"GAA공정"의 검색결과 입니다.

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"GAA공정" 검색결과 201-220 / 459건

LED 개요

LED 정의 및 구동원리 LED 역사 LED 종류 LED 적용분야 LED 제조 Flow LED 제조 공정별 생산업체 LED 장,단점 LED vs 타 광원 LED 특성 백색 LED ... 의 소재가 되는 물질인 비소화갈륨(GaAs), 인화갈륨(GaP), 갈륨비소인(GaAsp) 의 화합물 조성비를 조절함으로써 다양한 색상의 빛을 구현 할 수 있다.Ⅱ. LED 역사LED ... , 살균 등의 용도로 사용됩니다.Ⅳ. LED 적용분야LED 적용Ⅴ. LED 제조 FlowLED 제조Ⅵ. LED 제조 공정별 생산업체LED 제조공정명공정 내용생산업체기판

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 24페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.08.17

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발광다이오드 LED 원리 역사 기술동향

)개발과 전개2)LED의 시대별 도입 배경3)LED 의 개요 및 구조4)LED 발광원리 및 발광 물질5)LED 제조공정6)LED의 종류와 특징7)각광 받고있는 LED의 종류 및 ... 外領域)에 존재할 것, ② 발광효율이 높을 것, ③ p-n접합의 제작이 가능할 것 등의 조건을 만족시키는 것으로서 주로 비소화갈륨 GaAs, 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 ... GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3 B 및 5 B족인 2원소 또는 3원소 화합물 반도체가 사용되고 있

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 32페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.08.26

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나노튜브

을 증착한 후 selenization공정을 거치는 2단계 방법 등으 로 만들어진다. CIS의 밴드갭이 작은 편이므로 다른 종류의 전지보다 Jsc가 크고 Voc가 낮다. 최근의 경향 ... 은 Voc를 증가 시키기 위하여 Ga등의 원소를 합금시켜(e.g. CuIn1-xGaxSe2) 물성 및 전지효율에 대한 영향을 조사하는 것이다.* GaAs 태양전지태양전지 재료 중 ... 에서 가장 높은 효율을 달성하였고 현재 우주용으로 상용화에 성공하여 흑자를 기록하고 있는 재료이다. GaAs는 최적의 밴 드갭(1.45eV) 및 높은 광 흡수계수와 가장 높은 이론 효율

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.05

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LED 산업육성을 위한 구체적인 방안

와 특징5. LED의 제고공정6. LED의 장점 및 단점Ⅲ. LED의 국내산업현황 및 응용분야Ⅳ. LED 산업육성을 위한 추진과제Ⅴ. LED 산업육성을 위한 구체적인 방안Ⅵ. 마치 ... 7005655552-40.3-0.40.1-0.20.4-0.81.95-2.600.68-1.36GaAs0.6P0.4GaAs0.35P0.65:NGaAs0.25P0.75:NGaAs0.15P0.85 ... 하기 위해서는 직접천이 형 반도체의 사용이 필수적으로 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체가 이에 해당한다.적색 LED의 경우에는 GaAs와 AlAs의 혼합 결정인 GaAlAs

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| 리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.08.05

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LED 개요 및 제조 공정

LED 제조 공정 및 기술Introduction LED 개요 및 이론 LED Epi 성장 기술 LED 소자공정 기술 LED PKG 기술Introduction반도체 산업 영역 분야 ... III IV V화합물 반도체 산업 분야LED 제조 Process기판 (웨이퍼) Sapphire, GaN, SiC, Si, GaAs에피웨이퍼 (In,Al)GaN (청, 녹, UV ... 공정(fabrication)RGB-UV LEDGaN/sapphireGaN/SiC광학기구, 시스템제어기LED Chip 제조PKGSYSTEMLED HistoryLED일반 조명

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| 리포트 | 29페이지 | 5,000원 | 등록일 2008.07.24 | 수정일 2016.11.16

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마이크로웨이브를 이용한 금속황화물 나노분말 제조 예비

의 이용가능성, 보다 높은 신호 손실의 존재, 미성숙한 기술(전형적인 실리콘 기술의 상당히 성숙되고 저렴함에 비교되는)에 따르는 고속 반도체들(GaAs 또는 InP과 같은)의 이용 ... 성공정설계 및 장비제작화학공정 설계공정제어(형상 및 물성 제어)화학반응 제어분말 회수유체역학, 분체공학분말표면 개질분말평가형상 분석분체공학(데이터 프로세싱)성분 및 표면 분석표면

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.03.08

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에피택시

경우에 LPE가 사용된다.)1963년 Nelson에 의해 최초로 구현된 후, 주로 Si, GaAs, AlGaAs, GaP 에피택시에 널리 이용되고 있다.예) GaAs의 용융점 ... 은 1238`C이나 금속 Ga와 GaAs의 혼합물은(이 혼합물의 조성비에 따르지만) 상당히 낮은 용융점을 갖는다. 따라서 GaAs 시드 결정을 그것 자체가 용융되는 온도보다 낮은 온도 ... 에서 녹는 Ga+GaAs 용액 속에 담가둔 후, 이 용액을 용융점(melting point)으로부터 서서히 냉각시키면서 단결정의 GaAs 층을 시드 결정 위에 성장 시킨다. GaAs

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| 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.05.24

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화합물 반도체

목차1. 정의2. Si 반도체와 차이점3. 종류4. 제조공정 및 장비5. 응용6. 느낀점1. 정의○ 화합물 반도체의 개념화합물을 가지고 반도체를 만든 것. 반도체란 전기저항 ... 이 도체와 절연체의 중간인 10∼100Ω㎝ 범위에 있는 물질이며, 어떤 온도 이상으로 온도가 높아질수록 저항률이 떨어지는 것이다.여기에는 원소 주기율표 3-5족의 비소화갈륨 GaAs ... 의 실상을 증명하고 그 물리적 성질을 밝히면서부터였다.재래의 반도체는 Si, Ge 등의 단일원소의 것이 주류를 이루고 있었으나 그밖에도 GaAs 등 화합물반도체의 한 무리가 특수용도

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| 리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.01.02

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LED-TV의 현황과 R&D 방향

기보다는 베어칩을 패키지화하는 후공정 단계에서의 개선 이 주목됨 BLU(Back Light Unit) 용 백색 LED 의 경우 발광 효율이 높고 소비 전력이 낮은점 등 많은 장점이 있 ... • 저효율 등의 결점이 있기 때문에 소형 • 저 가격 • 고효율 • 장수명 등의 방향으로 개발이 추진되고 있음 기술 개발과 공정 개선으로 인하여 가격이 저렴해졌다고 하나 여전히 ... epitaxy) 를 이용하기도 함 GaAs 기판을 이용한 InGaAlp 계 LED 는 격자정합 구조이므로 결함의 생성이 문제시 되지 않지만 Sapphire 기판과 질화물계 에피층

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| 리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.12.23

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ZnO의 성장 및 열처리 조건이 물질 특성에 미치는 영향

를 가지고 있기 때문에 GaN의 대체 물질로 연구가 활발히 진행되어 왔다. 그러나 p-type으로 의 공정이 아직은 힘들기 때문에 앞으로의 연구가 더 기대되는 이유이기도 한다. 최근 들 ... 고 있으므로 ZnO를 성장시키는데 격자 부정합(mismatch)를 줄이는데 좋은 기판으로 알려져 있다. Sapphire 이외에 Zinc Blende 구조의 GaAs, GaP ... 기판은 Si, GaP, GaAs 등의 기판에 비해서 결정도가 5배 이상 높다. 또한 융용점이 2050℃로 매우 높고 고압에도 잘 견딘다. 그리고 산이나 알카리에 쉽게 부식되지 않

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| 리포트 | 48페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.12.18

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플립 칩 패키징

과 기판의 패드를 전기적으로 연결해 주는 금속 범프가 필요하다. 범프는 구조, 금속 재료, 제조공정 등에 따라 다양한 형태로 보고되고 있지만 플립 칩 공정중에 범프의 용융 유무 ... 에 따라 두 종류로 분류할 수 있다. 첫째로, 접합공정 중에 범프 금속이 용융되어 표면장력의 최소화 효과로 자체정렬(self-alignment)되면서 접합되는 솔더계 범프이다. 둘째 ... (anisotropic conductive adhesive)를 이용하여 접합된다.전통적으로 솔더 범프 재료로는 183℃로 저융점인 공정 솔더(63Sn-37Pb)와 97Pb-3Sn

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| 리포트 | 14페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.11.06

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MOCVD 이해

하는 MBE(molecular beam epitaxy)와는 대조적으로 MOCVD의 결정 성장은 chemical reaction에 의해 증착된다. 공정은 열역학적으로 비평형상태로 유기금속화 ... 합물과 수소화합물 가스의 기본적인 열분해 반응에 의하여 성장되며, 10~760torr 정도의 low pressure에서 진행된다. 1968년 Manasevit에 의해 GaAs 박막

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| 리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.12.27

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디스플레이정의,디스플레이산업,국내외적발전과정,국제적위상,향후전망

- 목차디스플레이의 종류별 구분 ··················22-2디스플레이의 공정과정 ·····················63.국제현황 ... Emitting Diode)란 발광 다이오드의 빛을 발하는 반도체소자를 말하며 각종 전자 제품류와 자동차 계기판 등의 전자표시판에 활용되고 있다. 갤륨비소(GaAs)재질이나 이 ... 있다.● PDP그림4-7? PDP제품에서는 가격경쟁력을 높이기 위한 공정기술의 개선 노력과 더불어 대화면화 고 효율화, 고화질화 등을 위한 연구가 개발이 지속되고 있었으며 PDP

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| 리포트 | 35페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.07.02

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반도체 결정 제조공정

REPORT과 목 명: 과목 이름학 과: 학과 입력학 번: 학번 입력이 름:제 출 일:담당교수: 담당 교수 입력반도체 결정의 제조 공정에 대하여목차1. 반도체 결정 만들기.2 ... . 결정 성장법3. 웨이퍼 제작단계4. 공정 기술5.참고자료------------------------------------------------------------------- ... encapsulated czockralski)용융체로 부터 GaAs와 같은 화합물을 인상할 경우에는 휘발성 원소(As)가 증발하는 것을 막아야한다. 이때 사용되는 결정성장 방법이 LEC

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| 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.04

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캐드(CAD)란? A+

데이터를 가지고 기계화된 공정을 거쳐 제품을 생산하는 것을 말합니다.흔히들 말하는 NC 머신 (numerical control 수치제어 공작기계)이 바로 캠에 이용되는 공작기계입니다 ... 입니다.근래에는 생산된 시제품을 역으로 캐드화 하여 대량생산에 이용하는 reverse engineering도 각광받는다.5.CAD와 CAM 공정.일반적인 제작공정은?설계(CAD) ... 입니다.설계(CAD) 다음 공정이 일반적으로 CAM인데, CAM작업은 3D설계와 유사하거나 같은 프로그램을 사용하는 경우가 많습니다.CAM이란 제작하려는 제품을 실제와 똑같은 입체

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| 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.12.27

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태양전지 동향 및 전망

형 반도체m) 태양전지화합물/VI 족 계열 : GaAs/Ge, GaAlAs/Si, InP/Si 등○ 이용목적 및 구조에 따른 분류① 지상용 태양전지결정형 : 단결정, 다결정 실리콘 태양 ... 전지, GaAs/Si 등박막형 : 비정질 실리콘, CdS, CdTe, CuInSe2 등집광형 : GaAs 계열, 적층형 등② 위성용 태양전지IV 족 : 단결정 실리콘, Ge (저온 ... 용)GaAs 계열 : GaAs, InP 등적층형(Tandem) : GaAs/Ge, GaInP/GaAs, GaAlAs/GaAs,4. 태양전지의 응용분야가 태양광 발전전력용으로 각종

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| 리포트 | 22페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.10.11

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MO-CVD 설명

MO-CVD 공정 [ Mater Organic Chemical Vapor Deposition]DepositionCVDMOCVDHT-CVDMT-CVDLT-CVD저압 ... Deposition 기본적으로는 CVD 공정이며, CVD에 의한 박막 성장 시 Precursor로써 MO-source를 중심으로 Hydrides나 Reactant들을 사용 ... 하여 박막을 성장 시키는 것 유기 금속 화합물을 사용하여 Thermal CVD법에 의해 박막을 만드는 기술 반응 예] Ga(CH3)3 + AsH3 → GaAs + 3CH4 Al(CH3)3

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| 리포트 | 12페이지 | 5,000원 | 등록일 2009.04.17 | 수정일 2018.09.28

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LED발광메커니즘을 전자론적 근거.ELD발광메커니즘을 전자론적

라고 할 수 있다.-1962년의 Pankove의 GaAs p-n 접합부에서의 발광관측을 시작으로 GaAs, GaP, GaAsP, ZnSe등의 결정성장기술, 주입 발광현상에 관한 수 ... 다.Eastman Kodak사의 C.W.Tang이 유기 색소를 이용하여 박막 EL 소자를 제작하고 고휘도의 녹색 발광이 가능함을 보고 한 이후, 구동전압이 낮고 공정이 유리한 유기 EL

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| 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.10.31

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화합물 반도체

하게 구해져 있다. 그림6과 7은 각각 GaAs와 CdTe의 상태도로서 대부분의 Ⅲ-Ⅴ와 ⅡⅥ 화합물 반도체는 이와 같은 형태의 상태를 보인다. 즉 두 개의 공정 반응이 존재하고 극히 ... radiation) 검지기 등으로 나눌 수 있다.1.2 종류III-V 반도체II-VI 반도체p형 / n형 불순물GaAs : AlGaAs, GaInP,AlGaInP, InAlPInP ... (GaAs) 반도체에 대한 에너지 밴드의 차이는 "Conduction band의 최소값과 valence band의 최대값의 K 값이 일치하는가 아닌가에 있다"전자와 홀이 결합

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.07.02

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금속 박막증착

, 빛(UV 또는 LASER), 또는 임의의 에너지에 의하여열분해를 일으켜 기판의 성질을 변화시키지 않고 Solid Deposition를이루는 합성 공정을 말한다1) 스퍼터링 ... (SiO2)의 박막을 기판위에 증착할 수 있는 장비로써, 반도체 공정 및 MEMS 공정에 필요한 전극 제작에 주로사용되며, 이외에도 다양한 용도에 응용될 수 있다.텅스텐이나 세라믹 등 ... 과 같은 고융점 물질들의 증착이 가능하다.장 점단 점ㆍ증착속도가 빠르다ㆍ고융점 재료의 증착이 가능ㆍMultiple deposition이 가능ㆍ박막 두께를 확인하며 공정 진행 가능

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| 리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.08.24 | 수정일 2015.02.12

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