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PECVD / SPUTTER

*용
최초 등록일
2009.05.12
최종 저작일
2008.06
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소개글

PECVD / SPUTTER에 관해 서술

목차

1.PECVD / SPUTTER
2.실험방법 및 목적
3.이론적 배경
4.실험 데이터.
5.결과 및 고찰.

본문내용

1PECVD / SPUTTER


2.실험방법 및 목적
-Deposition(증착) 공정중 sputtering 방식과 PECVD 방식을 알아보고 PECVD 공정과정 을 실제로 관찰해 본다. PECVD 공정 과정에 사용되는 기구를 실제로 보고 그 쓰임세에 대해 알아본다.


3.이론적 배경
-Sputtering
금속판에 아르곤 등의 불활성 원소를 부딪쳐서 금속 분자를 쫓아낸 후 표면에 막을 부착 하는 기술 Sputtering의 원리는 고전압이 인가된 증착할 금속으로 만든 타겟과 Anode 전극 사이에 Ar가스를 주입하고, 플라즈마 방전을 이용하여 Ar+을 여기 시키면, 고전압 에 의해 가속된 Ar+은 높은 운동에너지가 금속 분자간의 결합에너지 보다 클 경우, 금속표면에 있는 원자를 떼어낼 수 있게 된다.
오래 된 형광등을 보면 관 끝 쪽이 거뭇하게 되어 있는데 이는 플라스마로부터 음극에 들어가는 이온에 의한 스퍼터링 현상이며 음극 재료인 원자가 튕겨 나갔기 때문이다. 이러한 현상을 응용한 것이 스퍼터링 기술이다.
왼쪽 그림을 보고 설명하자면, 예를 들어 운동 에너지를 갖고 있는 이온이 음극 표면의 수천 개의 격자형 원자와 격렬하게 충돌하여 제 1층 또는 제 2층에 있는 원자의 어떤것 을 격자 형태로부터 뜯어내어 공간을 튀어나가게 하는 데 이것이 스퍼터링 현상이다.
1개의 이온당 몇 개의 격자 원자가 스퍼터하는가의 비율을 스퍼터 수량이라고 부른다. 이 수량은 이온의 에너지가 높을수록 높아진다.

배선은 다층 상태에서도 깨끗하게 끊김없이 이어져야 한다.(STEP COVERAGE) 이런 단차가 있는 곳을 스텝(STEP)이라고 하는데 이 단차를 넘어서 미크론 단위의 너비와 두께의 금속막이 끊기지 않고 이어져야 한다. 이러한 문제에 대해서 스퍼터 증착은 진공 증착에 비해 뛰어나다,
스퍼터 성막(成膜)의 주류는 2극 스퍼터링이었다. 5cm 쯤의 거리를 두고 평행으로 놓은 음극과 양극 사이에 글로 방전(glow 放電)을 만들어 음극 쪽에 스퍼터해야 하는 재료를 놓고 양극 쪽에 기판을 놓는 방식이었다.

참고 자료

없음

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*용
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