deposition)
    함 Deposition rate가 낮음 접착력이 좋다 균일한 deposition합금NiCo,NbGe,Al2O3,Cr2O3비금속In2O3,SiO2,TaO5,TiO2 VO2,BaTiO3,WO3화합 ... 접착력이 좋다 불순물 영향이적다 생산성이 크다 저온process 대형,복잡한 형상의 제품 coating에 적합하다산화물In2O3,ZnO,Al2O3,Cr2O3 SiO2,TiO2질화물 ... , Co, W, ……WSix, W, TiN, Ti, Al, …… SiO2, Si3N4, SiON, BPSG, PSGPVDPVD는 thermal evaporation, sputtering
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    | 리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.17
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  • 자료 표지
    반도체
    까지 온도가 높아지면서 표면에 형성되는 안정한 Al2O3 피막으로 인하여 750℃까지는 안정적인 사용이 가능하다고 알려져 있다. TiAlN 피막도 보라색(또는 짙은 푸른색)을 기본 ... 가 크기 때문에 독립적인 2개의 증발원으로 Ti과 Al을 각각 증발시켜야 하며 이로 인한 공정제어의 복잡성으로 인하여 상업적인 응용은 거의 이루어지지 않았다. TiN 피막의 또 다른 ... 으로 이온화시켜 처리물질의 표면에 응축시켜서 박막을 형성하는 방법 이다또 한 이 공간에 금속과 반응 합성시키고 싶은 성분원소를 가진 기체를 도입해서 마찬가지로 여기, 이온화시켜 기판
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    | 리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.02.06
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  • 자료 표지
    CVD 와 PVD 코팅
    내마모성 인성 내산화성)목 적☞코팅공구란 초경합금을 모재로 하고 그위에 모재보다 경도가 높은 TiC, TiN, Al2O3등의 경질화합물을 약 2-10㎛의 두께로 피복시킨 것으로 공구 ... CVD분류상 CVD법에 속해 있으나 CVD법과 PVD법 중간적 성격대표적 Coating Film- TiC, TiN, TiCN, Al2O3Etc- Diamond Coating코팅방법 ... 의 종류[ 3 ]TiCl4 + CH4  TiC + 4HCl 2AlCl3 + 3CO2  Al2O3 + 6HCl + 3CO TiCl4 + 1/2N2  TiN + 4HClCVD
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    | 리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.04.05
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  • 자료 표지
    금속산화물 및 질화물의 합성 및 특성 예비레포트
    reductionDirectnitridationFlotationnitridationCVDVapour phaseOrganometallicPrecursorsAl2O3(s) + 3C(s) + N2(g)2AlN(s) + 3CO(g)2Al ... (OH)3 + 3C(s) + N22AlN(s) + 3H2O(g) + 3CO2Al(l) + N2(g) 2AlN(s)2Al(l, g)+N2(g) 2AlN(s)2Al(l, g)+N2(g) ... LiAlH4(l)+AlCl3(s)+NH3(l)3H2(g) + Al(NH2)3R3Al(l) + NH2(l) R3AlNH2(l)Al2O3 and C powders, N2 gasAl(OH)3
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.04.10
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    LED의 원리와 특성
    LED의 원리와 특성■ 목차1. LED란?2. LED 역사 및 동작원리3. LED의 기본특성4. LED 제조 공정1) 사파이어 기판(Al2O2): Substrate2) Epi ... wafer3) Chi 제조: Fab 공정4) Packaging 공정5. LED 패키징6. LED의 장점과 단점1) LED의 장점2) LED의 단점7. LED의 새로운 용도8. LED ... LED의 재료나 제조 방법에 따라 다른 특성을 갖고 있으며, 순방향전압은 적색 LED 1.9 V, 황색 LED 2.1 V, 녹색과 청색 LED 3.0~4.0V이다. 백색 LED
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    | 리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.08.13
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    2차 연료전지에 대한 ppt자료입니다.
    MW 용량까지 적합 고체산화물형 (SOFC) Solid Oxide ZrO 2 -Y 2 O 3 500~ 1000℃ Ni O 2- 2 kW~ 수 MW 의 모든 크기의 CHP 시스템 ... Fuel Cells수소 경제와 연료전지Chemical Energy → Electrical Energy H 2 O Fuel Cell Heat Electricity Fuel Air ... : 폐열활용가능 ( 효율 : 70%) Anode : 2H 2 → 4H 2 + 4e - Cathode : O 2 + 4H + + 4e - → 2H 2 O Overall : 2H 2
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    | 리포트 | 27페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.03.27
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    ZnO 단결정 박막 분석
    .2 FESEM 결과분석4. 참고문헌사파이어(Al2O3) 기판에 성장시킨ZnO 단결정 박막의 미세구조 분석사파이어(Al2O3) 기판에 ZnO를 RF sputter를 이용하여 단결정 ... 를 만들 수 있다.ZnO박막 성장용 기판은 주로 사파이어(Al2O3) 기판을 사용하는데 그 이유는 Si, GaP, GaAs 기판등에 비해 결정도가 5배이상 높게 나오는 것이 실험 ... 다. GaN을 대체할 재료로 ZnO가 주목받는 이유는 광학적으로도 비슷한 특성을 가지고 있는데다 안정적이고 저렴하기 때문이다.fig.1 왼쪽부터 차례대로 ZnO, GaN, Al2O3
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    | 리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.12.31
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    Color TFT-LCD의 구조 및 동작 원리
    과 신호배선의 short, 이웃한 화소전극 사이의 short 등이 있을 수 있다.게이트 신호배선과 데이터 신호배선과 같이 Al2O3, SiNx, SiOx 등의 절연막을 사이에 두 ... Color TFT-LCD의 구조 및 동작원리1.1 Color TFT-LCD의 구조1.1.1 Color LCD 패널의 구조1.1.2 구동회로 Unit1.1.3 Backlight 및 ... Chassis Unit1.2 TFT-Array 패널의 설계1.2.1 박막 트랜지스터의 설계1.2.2 신호배선의 설계1.2.3 화소전극과 축적용량 설계1.2.4 패널 주변부 설계1
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    | 리포트 | 67페이지 | 10,000원 | 등록일 2011.06.12
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  • 자료 표지
    15Etching
    - Etching -목차#. Etching ? #. Wet etching? - 기본과정 - SiO2 식각 - Si3N4 식각 - Si 식각 - Al 식각 -GaAs 식각 ... 를 희석제에 섞은 용액 사용 전체화학반응식 3Si + 4HNO3 → 3SiO2 + 4NO + 2H2O 3SiO2 + 18HF → 3H2SiF6 + 6H2O 3Si + 4HNO3 + 18 ... HF → 4NO + 3H2SiF6 + 8H2O3. Si Etch (2)HF  + HNO3  : 속도는 HNO3 에 의해 좌우 HF  + HNO3  : 속도는 HF 에 의해
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    | 리포트 | 48페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18
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    접합_다이오드의_특성_예비_보고서_2
    apacitance 는 f=1MHz, V=-1V일 때 1pF 입니다.□ 178pg의 시뮬레이션을 수행하고 실험(2)와 실험(3)의 표를 체우고 전압에 따른 전류 특성을 설명하세요.순 ... 알려져 있는데, 이는 순방향저항이 높고 기계적으로 약한 점을 개량한 것으로 골드본드 다이오드 및 실버본드 다이오드가 있습니다. 이처럼 게르마늄 다이오드는 순방향 문턱전압이 0.2V ... 하며, 트랜지스터 구조가 간단하여 고집적화에 적합한 특징을 지니고 있습니다. 또한 잡음이나 소비전력도 적어 IC의 기판에 적합하며 발광다이오드나 레이져 등 응용면이 넓은 반도체
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    | 리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.06.26
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    박막증착 개론
    로 돌아가게 한다.출처: whiteskin.co.kr/2006-1.htm3. TiN 과 Al2O3 박막을 증착하는 장비를 꾸미려 한다. sputtering target을 Ti target ... 과 Al2O3 target 을 사용할 경우 장비는 어떻게 꾸밀 것인가?반응성 sputtering은 금속 target을 이용하여 스퍼터링 할 때 불활성 가스(주로 Ar)와 동시 ... 의 기공내에 박막이 형성되는 경우 기공이 완전히 막히지 않고 작은 구멍(pin-hole)이 생길 수도 있다.2) ALD (원자층 증착법, Atomic Layer Deposition
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    | 리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.11.26
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    wet etching
    13.4g KOH 33g K3Fe(CN)6 H2O to make 1 liter150Au4g KI1000Oxide etch Poly-Si etch Si3N4 etch Al ... OBuffered HF 100 P etch 12Mo1g I2 40ml H2O 5ml H3PO4 2ml HNO3 4ml CH3COOH 150ml H2O500Si3N4Buffered ... HF0.5Pt1ml HNO3 7ml HCl 8ml H2O50AlH3PO4 4ml HNO3 3.5ml CH3OOH 73ml H3PO4 19.5ml H2O10 30W34g KH2PO4
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    | 리포트 | 22페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.01 | 수정일 2013.12.18
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    스티키토
    . 변형 과정은 그림3와 같이 나타난다.3. 제작 과정1) 몸체부 제작가) 준비물① 부속품품 명치 수수 량ABS 몸체10mm*76mm2알루미늄 관Φ1.5mm(외경)*200mm1 ... 제어기 제작가) 제어 회로의 만능기판 상의 결선도가) 부속품재 료 명규 격수 량ICNE5551ICULN2603A(도시바)1IC소켓18P1IC소켓8P1납선상품(1mm)1점프선3색 0.3 ... 전기전자 기초실습 (스티키토)목 차Ⅰ서 론 .....................................................3Ⅱ본
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    | 리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.11.01 | 수정일 2022.04.12
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    세라믹의 종류와 특성 물성평가 방법
    인공적으로 합성한 원료를 사용한 세라믹 재료ex) 알루미나(Al2O3), 지르코니아(ZrO2), 질화규소(Si3N4), 탄화규소(SiC) 등② 소결체와 용융체(제조 공정에 따른 분류 ... 기계부품과 고온가스 터빈 부품, 고온 가스 송풍기 등에 이용(3) 사이알론철 및 비철금속의 압출 다이스, 용접노즐, 자동차 엔진 부품 등에 활용4) 알루미나IC 기판 재료와 각종 ... 속 무게 W2 (g)로 한다.라. 포수 시료의 무게 측정포수 시료를 물 속에서 꺼내어 물수건으로 표면을 닦고, 무게를 달아 포수시료의 무게 W3 (g) 로 한다.?계산가. 겉보기
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.11.18
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    반도체기술
    ◈ CH2 웨이퍼 공정* 구리배선기술반도체 금속배선에 있어 기존의 알루미늄(Al) 배선물질보다 낮은 전기저항 및 보다 좋은 전자이주 특성을 갖는 구리를 이용하여 금속연결선을 만드 ... 는 것?장점1) 생산비용 절감2) 신뢰도를 높일 수 있다3) 수율을 높일 수 있다4) 유해환경물질배출 감소5) 고속화, 고집적화?상감공정 : 절연막 내부로 배선라인 트랜치 및 비어 ... ◈ CH4 클리닝 공정* RCA클리닝 - 습식반도체 웨이퍼 표면을 세정하기 위한 화학적 습식 클리닝 방법의 대표적인 이름* 오존클리닝 - 습식과산화수소(H2O2)의 사용을 대체하기
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.03.28
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  • 영화 <퍼스트 라이드.> 시사회 초대 이벤트
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2025년 10월 16일 목요일
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