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반도체 공정 태양전지 반도체 주제 서론 브리즈만 법 삼성전자 pt면접 mocvd 집적회로공정 led종류 파운드리
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"GAA공정" 검색결과 181-200 / 459건

  • 자료 표지
    화합물 반도체
    저항률이 떨어지는 것입니다.여기에는 원소 주기율표 3-5족의 비소화갈륨 GaAs·인화갈륨 GaP, 2-6족의 황화카드뮴 CdS·텔루르 화 아연 ZnTe, 4-6족의 황화납 PbS ... 원소의 것이 주류를 이루고 있었으나 그밖에도 GaAs 등 화합물반도체의 한 무리가 특수용도로 사용되고 있었습니다. 화합물반도체는 화합물이면서도 반도체적인 특성을 가지는 물질 ... - III족+V족 : GaAs, GaP, InP- IV족+IV족 : SiC- II족+VI족 : ZnSe, ZnS또 2원 화합물만이 아니라, 3원(GaAsP), 4원(InGaAsP
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.02.06
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  • 자료 표지
    화합물 반도체
    정보 관리나 일정관리에 있어 많은 발전이 있었으나, 공정 특성상 공정관리 기술이나 생산관리 측면에서 풀어야 할 문제를 가지고 있다.※ GaAs, InP등의 화합물반도체는 휴대전화 ... ---- 목 차 ----◎ 화합물 반도체의 정의◎ Si 반도체와의 차이◎ 화합물 반도체의 종류※ III-V 족 화합물 반도체 (GaAs, GaN)※ II-VI 족 화합물 반도체 ... (ZnO, ZnSe, CdS)◎ 화합물 반도체의 제조 공정◎ 화합물 반도체의 제조 장비※ HWE ( Hot Wall Epitaxy )※ MBE (Molecular Beam
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.11
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  • 자료 표지
    ppt,파워포인트]연료감응형 태양전지(화학실험)
    비결정 SiGe 8 ~ 13% - 화합물 반도체 태양전지 2 원계 GaAs , InP CdS , CdTe 18 ~ 30%( GaAs ) 10 ~ 12%( 기타 ) - 3 원계 ... % 의 효율 11% 의 효율 색깔 검정색 다양한 색깔 구현 무게 무겁다 가볍다 제조단가 비싸다 저렴하다 실리콘 태양전지는 제작 공정이 까다롭고 고가의 재료를 사용하기 때문 에 가격 ... 보다는 낮지만 , 저가의 제조설비 및 공정기술 로 인해 발전단가를 낮출 수 있고 , 여러 장점들로 인해 전 세계적으로 집중적인 연구가 행해지고 있다 .염료감응형 태양전지의 현황 Dye
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 46페이지 | 3,600원 | 등록일 2012.07.10 | 수정일 2014.02.19
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    박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거 (반도체 식각)
    접한다. 낮에는 태양 밤하늘에 보이는 별, 방 안의 형광등, 길거리 네온 싸인 등은 직접 접할 수 있는 플라즈마이며 반도체, LCD 모니터, 핸드폰 등에서처럼 제조 공정중 ... 방법을 (그림 3) 에 나타내었다. 사진공정은 크게 광 노광기술(optical lithography)과 방사 노광기술(radiation lithography)로 구분되며, 광 노광 ... 기술에서는 자외선(UV)이, 방사 노광기술에서는 X-선이나, 전자빔 또는 이온빔 등이 사용된다. 사진공정에서는 광화학적(photochemical) 반응이 회분식 반응기들에서 일어나
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.10.13
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  • 자료 표지
    서강대학교 디지털회로설계 HW2 FPGA GateArray_SoG
    는 ASIC 의 Gate Array에서 가져왔다. 다음은 CPLD와 FPGA 의 비교표이다.FPGACPLD기본공정SRAM baseFlash / EEPROMLogic구성 기본단위CLB ... 에서 장착된 채로 이루어질 수 있으며 표준 CMOS 공정을 사용하여 제조할 수 있다는 장점이 있다. 일반적으로 다른 프로그래밍 방식에 비하여 SRAM 프로그래밍은 SRAM이 동작하기 ... 를보인다.Anti-fuse 방식의 FPGA는 프로그래밍을 위하여 별도의 마스크 제조 공정이 필요하나 프로그래밍을 위한 칩 면적은 매우 작다. 한편, 한번 프로그래밍을 하게된 소자는 재
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.04.12
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  • 자료 표지
    광학적 특성과 초전도 재료
    한 에너지띠 갭을 가지는 GaAs 와 같은 반도체 복합물로 만들어진 pn 접합이다 . 강력한 순방향 바이어스 에 의한 반전분포로 일어난다 . 수많은 전자 - 정공 쌍이 만들어지고 이들 대 ... 부분은 광자를 복사하기 위해 재결합 한다 . 효율의 개선을 위해서는 이중이상 접합 레이저로 달성된다 . 현재 GaAs 다이오드 레이저의 가장 흔한 사용은 콤팩트 디스크 이다 . p ... 와 n 층은 넓은 띠 갭을 가지고 있고 , 낮은 굴절지수를 가지고 있으며 , 활성 p- GaAs 층 사이에 전자와 홀을 가두어 둔다 .광섬유광섬유란 ? 중심부에는 굴절률이 높
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 56페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.15
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  • 자료 표지
    MOSFET/Capacitor/반도체 신소재실험보고서
    1. 실험 목적- 기본적인 반도체 공정 방법을 습득하고 이를 바탕으로, 실리콘 기반의 간단한 capacitor 구조를 제작하여 동작원리를 이해하고 capacitance ... 공정있는 형태가 된다.* Silicon wafer- silicon은 원자 번호 14번으로 최외각 4개의 전자가 있는 4가의 원소이다. 한 개의 silicon 원자는 주변 네 개 ... 도부분이 식각되는 것을 negative resist라고 한다.* Etching- 반도체 제작공정에서 Photoresist에 피복되어 있지 않은 산화막을 제거하는 공정이
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 23페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.12.03 | 수정일 2013.12.05
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  • 자료 표지
    반도체기술동향, 반도체, 최신기술동향, 물리전자, 반도체공학
    , BiCMOS/BCD, SOI 기술과 GaAS, SiGe 공정기술 등이 다양한 어플리케이션의 요구에 부응하여 계속 발전하고 있다. 또한 기존의 SiO2를 대신하여 구리 및 저유전율 재료 ... 효율 등과 같은 장점을 갖는다. 그러나 GaAs를 실리콘 기반의 SiGe이나 SOI 기술에 비교한다면 이러한 장점들 중 많은 것은 줄게 된다. 뿐만 아니라 GaAs는 공정상에 어려움 ... 을 가지고 있어 재료 및 생산 비 용이 더 높다. 긍정적인 면에서는 GaAs 디바이스는 마스크 공정 수 면에서 생산 비용의 이점을 가지기도 한다. 실리콘 공정은 종종 GaAs 공정
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.01.05
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  • 자료 표지
    LED 표준화 사례 조사
    요약 1-1 LED 란 ? LED(Light Emiting Diode) 는 화합물 반도체 ( 예 : GaP , GaAs ) 의 pn 접합 다이오드에 순방향 전류가 흐를 때 빛 ... 을 첨가하여 사용한다 . 최근에는 13 족과 15 족의 화합물반도체라 하여 갈륨질소 ( GaN ), 갈륨비소 ( GaAs ), 인듐인 ( InP ) 등이 있는데 순방향으로 전압을 가하 ... - 패키장 , water bonding 등 크리의 대표기술 - SIC 에피 , chip shaping 등 오스람의 대표기술 - 웨이퍼 본딩 , 패키장 소재공정 등2. 주체대상 및
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.05.01
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  • 자료 표지
    발광다이오드, LED
    목차발광다이오드 개념 3LED 원리 4LED 제조공정 5LED 종류 6응용분야 9향후개발방향 11느낀점 12Reference√ LED, 즉 발광다이오드(Light Emitting ... 로는 갈륨 아세나이드(GaAs), 갈륨 아세나이드 포스파이드(GaAsP), 갈륨 포스파이드(GaP), 갈륨 나이트라이드(GaN) 등이 있다.화합물의 종류가 LED의 색상도 결정 ... 3색 형광체를 사용하는 방식이다. 현재 상용화된 백색 LED는 대부분 청색 LED에 황색 형광체를 씌우는 방식으로 만들어진다.√ LED의 제조공정 및 각 단계별 기술그림 5
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.12.18
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  • 자료 표지
    HEMT의 정의와 기술 동향 모든것[High Electron Mobility Transistor, 통신용 초고속 반도체 소자]
    하기 위한 에어 브리지 공정, 노출된 소자 채널을 보호하기 위한 Si3N4 적층 공정 등의 순으로 적용된다.< MMIC 증폭기 >InGaAs/InAlAs/GaAs ... device의 비교⑶ Devices of HEMT1) 통신용 초고속 반도체 소자 - GaAs 집적회로와 HEMT2) 고저로 도핑한 오믹층을 갖는 전력 PHEMT소자3 ... -HEMT, InP 기반의 HEMT, Metamorphic-HEMT등을 비롯한 다양한 부분에서 연구가 이루어지고 있다.? Pseudomorphic-HEMT: GaAs상의 InGaAs 채
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 17페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.02.17
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  • 자료 표지
    epitaxy
    에 성장시킬 수 있는데 이러한 기술을 기상 에피택시라 한다. VPE법은 전자 소자나 광전자 소자의 제조에 있어 반도체 박막 결정을 형성시키는 매우 중요한 공정기술이다.특히 GaAs ... 이 같은 물질로 구성ex) 실리콘 기판 위에 실리콘 에피층을 성장시킴2) Hetero epitaxy (이종 에피택시)기판과 에피층이 다른 물질로 구성ex) GaAs 기판 위 ... 를 들어 GaAs의 용융점은 1238℃ 이나 금속 Ga와 GaAs의 혼합물은(이 혼합물의 조성비에 따르지만) 상당히 낮은 용융점을 갖는다. 따라서 GaAs 시드 결정을 그것 자체
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.10.09
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  • 자료 표지
    화합물 반도체(Compound Semiconductor)
    시키는 매우 중요한 공정기술이다.특히 GaAs를 포함하는 일부 화합물 반도체는 다른 방법보다는 VPE법을 사용하여 보다 순수하고 결정구조가 완전하게 성장시킬 수 있다. VPE법은 또한 ... 은 원래의 구성 원소 어느 것과도 다르다. 화합물 반도체의 대다수는 직접 천이형으로서 천이 확률이 크기 때 문에 발광 효율이 큰 것이 많다. 대표적인 재료로서 갈륨비소(GaAs ... 화합물 반도체⇒GaAs, InP, InAs, GaSb등Ⅱ?Ⅳ화합물 반도체⇒Cds, ZnS, CdSe, ZnSe등기타 화합물 반도체⇒SiC, SnO2, PbS등또 2원 화합물
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    | 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.29
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  • 자료 표지
    나노 태양전지의 종류와 발전방향
    계 ☞ GaAs, InP, GaAlAs 등 II-VI족 화합물계 ☞ CuInSe2,CdS, CdTe등(3) 적층형 태양전지 - 화합물 / VI 족 계열 : GaAs/Ge, GaAlAs/Si ... , InP/Si 등 -지상용 태양전지 - 결정형 : 단결정, 다결정 실리콘 태양전지, GaAs/Si 등 - 박막형 : 비정질 실리콘 CdS, CdTe, CuInSe2 등 - 집광 ... 형 : GaAs 계열, 적층형 등(2) 위성용 태양전지 - IV족 : 단결정 실리콘, Ge(저온용) - GaAs 계열 : GaAs, InP 등 - 적층형 : GaAs/Ge, GaInP
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 26페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.08.01
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  • 자료 표지
    LED 제조 공정
    을 나타내며, 나머지의 재결합은 열로 변환한다.LED 제조 공정■ 화합물 반도체란두 종류 이상의 원소화합물로 이루어진 반도체 질화갈륨(GaN), 갈륨비소(GaAs), 인듐인(InP ... LED 제조 공정LED 제조 공정LED 제조 공정■ LED란??LED란? : Light Emitting Diode의 약자로 전기에너지나 전기 신호를 빛에너지나 광 신호로 변환 ... 하는 화합물 반도체로 이루어진 발광소자를 말한다. 주로 전자제품의 디스플레이, 휴대폰, 자동차, 신호등의 발광소자로 널리 쓰임.LED 제조 공정■ LED 동작 원리LED는 P형으로된
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 46페이지 | 5,000원 | 등록일 2009.06.08
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  • 자료 표지
    태양광 발전 및 사례
    로 설치하는 경우의 모듈의 그림자가 다른 모듈에 걸치지 않게 설치한다 . 기기의 발판하중이 크기 때문에 설치장소의 구조 강도 마무리공정 등을 확인 검토 ... USE _BIPV 대규모 태양광 발전시설CASE STUDY _BIPV 호텔 옥상개수에 적용USE _ 플렉시블 태양전지 구조와 장점 구조 태양 전지층은 PN 접합을 가지는 GaAs
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 27페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.06.02
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  • 자료 표지
    LTCC 새로운 조성에 대한 동향 조사 레포트 입니다.
    Module)다층 세라믹 기판으로 사용되어 왔다.또한 Si, SiGe, GaAs 등의 반도체 소자와 열 팽창 계수가 유사하다는 장점을 이용하여, 다층 세라믹 기판 상에 반도체 ... Bare Die를 바로 실장하는 WLP(Wafer Level Package)용 패키지 기판으로 사용되어 왔다.최근에는 자동차용 전장 부품의 WLP와 SMD 공정을 위한 정밀 Top
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.01.03
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  • 자료 표지
    태양전지
    으로 보다 저급의 실리콘을 이용하는 방법, 대량생산 및 공정 개선에 의한 방법 등이 시도 또는 계획되고 있다. 단결정 실리콘을 사용한 전지는 집광장치 를 사용하지 않은 경우의 기록 ... 결정 실리콘은 벌크 상태의 원재료로부터 태양전지를 만들기 때문에 원재료비가 비싸고, 공정 자체가 복잡하여 가격의 절감측면에서는 한계가 있을 수 밖에 없다.이와 같은 문제점을 해결 ... 하기 위한 방안으로 기판의 두께를 혁신적으로 줄이는 기술, 또는 유리와 같이 값싼 기판위에 박막형태의 태양전지를 증착시키는 기술이 주목을 받고 있다. 기존의 박막 제조공정을 이용
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.12.18
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  • 자료 표지
    실생활에 쓰이는 신재생에너지
    냉방 , 산업공정열 등에 활용하고 있다 .2. 실생활에 쓰이는 태양광에너지 부산기장군에 위치한 태양열에너지전등 간장공장2. 실생활에 쓰이는 태양광에너지 태양광 발전 은 태양전지 ... ), 반도체화합물 ( GaAs 계 ), 색소증감형 ( 염료감응 ), 폴리머 기반의 유기박막 등 다양한 유 ? 무기 태양전지가 있다 . 실리콘 태양전지와 무기박막태양전지는 이미 실생활
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    | 리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.12.02
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  • 자료 표지
    LED의 개념 및 특징
    , Ge)전자소자DRAM,SRAM,ASIC,Microprocessor,Flash,DSP수광소자PD, Solar Cell화합물반도체(GaAs,InP,GaN)발광소자(반도체광원)LED ... 라이트 부문의 3단계 제조공정은 반도체광원 공정, 패키지/모듈공정, 시스템 및 응용공정이며좀 더 넓게 나누면 LED 제조부문과 백라이트 부문(BLU) 제조공정의 2단계공정으로 구분 ... 된다.1) 반도체 광원공정: 기판 단결정 제조공정, 에피웨이퍼 제작공정, 칩 제조공정, 패키지공정, 모듈조립공정 이다.2) 패키지/모듈공정: 웨이퍼에서 생산된 LED 칩을 이용하여 고
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.08.06
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