"GAA공정"의 검색결과 입니다.

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"GAA공정" 검색결과 381-400 / 459건

[전기전자] 반도체제작법

들을 개괄적으로 소개하며 MOVOE의 기본, 특성 및 발전 상황을 소개한다. 특히 GaAs, InPbulk crystal 의 실험 data를 실례로 소개하며 또한 MOVOE 의 변행 ... 된 형태인 Atomic Layer Epitaxy (ALE) 의 소개도 덧붙인다. ALE 의 전반과 InAs, GaAs 및 InP의 data를 소개하며 이들 data를 통하여 유추 ... diterolayer를 성장시킬 수 있다. Al1-xGaxAs의 경우 이화 같은 특성 즉, bandgap과 격자상수의 선택의 자유스러움이 AlGaAs/GaAs의 단결정층 성장의 빠른

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| 리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.07.13

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Wafer 결정성장 방법

.[그림 10] 수소 화홥물 공정 GaAs 에피택시 성장 개략도공정 반응로는 3부분의 온도 영역으로 나누어져 있다. 유입된 AsH3는 400℃에서 비소와 수소로 분해된다.AsH3 ... 로 분류증착에 필요한 용액의 과포화 상태에 도달하게 된다. 열역학적 고려 외에 용액 내에서의 구성 요소들의 확산이나 온도 및 구성 물질들의 차이에 의한 대류들이 LPE공정에 영향을 미치 ... 의 기판온도는 1000 ∼ 1200 ℃, 수 ㎛/min의 속도로 결정이 성장한다.GaAs인 경우 Ga 원으로서는 금속 Ga의 가열증기, As 원으로서는 3염화비소가 사용되며, 기판 온도

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.10.03

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cvd 와 pvd의 특징과 비교

느냐 입니다. 공정상의 뚜렷한 차이점은 PVD는 진공 환경을 요구한다는 것이지요. 반면에 CVD는 수십 ~ 수백 torr 내지는 상압의 환경에서도 충분히 가능합니다. 다만 CVD ... 는 과정이 물리적인 변화이기 때문입니다.좀더 풀어서 말하자면, 많이 쓰이는 산화물 반도체나 GaAs 등을 증착시킬 때 PVD 방법들은 그 화합물들을 우선 소결하거나 녹여서 고체 상태 ... 와 CVD 모두 반도체 공정이나 기타 산업에 많이 이용되는데 대개 PVD는 고품질의 박막이나 나노구조를 만들 때 쓰이지만 진공이 필요하므로 장비가 고가이며 증착속도가 느리고 CVD

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| 리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.10.14

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[태양전지] 태양전지

전지의 종류2)다결정 실리콘 태양전지 단결정 실리콘 태양전지에 비해 상대적으로 저급한 재료 저렴한 공정으로 처리 상용화가 가능한 정도의 효율 기존발표된 효율 : 18% 효율 도달 ... )Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 태양전지 -GaAs,InP,GaAlAs,GaInAs등이 있으며 태양전지용재료로서 가장 많이 연구 개발되어진 것이 GaAs이다. -GaAs는 태양전지중 가장 ... 높은 효율을 달성하였고 현재 우주 에서 실용화 -GaAs는 최적의 밴 드갭(1.45eV) 및 높은 광 흡수계수와 가장 높은 이론 효율치(39%) 등의 장점과 In, Al등과 쉽

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| 리포트 | 34페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.04.29

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[반도체] 에피택셜성장

..PAGE:1EPITASIAL GROWTHSOLID STATE ELECTRONIC DEVICE..PAGE:2차 례웨이퍼 공정 과정에피택셜 성장- CVD- LPE- MBE ... Inspection8-Epitaxy웨이퍼 제작 공정..PAGE:4-에피택셜 성장 (epitaxial growth)기판 웨이퍼 위에 방향성을 가진 단결정막을 기르는 기술고순도의 결정층을 형성 ... 하는 공정웨이퍼보다 낮은 온도에서 성장- CVD : 화학 기상 증착- LPE : 용융액으로부터의 성장- MBE : 진공에서의 원자의 증착..PAGE:5격자 정합..PAGE:6MOCVD

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| 리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.09.13

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유기 태양 전지 (특징,원리,구조,제조,기술상의 문제점,향후 전망)

③ 전하의 수집73.구조 및 제조 공정84.기술상의 문제점12① 광 안정성12② 유기물의 낮은 전하 이동도12③ 태양광 스펙트럼 대비 유기물의 비효율적 광에너지 흡수대135.향후 전망 ... 공정과 존재하는 공정의 개선에 투자하는 매우 보수적인 경향을 보여준다. 시장조사 자료에 따르면 전략적인 구매자를 제외하면 태양전지 제품의 공급이 4분기에서 6분기정도의 지연 ... 생산량과 2006년까지의 생산능력그 밖의 태양전지로는 그림 2의 태양전지 계통도와 같이 Si 박막 태양전지, CuInSe 나 GaAs등의 화합물 반도체와 비정질 실리콘 태양전지가 있

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| 리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.09.02

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나노 기술의 2003년 이후의 각 국의 최근 동향

다.선진국에서는 나노 원천기술 및 응용기술의 개발과 소재, 측정 등 다양한 분야에서 개발과 산업화를 추진하고 있다. 이에 따라 최근 전자, 바이오, 소재, 공정장비 및 계측기기 등 전 ... ㆍ터널링 소자ㆍ메모리소자ㆍ시스템 LSI 소자ㆍSoC 소자ㆍ정보통신관련제품비실리콘 계ㅇ 화합물반도체ㆍIII-V족 소자(GaAs, AlGaAs, GaN,--AlN)ㆍII-VI(In-P ... , 공정/측정, 기능창출 재료 등 5개 분야로 나누어 기술 개발 추진* 연구추진은 5-10년 이내 실용화, 10-20년 이내 실용화 및 대학에 기초연구 지원으로 크게 나뉘어 짐* 5

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| 리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.12.13

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[발표자료] 단결정 성장법

+ ¼ As4 (g) + ½ H2 (g)GaCl (g) + ¼ As4 (g) + ½ H2 (g) GaAs (s) + HCl (g)수소 화합물 공정(Hydride process ... 단결정 성장반도체 제조 공정 반도체에 단결정이 사용되는 이유 결정 성장이란? 결정 성장법의 종류 및 원리 ① 인상법 (Czochralski method) ② 대역 용융법 ... (Liquid Phase Epitaxy) ㉢ 분자선 에피택시(Molecular Beam Epitaxy) 5) Application차 례반도체 제조공정반도체에 단결정을 사용하는 이유단결정

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| 리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.08.14

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다이오드의 특성(예비레포트)

되었지만 현재는 실리콘에 3족의 붕소(B)나 5족의 인(P)등을 첨가하여 사용한다. 최근에는 3족과 5족의 화합물반도체가 쓰이기도 하며 갈륨비소(GaAs;gallium arsenide) 나 ... 다.반도체소자는 개별부품으로도 사용가능하지만, 동일한 제조공정으로 제작 할 수 있는 다수의 소자를 하나의 기판에 집적하는 집적회로로도 가능하다.

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| 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.05.09

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[전자재료실험]MOS캐패시터

1. 실험 목표MOS를 직접 제작하고 공정을 이해하고, Dielectric 재료와 두께에 따른 MOS 특성 및 구동원리를 이해한다.2. 이론적 배경그림 1에 나타낸 바와 같이 p ... 었고 그림은 다음과 같이 볼 수 있으나 원리는 MOSFET와 같다고 볼 수 있다.1) 산화공정(Oxidation)열 산화법은 산화층 내부와 SiO2/Si 계면에 결함을 거의 생성 ... oxidation)법으로 구분되는데, 반응기체로 순수한 산소를 사용하는 경우를 건식 산화라 하고, 산소와 수증기의 혼합물을 사용하는 경우를 습식 산화라 한다.열 산화 공정은 일반

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| 리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.06.20

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반도체란 무엇인가?

란? CVD(Chemical Vapor Deposition; 화학기상증착)은 반응기에 주입된 기체들이 가열된 기판위에서 화학반응을 통해 박막을 형성하는 공정으로 반도체(Si,GaAs ... )에 사용된다.▲ 반도체 공정1. 사진공정(Photolithography)*개요: 사진공정은 마스크상에 설계된 패턴을 공정제어 규격 하에 웨이퍼 상에 구현하는 기술. 이를 위해 ... 패턴이 형성된 마스크를 통하여, 특정한 파장을 갖고 있는 빛을 광감응제가 도포되어 있는 웨이퍼상에 노광 시켜 광화학 반응이 일어나게 되며,다음 현상 공정시 화학반응에 의해 패턴형성

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| 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.07.23

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한양대학교 기계공학실험 레포트 회전체의 주파수 특성 분석

를 들면 Si dope한 GaAs(적외) LED(950nm)는 직접 천이형이기 때문에 양자 효율은 약 10%로 높은데 비해서 N dope GaP(녹색) LED(565nm)는 간접 ... 는 소형 다량생산이 가능하고 증폭기 등 전자회로를 동시에 반도체공정으로 생산가능하고저가의 다량생산공급이 가능하여 보편적인 용도의 자기장센서로 가장 많이 보급되어 있다.▪Magnetic

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| 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.17

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박막 증착과 4-point probe 의 이해

쓰이는 산화물 반도체나 GaAs 등을 증착시킬 때 PVD 방법들은 그 화합물들을 우선 소결하거나 녹여서 고체 상태의 target으로 제조해서 열이나 전자빔으로 휘발시켜서 기판에 증착 ... 나 성질에 영향을 미친다. 다른 많은 박막제조공정과 비교해 볼 때, CVD는 다양성, 적용성, 제품의 품질, 단순성, 재활용성, 생산성, 가격문제 등에서 매우 큰 장점을 가지고 있 ... 다. 이러한 이유로 CVD는 고체 소자의 제조에 있어서 그 활동영역을 크게 확장시켜왔다. CVD 공정은 여러가지 방법으로 분류될 수 있는데, 먼저 사용되는 반응의 활성화 에너지원

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| 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.07.09

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LCD 회로설계

하는 것을 방지LVDS 물리 계층의 등가 회로다양한 기술 응용 및 공급 전압 드라이버와 수신기에 대한 신호 레벨 전압 선택 시 Bipolar, BiCMOS, CMOS, GaAs ... 간DS를 표준 CMOS 시스템 공정으로 구현할 수 있어 복잡한 디지털 기능을 LVDS 아날로그 회선과 통합 파워 소모량이 적어 칩 당 다수의 채널을 통합 : 핀 수와 총 링크 비용

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| 리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.10.06

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디스플레이 표준화

디스플레이? 빛을 발하는 반도체소자, 각종 전자 제품류와 자동차계기 판등의 전자표시판에 활용? 갤륨비소(GaAs)재질이나 이 재질에 인·알루 미늄 등을 첨가해 만든칩을 사용.? 직경 3 ... 와 무게가 엄청나게 불어나 는 CRT의 단점을 해결.? LCD의 문제를 해결할 수 있는 고성능 제품? 초박형, 저전력 소비, 저공정 비용, 뛰어난 온 도특성, 고속동작 등의 고른 장점

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| 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.31

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[신소재공학]분무열분해법을 이용한 zno 제조

를 제작 가능한 물질은 실리콘 외에도 4족의 탄소, 게르마늄(Ge), 3-5족 물질인 GaAs, 2-6족 물질인 ZnO 등이 있다고 알려져 있다. 실리콘이 지금까지 반도체의 주 ... 재료로 사용되는 데에는 물질들 중에 반도체로 제작했을 때 가장 좋은 성능을 낼 수 있어서 라기 보다는, 쉽게 구할 수 있고 반도체 공정 방법이 많이 연구되어, 가장 먼저 반도체 ... 로의 고온부에서 분무된 액적 내에서 용액의 증발 및 용질의 침전 등이 일어난다. 즉 분무열분해법은 나노 입자들이 응집된 균일한 구형의 분말 제조가 가능하다. 공정은 금속염이 용해

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| 리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.10.15

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[광전자 공학] wafer의 결장 성장 방법

하게 유지되도록 온도 조절을 매우 정확히 함으로써 이와 같은 문제를 해결할 수 있고, 에피택시 공정 전에 AsCl₃를 장시간(약 24시간) 흘려 As가 포화상태가 되게 하여 GaAs ... 는 400 에서 비소와 수소로 분해된다.그림 2. 수소 화합물 공정 GaAs 에피택시 성장 개략도AsH₃↔ 1/4As₄ + 3/2H₂ 식(5)염화 수소가 첫 단의 온도 영역(T=775 ... 하며 결정을 성장시키는 원이기도 하다.갈륨비소의 기상 에피택시 성장에 가장 흔히 사용되는 방법은 염화물의 이동에 의한 것으로써 할로겐화합물공정(halide process)과 수소화합물

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| 리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2002.12.06

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[HJBT] HJBT

/GaAs HBT의 전류이득이 증가하는 현상이 나타났는데, 이를 burn-in 현상이라 한다. Burn-in 현상은 공정과정중 GaAs 베이스 영역에 포함된 H과 베이스 도펀터인 C ... 만 해결한다면 비교적 큰 에미터 size를 이용할 수 있다.신뢰성 향상 기술GaAs계 HBT는 통전 시험에서의 열화 Mode가 가장 현저 했는데, 오늘날 AlGaAs/GaAs 계 ... )」가 주목받고 있다. 이 실현에는 저잡음의 발지니기와 고효율 mixer의 개발이 중요하다. Milli wave용으로서 개발된 HBT단체의 특성은 InGaP/GaAs HBT로 양산

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| 리포트 | 27페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.06.13 | 수정일 2018.01.08

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한국전자상업의 유비쿼터스 네트워크

되는 데 필요한 비용을 줄여 더욱 빠르게 사회에 적용되도록 해야 할 것이다.이러한 요구는 사용 기술의 특징에 제한을 두게 된다. GaAs계열의 소자보다 저렴하게 구현 가능한 실리콘 ... 계열의 소자를 사용하게 하며, 패키지 형태의 구현보다 on-chip형태의 구현을 보다 의미 있게 할 것이다. 저렴한 공정에서 우수한 특성의 소자를 만드는 것뿐만 아니라 수동소자 및

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| 리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.05.17

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[태양열에너지] 태양전지의 기본원리와 제조공정 및 광기전력 발생원리

report태양전지의 기본원리와 제조공정 및 광기전력 발생원리과 목 명정보전송재료담당 교수윤소 속신소재공학과 4년학 번1999313288이 름제 출 일2005. 3. 22.1 ... 이 감소하므로 효율은 오히려 감소한다. 이론적으로 Si보다 효율이 좋은 반도체로서 InP, GaAs, CdTe 등을 들 수 있다. 그러나 현재의 제조기술로는 아직 이들을 사용해서 보다 ... 나은 p-n접합을 만들 수 없는 상태에 있다.3. 태양전지의 제조공정◆ Cell 제조공정1. Slice(웨이퍼링)다결정 실리콘의 인코트(굳은)를 300-400μm의 두께

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.04.29

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