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광운대 mos capacitor 제작 evaporator LG 연구분야 sol-gel spin coating 현대광학 스퍼터링 화학신소재공학부 ALD ppt
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"Al2O3 기판" 검색결과 281-300 / 510건

  • 자료 표지
    [대체에너지석유화학] 연료전지의 구성과 원리전망 (Fuel Cells) (연료, 가정용, 휴대용, 에너지, 전지, 발전, 수소)
    + 2e- Cathode : 1/2O2 + 2H+ +2e- → H2O Overall : H2 +1/2O2 → H2O + 전류 + 열연료전지시스템의 장단점 및 발전 방식장 점단 점 ... 650℃Ni, LiNiCO32-중~대규모 CHP 시스템 MW 용량까지 적합고체산화물형 (SOFC)Solid Oxide ZrO2-Y2O3500~ 1000℃NiO2-2 kW~수 MW ... Chemical Energy → Electrical EnergyH2OFuel CellHeatElectricityFuelAir화학에너지가 전기에너지로 직접 변환되어 전기를 생산하는 능력
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 28페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.01.26
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  • 자료 표지
    산화물반도체,Oxide Semiconductor
    oxide semiconductor는 2가지 원소로 구성되어진 material을 말하며ZnO, SnO2, In2O3가 여기에 속한다. Binary compound material의 근본 ... oncentration을 control하고자 하는 의도로 연구가 진행되어져 왔으며, n-type material로써 ZnO 기반의 IZO, ZTO와, In2O3 기반의 IZO, IGO ... 가 여기에 속한다. 자세히 들여다보게 되면 대부분의 Oxide semiconductor 에는 Indium이 포함되어있는 것을 보게 되는데 이는 In2O3가 bixbyite구조
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.10.18
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  • 자료 표지
    금속산화물 및 질화물 특성 예비보고서
    로서의 수요증대가 크게 기대되고 있다.종래의 기판용 재료는 알루미나[Al2O3 : 분자량이 101.96이고, 비중이 3.965이며, 용융점이 2072℃인 백색의 분말로서 육방정 (a=4 ... 는73KT=673～1123KP=50atmT=2340～2640Kⅰ)mechanism(추정한 것)1단계: 2Al(NO3)3?9H2O + 3HOOCCH2CH2COOH->3Al+ ... -OOCCH2CH2COO-+Al +6HNO3+9H2O2단계: Al+-OOCCH2CH2COO-+Al + 2NH4Cl + CO(NH2)2→ 2AlN + ? (HCl, CO, NH4+-OOCCH
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.03.09
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  • 자료 표지
    금속 산화물 및 질화물의 합성 및 특성 조사
    (g)2Al(OH)3 + 3C(s) + N22AlN(s) + 3H2O(g) + 3CO2Al(l) + N2(g) 2AlN(s)2Al(l, g)+N2(g) 2AlN(s)2Al(l, g) ... (g)3LiAlH4(l)+AlCl3(s)+NH3(l)3H2(g) + Al(NH2)3R3Al(l) + NH2(l) R3AlNH2(l)Al2O3 and C powders, N2 ... gasAlCl3 powder,NH3 gasLiAlH4, Et2O,AlCl3, NH3Al metal, NH2, R3AlT=1973 ~ 2073K,Pco=0.115~0.266atmT
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.09.11
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  • 자료 표지
    재료분석
    준비 혼합 추출산 HNO3(type1) HNO3+H2O2(4:1) (type2) 5.55%HNO3+16.75%HCl(type3)AAS ICP분석된 원소 AAS (5종) Na ... 으로 평가 - 산화제로 HNO3과 H2O2를 이용함으로써 As네 의한 다원자 간섭의 형성이 제한되어 기기 감도를 상당히 개선 할수 있음을 확인 Cr, As, V등의 원소분석의 경우 기존 ... 게 평가) AAS의 경우 모든 원소가 10%미만 Type2 Na(25.20), Al(21.85), K(19.97), Ag(24.96), 그외 15%미만 AAS의 경우 모든 원소가 10
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 40페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.11.09
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  • 자료 표지
    전해도금-3
    필요양의 반을 물에 용해㈏ CuCN을 천천히 첨가하면서 교반 → 착염인 Na2Cu(CN)3의 생 성 반응을 시킴㈐ 완전 용해 후 활성탄을 1 ～ 3g/ℓ 첨가 교반 후 여과㈑ 규정 ... 스트라이크 도 금을 해야한다.③ 도금액 성분의 역할㈎ CuCN 및 NaCN : 구리 이온 보급원CuCN + 2NaCN → Na2Cu(CN)3 의 착염을 만들어 이온 보급㈏ NaOH ... (또는 KOH) : pH를 높이고 욕의 전도율과 피복력을 좋게 함㈐ Na2CO3(또는 CaCO3) : 가해지는 것이 아니라, 불순물로 계속 증가- 많아지면 양극용해가 잘안되고 광택
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    | 리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.17
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  • 자료 표지
    Electron Beam Evaporation
    .32MgO〃2100~280020463.6101.94Al2O3〃1600~280018606.5391.22Zr〃1600~210017274.547.90Ti〃1200~160014152 ... 되고 있다.E-beam 구조E-beam Evaporation?E-beam evaporator는 각종 금속(Au, Al, Ti, Cr, In, Ni)과 유전체(SiO2)의 박막을 기판 위 ... 〃1600~210014708.7441.76Ta2O3〃2800~350030509.69264.10ThO2〃1600~280015002.160.09SiO2〃2100~280026403.6540
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.08.21
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  • 자료 표지
    마이크로 최종제안서
    한 입출력선이다.? 독립적으로 읽고 쓸 수 있는32개의I/O pin이 있다.P0부터 P3까지의 4개의 포트를 말한다.? 2가지레벨 우선 순위가지는 6개의 소스와 5개의 벡터 인터럽트 ... 목 차(Table of contents)1. 과제문제 ,배경, 필요성2. 과제목적, 제한사항3. 설계내용, 설계방법, 도구, 장비4. 조직, 업무 분담표5. 설계일정6. 과제예산 ... 8051 microchip46000각 조원당 1개78L051500LM3935502트랜지스터2SC18154300각 조원당 1개3정전압 다이오드RD3.9A4550각 조원당 1개4카본
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.10.07
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  • 자료 표지
    [구조세라믹스] 광/전자 세라믹스
    는 이온이나 공유결합으로 이루어져 있어 전기 절연성이 우수하며 이 용도로 사용되어 온 유전체재료 로는 마그네시아(MgO), 알루미나(Al2O3) 등이 있다. 이 중, 전기장을 가하지않 ... 도 애자 등으로는 장석이나 점토 등 천연원료가 사용되지만 절연재료로 내열성이나 기계적 강도가 요구되는 경우에는 산화알루미늄(Al2O3), 산화마그네슘(MgO)이나 산화규소(SiO2 ... ) 등의 고순도 원료가 사용되고 있으며, 뮬라이트(3Al2O3?2SiO2)나 포스테라이트(2MgO?SiO2)와 같은 재료가 실용화 되고 있다. 특히 고온에서의 소결기술 진보에 따라
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.05.18
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  • 자료 표지
    플렉시블 유기태양전지의 상업화 과제와 전망 Flexible organic solar cell
    함으로써 가능할 것으로 보인다. 또한, 소자구조측면에서 tandem 궂를 실현하여 2층 3층 구조의 소자를 제작하면 광손실을 최소화 할 수 있고, Voc도 개선할 수 있어 효율이 증대될 수 ... 의 면를 스핀코팅한 후, P3HT:PCBM (1:0.8)을 MicroFab사의 30um크기의 단일노즐장비를 이용하여 잉크젯 프린트하고, 그 위에 LiF/Al을 증착해 cathode ... Konarka사에서는 PEDOT-PSS층을 바코팅한 표면에 o-dichlorobenezene과 mesitylene을 혼합한 용매를 이용해 P3HT:PCBM을 잉크젯 프린팅하여 20
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    | 리포트 | 8페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.01.03
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  • 자료 표지
    산화아연의 전망
    다. 또한 T. Aoki등11)은 n-형의 ZnO 박막의 표면을 통한 P 토핑법을 이용하여 p-형의 ZnO 박막을 제조하였다고 보고 하였고, lnP 기판 및 Zn3P2 분위기 하에서 열 ... 에너지tate dihydrate (Zn(CH3COO)2..2H2O) monoethanol-amine (MEA: H2NCH2CH2OH), N2-gas* Zinc acetate ... dihydrate - 결정성 고체이며 무채색에서 흰색까지 있다. 자극적인 냄새가 나며 신맛이 난다. 분자식은 Zn(CH3COO)2.2(H2O)이며 분자량은 219.51이다. 녹는점은 200
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    | 리포트 | 28페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.06.29
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  • 자료 표지
    [사업계획서]한맥전자
    로서 제공합니다. 폼포비즈목 차I. 투자제안 II. 회사 소개 III. 사업현황 1. PDP화상검사장치 2. 3D Laser입력기 3. 원격검침장치 4. 계측기 사업IV. 노광기 사업 ... (신사업) 1. 사업 내용 2. 제품 특징 3. 사업 전망 4. 추진 일정 5. 개발팀 V. 사업 분석 1. 재무현황 2. 부문별 예상매출 3. 사업전략 4. 투자계획I . 투자제안 ... 검사장치 2. 3D Laser 입력기 3. 원격검침장치 4. 계측기 사업1. PDP용 화상 검사 장치차세대 대면적 평판표시 장치인 PDP에 대한 화상 검사장비 - 병렬처리에 의한
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    | 리포트 | 41페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.04.17
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  • 자료 표지
    반도체 레이저 다이오드
    , Al2O3, Si3N4등의 절연막이 있으며,반사율, 고 굴절률 다층막으로서 비정실 실리콘을 사용한다.-흡열재료: 반도체레이저는 열에 의하여 특성과 신뢰성이 매우 많은 영향을 받 ... 보다 0.2-0.5eV정도 큰 재료를 선택한다.3-30um대 : 각종 가스 센서용 광원2-3um대 : 초저손실 불화물계 광섬유 통신1.3,1.55um대 : 석영계 광섬유 통신0.8 ... : Si, Ge, S, Te, Se, Cl, Br- 억셉터로 사용되는 원소 : Zn, Cd, Ge, N2. 기판 재료반도체레이저 기판으로는 GaAs, InP, GaSb등의 화합물
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.10.19
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  • 자료 표지
    DSSC 효율증대 방안
    .4~5.8% 수준임.- 광전극 표면처리를 통한 불순물 제거-코어쉘을 통한 ZnO, Al2O3, SiO2, Nb2O5, WO3, MgO, SrTiO3, CaCO3 등이 가능 ... 조밀한 TiO2 뿐만 아니라 입자 크기가 다른 두 가지 페이스트를 이용하는 연구- 상대전극 Pt 대체-탄소나노튜브를 마이크로미터 수준의 작은 공 모양으로 뭉쳐서 기판에 도포- 빛 ... ) isopropoxide)와 48mmol H2O, 1mmol Methylamine를 용해하여 비정질의 입자를 생성. -생성된 비정질의 구 및 기타 형태의 입자를 원심분리법을 이용하여 제조
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.04.02 | 수정일 2014.11.13
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  • 자료 표지
    MOSFET 이론
    반도체로는 Si를, 절연체에는 SiO2 를, 게이트는 Al 이 일반적으로 이용 기본동작(p형 Si기판 위에 n형 채널 형성) n+형 소스와 드레인 영역은 p형 기판에 확산 또는 이온 ... 주입으로 형성 얇은 산화물층(SiO2)은 Si 표면으로부터 Al 금속 게이트를 분리 기판에 대한 양의 전압을 게이트에 인가 : 양의 전하가 게이트 금속에 부착금속-절연체-반도체 ... MOSFET 특성2009. 3.27.금속-절연체-반도체 FET소 개 디지털 소자에 널리 사용 채널 전류는 채널로부터 절연체에 의해 분리된 게이트 전극에 인가된 전압으로 제어
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    | 리포트 | 40페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.04.08
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    박막재료의표면처리및식각실험(예비).
    (patterning) - Lithography 공정 (조교가 수행)(2) 패턴된 산화막의 표면 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용(3) 패턴된 산화막을 반응성 이온 식각장치를 사용 ... 하여 적절한 식각가스와 power를 선택하여 식각 실험을 진행한다.(4) 식각된 산화막의 표면의 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용(5) 마스크 패턴의 제거 (O2 ... 하기 위한 장벽물질로 금속을 사용한다.2) Wet Etching습식 에칭은 등방성으로 치수정밀도는 떨어지지만 선택성이 좋아 기판에 손상을 주지 않기 때문에 치수정밀도를 요구하지 않는0382
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.09.23
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  • 자료 표지
    FED의 모든것, 제조공정. 원리. 실용
    다. ZnS:Cu/Al(녹색), ZnS:Ag/Cl(청색) 및 ZnCd:Ag/Cl(적색) 등으로 대표되어지는 기존 CRT용 형광체의 표면처리에는 In2O3나 SnO2와 같은 전도성이 좋 ... 다. FED용으로 많이 연구되어지는 산화물계 형광체로는 적색 발광으로 Y2O3:Eu, Gd2O3:Eu, SrTiO3:Pr/Al/Ga, CaTiO:Pr/Al/Ga 등이 있고, 녹색 ... 지만 주로 Sol-Gel법과 같은 액상법이 많이 연구되고 있다. 그 대표적인 예로 ZnS:Ag/Cl의 형광체에 Sol-Gel법으로 In2O3를 코팅한 연구에서 형광체의 발광 효율 및 안정
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 23페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.04.08
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  • 자료 표지
    thermal evaporation법을 이용한 박막의 제조 레포트.
    는다.2 이론박막이란, 두께가 단원자층에 상당하는 0.1nm에서 10μm정도의 두께를 가진 기판 상에 만들어진 고체 막으로 정의된다.이와 같은 박막은 형성과정이 보통의 덩어리재료 ... 이 유리하다.2-3.진공 증착법(Vacuum Evaporation)진공 증착법은 1939년경 최초 소개되었으나 진공기술이 충분히 개발된 1949년 이후에야 산업에 응용되기 시작 ... 이 일어나도록 하여야 하므로 피처림룽르 적절히 가열하여야 하고, 반응성 가스 유입량을 조절하여 주어야 하며, 피복층 조직은 피처리물 가열온도와 반응성 가스의 유입량에 의해 결정된다. Al2다.
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    | 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.15
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  • 자료 표지
    LNA 설계 발표 자료
    Center frequency : 1.5 GHz Gain : 10 dB Noise Figure : 1 Mu : 0.5 S(1,1) S(2,2) : -10 dB 기판 정보 H = 0 ... 의 System 에서 Noise를 포함한 신호를 다루게 되므로 결과적으로 우리가 원하는 Input signal을 Output signal로 출력할 수 없게 된다. - 단순히 이득만을 고려 ... .54 mm , Er = 2.54, Mur = 1, Cond = 1.0E+50 Hu = 1.02e+033mm, T = 0.018 mm, TanD = 0.002
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.22
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  • 자료 표지
    ion plating
    저항 부품In2O3광 투과율, 전기 양도체투명 도전막○ 기판의 종류기판에 따라 성장된 초전도 박막의 수송 특성과 결정 방향, 표면 상태 등이 달라지기 때문에 양질의 고온 초전 ... 목차1. Ion Plating 의 원리2. 장비 및 공정3. 응용성4. 개발 방향 (연구방향)5. 느낀점1. Ion Plating의 원리○ Ion Plating의 원리와 특징 ... 여 이온-----(3)(S : 음극물질, G* : 불안정한 가스 원자)이상과 같이 방전공간에 증발원자를 도입하는 Ion Plating의 경우도 가스중의 방전과 동일한 (1), (2
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.01.02
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