"Al2O3 기판"의 검색결과 입니다.

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광운대 mos capacitor 제작 evaporator LG 연구분야 sol-gel spin coating 현대광학 스퍼터링 화학신소재공학부 ALD ppt

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"Al2O3 기판" 검색결과 181-200 / 510건

금속산화물 및 질화물의 합성 실험

: 1.4g, 분자량 : 378.37g/mol)↓Al(NO3)39H2O + HOOCCH2CH2COOH + NH4Cl +CO(NH2)2→ Al(OH)(C4H4O4)1/4H2O▷ 반응물 ... 에 따라 여러 가지이 다 무수물의 Al2O3 에는 a-AlO3및 r-Al2O3 두 가지가 있다．Ga, Fe 같이 다른 ３개의 금속들의 산화물도 이와 같이 두 가지 구조로 결정 ... 화된다. 이들 두 가지 구조에서 산화물 이온은 모두 밀집층진의 배열을 이루나 양이온의 배열이 서로 다르다.a-Al2O3 고온에서 안정하고 저온에서는 무한정 준안정 상태에 있다 자 연

리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.27

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Alq3의 발광 박막의 제조

water - insolubility of water C 27 H 18 AlN 3 O 3실험 방법 Oven 건조 증류수로 washing 후 N 2 가스로 날려줌 Acetone ... coating실험 결과 Ring stretch CH bending C-O stretch C-N stretch Al-O stretch실험 결과실험 결과실험 결과 393nm실험 결과 ... ) 을 수 십 ~ 수 천 Å (1 Å = 10 -4 micron) 두께로 특정 기판 상에 올리는 과정 thermal evaporation( 열 증착 ) e-beam evaporation

리포트 | 16페이지 | 4,000원 | 등록일 2011.05.28

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스퍼터링

, Re, Al, Fe, Ni 등In2O3, ZnO, SnO2 등?FTO (F-doped SnO2)염료 감응형 태양전지에서 수십 마이크로미터 두께의 나노입자 산화물 전극을 투명 전도 ... 로 흐르면서 전기를 생산하다. 전자는 반대편 전도성 유리 기판 표면에 형성된 백금막에 도달해 두 전도성 유리 기판 사이에 들어 있는 전해질로 전달된다.3. 준비 기구 및 장치ㅡTiO2 ... 스퍼터링 (sputtering)-결과 보고서-목차1.실험목적2.기초이론 및 원리3.준비 기구 및 장치4.실험과정5.실험결과6.토의 및 고찰7.인용 및 참고문헌1. 실험 목적

리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.11.16

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아주대 기계설계 분야별 실험3

로는 GaN가 있으며, Sapphire (Al2O3)나 SiC 기판 상에 N형 반도체(N-GaN)와 활성층(InGaN), P형 반도체(P-GaN)가 MOCVD로 차례로 증착 된다. 그 ... 다시 높여준다.2. 임의의 값으로 X축으로 이동시킨다.3. 다시 원점으로 위치시킨 후, Z축으로 5mm를 내려오게 한다.4. 10회 이상의 측정을 반복해 본다.※분해능 실험 : X축 ... 거리를 측정한다.1. GAP SENSOR로 측정한 측정값과 일치 시켜 10회 측정한다..2. 임의의 값으로 X축으로 이동시킨다.3. 다시 원점으로 위치시킨다.4. 10회 이상

리포트 | 16페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.07.22

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9조 post 3주 instrutation amplifier

.03.28 제출일 : 2013.04.03 소속: 전자전기컴퓨터공학부 제 9조 학번: 2009440111 성명: 이종욱 Contents TOC \o "1-3" \h \z \u ... "_Toc352017990" 2.가변저항을 이용해서 Gain을 바꾸어라3 Hyperlink \l "_Toc352017992" III.Discussion PAGEREF _Toc ... 작동 원리는 입력한 전압에서 common-mode signal은 빠진 채로 Vd (전압차)만 Differential circuit에 도착해 (1+2R1/R)의 Gain으로 증폭

리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.03.06 | 수정일 2025.04.11

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전압인가시 LED에 흐르는 전류와 발광시점 측정

, 노란색, 녹색다이아몬드 (C) - 자외선산화 아연(ZnO) - 근 자외선 (개발중)탄화 규소 (SiC) 기판 - 파랑사파이어 (Al2O3) 기판 - 파랑규소 (Si) 기판 ... 1. Title (실험 제목)-전압인가시 LED에 흐르는 전류와 발광시점 측정2. Objectives (실험 목적)- LED발광시점을 측정해보고 작동원리를 이해한다3 ... 에서는 2.1V 정도가 되고 빨간빛을 내지 않는 것은 1.4V 정도이며, 백색과 파란색은 3.5V 정도이다.? ?LED가 발광을 할때 소비되는 전류는 표시등 용도에서는 5mA~ 50 mA

리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.12.13 | 수정일 2014.11.16

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전전컴설계실험1-5주차예비

화를 하고 probe를 보정한다. 실험2를 통해서 Impedance의 개념과 Impedance matching의 중요성에 대해서 논할 것이다. 실험3에서는 여러가지 파형 ... ,를 Ps 관측하시오.=1ΩC=100F () =0[3-1] [2-1], [2-2] 회로에서 를 아래와 같은 전압을 인가하여 () 및 () 를 구하시오.1. Vs(t) = 5*cos(2 ... *pi*50000*t), 정현파2. Vs(t) = 3.5*sin(2*pi*3000*t)-1.23. Vs(t) = 20kHz, 구형파, (-1V~1V)4. Vs(t) = 15KHz 삼각

리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.03.28 | 수정일 2014.04.15

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PLD 타겟 제조방법에 관한 레포트

하는의 물질을 합성하기 위하여 Bi2O3와 Al2O3를 사용할 것이다.PLD는 1inch의 지름을 가지는 target을 만들어야 하기 때문에 약 40g정도의 BiAlO3가 필요 ... 와 Al2O3를 가지고 한다.Bi2O3 1mole 원자량Al2O3 1mole 원자량Bi2O3 → 465.958 g/molAl2O3 → 101.977 g/molBiAlO3234.97950 ... .988285.9위와 같이 BiAlO3를 합성하기 위해서는 1/2의 Bi2O3와 Al2O3를 합성해야 된다. 위에서 보는 것처럼 Bi2O3의 원자량은 465.958g/mol이

리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.12.27

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PDP용 무연계 투명유전체 Dry Film 제조 실험보고서

성 분(wt,%)소성온도(℃)PbOSiO2B2O3Al2O3ZnO투명유전체65~70253~50~5소량550~600※ 일반적으로 투명유전체 제작 시 납산화물이 다량 사용된다. 납산화물 ... 의 무게비(wt%)로 분말 칭량Bi2O3BaOB2O3ZnOCaOSiO2Al2O3MgOCuO4조4040.5415.95.65.35521102. 플라스틱 병에 지르코니아 볼과 함께 장입 ... film) 제조4. Green sheet를 PD-200 유리기판 위에 올려 놓고 80℃로 예열된 라미네이션 장치에서 20kg/cm2의 하중으로 30초간 열 압착5. 라미네이션 된

리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.12.15

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경북대학교 전자공학실험2 올A+ 예비보고서 3장 (복사실 판메제안 받은자료)

예비 3장. MOSFET증폭기의 주파수 응답실험3. MOSFET 증폭기의 주파수 응답1. 실험목적- MOS 전계효과 트랜지스터의 소신호(small signal) 등가회로를 사용 ... 그림 3.2는 일반적인 RC 결합 증폭기의 주파수 응답 특성을 주파수 축은 로그 스케일로, 이득을 나타내는 축을 중간대역에서의 이득 값으로 정규화하여 데시벨(dB)로 나타낸 것이 ... 다.③공통 소스 증폭기의 저주파 응답그림 3.1의 증폭기에서는 결합 커패시터C _{1},C _{2} 및 바이패스 커패시터C _{S}가 저주파 응답에 주로 영향을 미치게 되는데, 증폭기

리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.11.03 | 수정일 2022.03.28

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DSSC시간변위

Ti(O-i-C3H7)4 (titanium Tetra Iso Propoxide, 이하 TTIP)를 평량하고 이것을 미리 제조된 C2H5OH 용액과 혼합한 후 이렇게 하여 제조 ... 염료감응형태양전지스퍼터링 시간 변위에 따른 효율비교-결과 보고서-목차1.실험목적2.기초이론 및 원리3.준비 기구 및 장치4.실험과정5.실험결과6.토의 및 고찰7.인용 및 참고문헌 ... (Al), 실리카(Si)등으로 코팅을 하여 용도별로 그레이드를 다양화한다.◆지르코늄ZrO2 세라믹스에 안정화제로 첨가된 Ca, Mg, Y 등의 이온들이 Zr 이온과 원자가가 다체

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.11.16 | 수정일 2018.05.10

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85화합물 반도체 공정(유전막 증착)

사용된다.2Vacuum Evaporation(진공증착)진공 증착 장치의 기본구조Vacuum Evaporation(진공 증착)진공 증착이 Al이나 다른 금속 물질의 박막 형성에 많이 ... 사용되는 이유 큰 증착률 가능 ( 0.5 m/min for Al ) 0.1eV 정도의 낮은 에너지로 기판 무손상 고진공 (순수 박막) 문제점 정확한 합금 성분 조성이 어렵 ... wafershuttercruciblerotator용융점이 높은 금속 (W, Nb, Si..)과 유전체(SiO2)의 박막을 기판 위에 증착 할 수 있는 장비 반도체 공정 및 MEMS 공정에 필요한 전극 제작

리포트 | 43페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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마이크로 유전체

3-B2O3) 유리가 보고되었으며 Chakraborty 그룹에서20-28 mol% La2O3 첨가로 안정적인 이성분계의 유리 제조가 가능하다고 보고 하였다.그림 4 상용화 물질 ... 과 La2O3-B2O3 유리 기반 물질의 유전특성● 초저손실 유전체 소재 연구최근 휴대폰, 무선랜 그리고 지능형 교통 시스템(ITS ; intelligent transport ... 통신 소재에 관한 연구산화철(Fe2O3)을 기본으로 하는 페라이트(Ferrites) 자성체는 자발자성 특성을 지닌 세라믹 자성체로서 통신부품 및 각종 전자기기에 필수적으로 사용

리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.11.15

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세라믹 소결(수정본) 세라믹

저항, 그리고 재료의 응력 파단 수명 에 중요한 영향을 미친다. 입계 유리상의 결정화는 이러한 물성을 향상시킨다.- 자기는(K2O-Al2O3-SiO2) 전통적인 세라믹으로 액상 ... 소결로서 치밀화 된다. 자기는약 50%의 카올린 점토(~45% Al2O3, 55% SiO2)와, 25% potash-장석, 그리고 25% SiO2로제조된다.- Si3N4가 기본인 ... 과 첨가제를 선택하는 것이다.- 다른 한 가지 방법은 평형 상태에서 고용체를 형성하는 출발 분말을 사용하는 것이다.- 반응 액상 소결의 다른 예는 SiC-Al2O3 system

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.06.29

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신소재공학 (spin-coating,ALD,CVD)

의 확산 원으로는 약 10wt%의 농도가 필요하다. PSG막에서 P농도에 영향을 미치는 O2, PH3 공급량의 영향을 살펴보면 SiH4및 PH3을 일정하게 하고 O2 농도를 증가 시켰 ... 을 때 성장 속도는 PH3을 첨가하지 않은 UDO와 같이 O2의 저 농도 영역에서는 O2 농도의 증가에 따라 증가하나 어느 범위의 일정치를 보 인 후는 감소한다. 또한 P농도는 O2 ... 증연막으로 이용되어지는 산화막(SiO2), PSG(Phosphosilicate Glass)막 또는 표면 보호막으로 이용되어지는 질화막(SiN, Si3N4)등이 CVD방법으로 만들

리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.12.20

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MAS유리 와 LAS유리

1.MgO-Al _{2} O _{3} -SiO _{2} -MASMAS계는 저열팽창성의 결정화 유리로서 3성분계로서의 유리화 범위 및 결정상의 형성영역 또한 넓을 뿐만 아니라 열 ... LAS계(Li _{2} O-Al _{2} O _{3} -SiO _{2}) 유리 및 결정화 유리와 달리, 유리 구성요소로서 알카리 성분을 함유 하지 않기 때문에 열처리 공정 중 발생 ... 을 찾을 수 있습니다.MAS계 유리의 3성분계2.`Li _{2} O-Al _{2} O _{3} -SiO _{2} -LASLAS계 유리는 낮은 열팽창 특성을 갖기 때문에 많은 연구

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.01.20

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Thermal Evaporation법을 이용한 박막의 제조(결과)

어야 하며, 피복층 조직은 피처리물 가열온도와 반응성 가스의 유입량에 의해 결정된다. Al2O3, Cr2O3, Fe2O3, SiO2, Ta3O3, TiO2, ZrO2, Y2O3-ZrO2 ... 하다.2) 매우 많은 물질에 쉽게 적용할 수 있다.3) 박막이 될 수 있는 메카니즘이 비교적 단순하기 때문에, 박막형성에 있어서 핵생성이나 성장의 이론과의 대응을 하기 쉽다.4 ... 과 다른 결정구조를 지닌 물질이나 다른 성분비를 지닌 화합물을 만들 수 있다.▷ 단점1) 만들어진 박막과 기판의 면과의 사이의 접착이 약할때가 많다.2) 만들어진 박막의 구조민감한 성질

리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.12.11

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금속 산화물 및 질화물 합성 (예비)

. 전구물질의 합성1ℓ용량의 삼각플라스크속에 물 100㎖에 Al(NO3)3?9H2O 1.4g(3.7×10-3moles)을 녹인 용액을 넣고, 그 용액에 물 100㎖에 숙신산 5g이 녹 ... 계의 질화반응 메카니즘과 얻어진 분말에 대한 소결성에 관한 연구가 진행중에 있다.3.실험 기구고온( >1500℃) 튜브형 전기로 ; 알루미나 보우트 ; 삼각플라스크 ; Al(NO3)3 ... ?9H2O ; 숙신산 ; 요소 ; NH4Cl ; N2 기체4.실험방법알루미늄의 숙신산 착물을 전구물질로 하며, 별도의 탄소의 혼합없이 질화반응을 시켜 AlN분말을 합성한다.4.1

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.04.04

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contact property

그림 3. Al 과 Ni 측정 결과위의 그림 2와 3은 각각 Al과 Al, Al과 Ni의 부분을 측정한 결과이다.그림을 보았을 때, 그림 2는 Ohmic contact의 형태를 보 ... W까지 소스가 가능핟.4-quadrant 동작으로 51/2-디지트 분해능과 0.012% 기본 정확도를 갖는다. 고속 선별(binning) 및 핸들러 와의 연결을 위한 디지털I/O ... 한다. Sample의 양 모서리에는 Al을 증착하고, 중심부에 Ni을 증착한다.그림 1. 샘플 모식도3. I-V measurement system으로 Al과 Al부분을 측정해보고, Al

리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.09.26

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사파이어 웨이퍼

다. 현재까지 GaN 이종 에피 성장을 위해 사용되어온 다양한 여러 가지 이종기판에 관한 물리적 특성이 아래의 표에 나타나있다. 사파이어(α-Al2O3)는 그간 GaN의 성장에 있 ... Sapphire WaferⅠ 서 론Ⅰ-1 설계 주제Ⅰ-2 조원 소개Ⅰ-3 기판 개발의 필요성Ⅰ-4 LED 란 무엇인가Ⅰ-5 Wafer 란 무엇인가Ⅱ 본 론Ⅱ-1 기판의 종류 ... Sapphire Wafer 현황- 세계 시장- 국내 시장Ⅲ 결 론Ⅲ-1 LED기판 wafer의 시장성Ⅲ-2 LED기판 wafer의 전망Ⅲ-3 기판개발을 위한 연구동향Ⅳ 참 고 문

리포트 | 49페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.12

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