반도체소자와공정-1

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최초 등록일
2012.04.21
최종 저작일
2012.01
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소개글

반도체 소자에 대하여 상세히 설명된 자료입니다.

목차

1.반도체 소자
1) 바이폴라(TTL, ECL)
2) 유니폴라(NMOS, CMOS)
2.반도체 공정
1) wafer 제조
2) 산화 공정
3) 노광 공정
4) 식각 공정
5) 확산 및 이온주입 공정
6) 박막 증착 공정
7) 테스트 공정
8) 패키징 공정

본문내용

5) 확산공정과 이온주입공정
이온 주입공정이란?
1) 이온들은 이온 빔을 이용하여 반도체 속에 주입된다.
장점은 불순물 양의 정확한 제어, 재연하기 편한 형태,
그리고 확산 공정과 비교했을 때 낮은 공정 온도이다.
2) 그러나 이온 주입시 격자 손상을 입기 때문에 열처리
가 필요하다.
이온 채널링
1) 이온 주입시 target의 결정구조에 따라서 이온의 진행
방향이 결정 내부의 channel을 따라서 이동한다.
2) 이온 채널링에 의해 원하는 범위만큼 이온 주입이 어렵
다.

6) 박막 증착 공정
에피텍시얼 성장에 사용하는 기술
화학 기상 증착(CVD:Chemical Vapor Deposition)
1) GAS간의 화학반응으로 형성된 입자들을 wafer 표면
에 증착하여 절연막이나 전도성막을 형성시키는 공정
성장속도가 빠르다.
분자 빔 에피텍시얼(MBE:Molecular beam epitaxy)
1) MBE는 초고 진공 상태에서 결정 표면에 분자 또는 원
자의 하나 혹은 그 이상의 열 빔(thermal beam)반응
을 포함하는 에피택시얼 공정이다.
2) 성장속도는 느리지만 정확히 제작할 수 있다.

참고 자료

없음
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