연소 화학 기상 증착법(Combustion Chemical Vapor Deposition)

소개글

박막 제조 방법 중 연소 화학 기상 증착법, 즉 C-CVD(Combustion Chemical Vapor Deposition) 방법에 대한 전반적인 내용을 다룬 자료 입니다.

목차

1.박막제조기술
2.PVD
3.CVD
4.CCVD
5.CCVD 장점
6.Summary

본문내용

<PVD> - thermal evaporation, sputtering, ion-plating 으로 크게 분류

Thermal evaporation - 성장속도는 크나 박막의 밀착 강도가 작고 균일한 박막제조에는 불리하다. 특히 방향성 있는 증발입자의 직선운동 때문에 기판의 step coverage가 낮다.
Sputter - Thermal evaporation의 단점을 보완, 금속뿐만 아니라 화합물, 절연체의 박막성장이 용이하며 높은 energy를 갖는 process 이므로 박막의 접착력이 크다. step coverage가 좋아 균일한 성막이 가능하다. 단점인 낮은 성막속도는 magnetron이나 ECR (Electron Cyclotron Resonance)을 이용한 Sputter로 해결
Ion-plating – 대형제품, 복잡한 형상의 제품에 박막을 입힐때 효과적 증발된 입자가 plasma를 통과하면서 ion화 되어 Sputter와 같이 높은 energy 를 가지며 코팅되기 때문에 박막의 접착력도좋다. 기판의 온도가 낮은 저온 process이므로 생산성도 좋다.

PVD의 방법들은 CVD에 비해 재료의 다양성 면과 성막속도면에서 불리하다
그러나 적절한 PVD방법을 선정하여 적절한 재료에 사용할 경우 CVD에서
이룰 수 없는 공정을 쉽게 행할 수 있다.
(metastable한 phase 박막의 형성, 초박막형성)

참고 자료

없음