"GAA공정"의 검색결과 입니다.

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반도체 공정 태양전지 반도체 주제 서론 브리즈만 법 삼성전자 pt면접 mocvd 집적회로공정 led종류 파운드리

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"GAA공정" 검색결과 261-280 / 459건

태양전지에 대해서

하는 효율이 재현성 있게 기록되고 있다. CIS층은 진공증착 또는 금속막을 증착한 후 selenization공정을 거치는 2단계 방법 등으 로 만들어진다. CIS의 밴드갭이 작은 편 ... 에 대한 영향을 조사하는 것이다. * GaAs 태양전지 - 태양전지 재료 중에서 가장 높은 효율을 달성하였고 현재 우주용으로 상용화에 성공하여 흑자를 기록하고 있는 재료이 ... 다. GaAs는 최적의 밴 드갭(1.45eV) 및 높은 광 흡수계수와 가장 높은 이론 효율치(39%) 등의 장점과 In, Al등과 쉽게 합금을 형성하여(InGaAs, AlGaAs) 밴드갭

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| 리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.03.16

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반도체 제조 공정

반도체 제조공정화학공학이 반도체 제조공정에 관여하기 시작한 것은 1960년대 초였다. 세계 최초로 집적회로(Integrated Circuit, IC)가 텍사스 인스트루먼트 ... 된 관심은 석유화학공학에 집중되어 있었으며, 반도체 산업에 있어서도 집적회로 제조에 관한 당면 과제는 회로설계와 소자물리에 있었으므로 소자 제조공정에 대한 인식은 상대적으로 적 ... 어 1980년 초에는 미국 화학공학회가 반도체 공정 분야를 화학공학의 첨단 분야의 하나로 선포하였고, 그 이후로 이 분야는 화학공학 내에서 큰 성장을 거듭하여 현재는 미국 내의 많

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 15페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.05.01

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반도체의 역사

) 형성이 가능할 뿐만 아니라 Si-SiO2 계면특성이 우수하기 때문에, 묘화, 식각, 확산 등의 평면 단위공정에 요구되는 양질의 mask와 MOS 소자에 동질 절연층을 제공 ... 연구진은 초기에는 격자정합이 좋지 않은 GaAsP/GaAs 계열의 이질구조를 사용하였으나, 나중에 보다 계면특성이 우수한 AlGaAs/GaAs 이중 이질접합을 도입함으로서 성공

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| 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.12.08

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스핀전자소자 기술동향 및 응용분야

에 속한다.- 2세대 Spintronics : 2세대 Spintronics는 반도체를 기반으로 하는 기술로, 스핀자체를 이용하여 정보를 저장하고 처리하는 방법이다. 실제 반도체 공정 ... 대표적인 기술이라고 할 수 있다. 최근에는 실리콘, Ge 등의 4족 물질뿐만 아니라, GaAs, InP 등을 사용하기 위한 연구도 진행 중이다. 이러한 기술은 양자정보처리기술

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.05.01

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LED 조명 기초기술 자료

으로발광효율 무지 나쁨 (전기 아까워요~!)LED란?LED (Light Emitting Diode, 발광다이오드)는 쉽게 말해 빛을 내는 반도체로 비소화갈률(GaAs), 인화갈륨 ... 고 만드는 반도체의 원료로서 LED종류에 따라 갈륨비소, 사파이어 등의 소재를 사용 웨이퍼를 증식하는 공정의 사업 에피택시: 웨이퍼위에 화합 반도체를 얇게 층층이 쌓아 에피 웨이퍼 ... 를 만드는 공정의 사업 칩공정: 에피 웨이퍼에 전극을 형성시키고 칩크기로 잘라 LED칩을 만드는 공정의 사업 패키징: LED칩을 기판 전극과 연결하고 형광체와 수지로 밀봉 및 접착

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| 리포트 | 34페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.25

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L E D (Light Emitting Diode)

의 발아기라고 할 수 있다. -1962년의 Pankove의 GaAs p-n 접합부에서의 발광관측을 시작으로 GaAs, GaP, GaAsP, ZnSe 등의 결정성장기술, 주입 발광현상 ... - GaAsP 결정은 GaAs1-XPX의 성분비 x를 바꿈으로써 적외선(x=0)부터 녹색(x=1)까지 발광한다. 4. GaAsP계 등황색. 황색 LED - GaAsP의 등황색 LED는 기판 ... 결정에 GaP를 이용하여 VPE법에 의해 발광용 p-n접합을 형성한다. GaAs1-XPX의 조성비 x를 적색 LED보다 크게 취함으로써 단파장화한다. x값이 0.65 및 0.75

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| 리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.11.10

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반도체 공학 개론 HW#3

여 화합물반도체(GaAs, InP)가 더욱 유리한 이유를 2가지 이상 설명하라.1.온칩 인덕터의 Q에 대한 정의를 적고, Q를 크게 하기 위한 방법에 대해 인덕터의 구조 및 제작방법 ... only memory)의 두 가지 특성을 다 가지고 있다. 현재까지는 FRAM의 공정 개발 수준이 DRAM에 미치지 못하기 때문에 동작속도는 떨어진다. 하지만 전원 공급이 끊겨도 ... 으로ynamic range의 tunable filter 및 low phase noise를 실현), wide tuning range(원하는 주파수 대역의 tuning)이 좋으며, 공정

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| 리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.06.12

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태양전지의 종류와 원리

계열 태양전지와 CdTe, GaAs, CIGS와 같은 반도체 태양전지가 이에 속한다. n형 반도체 물질과 p형 반도체 물질을 접합하여 태양전지를 제조하며 , n형 반도체는 전자 ... 을 형성한다. 단결정 실리콘 태양전지 제조공정은 복잡하고, 제조 온도가 높아 대량의 전력이 소모되므로 비용이 비싸다는 문제점이 있다.(2)다결정 실리콘 태양전지 제조방법실리콘을 녹인 ... 20.1%, 면적 46.9㎠ 단결정 실리콘 태양전지 개발(2000년 12월)로 국내에서는 현재 삼성 SDI가 태양전지 제조에 관한 기술력을 확보하고 있다. 향후 공정을 단순화 할 수

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| 리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.03

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Solar cell of compound semiconductor(복합물 반도체 태양전지)

이 조절되므로 동일한 공정과 설비를 사용. * 이론적으로 다층구조 태양전지로부터 얻을 수 있는 변환효율의 최고치 – ┏ 집광을 거치지 않은 평판형 : 67% ┗ 이중접합 : 28 ... 공정의 단순화 CdS 대체물질의 개발, Mo을 대체할 저가 전극재료의 개발 태양전지 효율을 좀 더 향상시킬 수 있는 구조나 나노재료의 개발Ⅱ-Ⅵ 족 화합물 반도체 태양전지특징[그림 ... Concentrator system (b) 대한 테크렌의 Concentrator system ](a)(b)Ⅲ-Ⅴ 족 반도체 화합물 반도체 : GaAs, InP * 40% 이상의 고효율

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| 리포트 | 28페이지 | 4,000원 | 등록일 2008.04.24

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태양전지 연구동향

음그림 2. 다양한 태양전지의 구조2-1. 결정질 실리콘 및 박막형 태양전지Si 계열 및 CdTe, CIGS, GaAs와 같은 반도체 태양전지가 포함된다. n형 반도체 물질과 p ... .은 이러한 PERL 태양전지 구조를 나타낸 것이다.그림 6. PERL 태양전지 구조단결정 실리콘 분야와 같이 다결정 실리콘 분야에서도 고가, 고난도의 공정을 사용하여 16% 이상

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| 리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.03.09

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반도체제조공정

하여 사용한다. 최근에는 13족과 15족의 화합물반도체가 쓰이기도 하며 갈륨비소(GaAs ; gallium arsenide) 나 인듐인(InP ; indium phospide) 등 ... 이 있다.2. 반도체의 제조기술 [2]반도체는 최초 웨이퍼 제작에서부터 최종완제품까지 크게 4가지 공정으로 구별할 수 있다. 즉 Silicon 원석에서 웨이퍼를 제작하는 웨이퍼 제조 ... 공정, 제조된 웨이퍼를 이용하여 웨이퍼 표면에 집적회로를 형성하는 웨이퍼 가공공정, 가공된 웨이퍼로 Chip을 제작 하는 Package 조립공정, Package를 Module에 부착

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| 리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.11.09 | 수정일 2014.09.20

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에너지의 미래

하였으며 실리콘 외에도 비소화갈륨(GaAs), 구리-인듐-디셀레니드, 카드뮴 텔레라이드(CdTe) 및 AⅱBⅵ족 유형의 화합물 반도체들이 있다. 현재 실리콘 태양 전지의 효율은 단결정, 다 ... 하는 방법이 개발되어야만 한다. 마지막으로, 식물의 품종 개량으로 바이오매스 생산의 극대화를 할 수 있어야 한다.현재 확립된 제 1세대 공정(지방이나 기름을 활용하는 바이오 디젤 ... 과 녹말이나 당분에서 획득하는 바이오 에탄올)은 경제적으로나 지역적으로 아주 특수한 조건에서만 지속될 수 있다. 제 2세대 공정은 훨씬 높은 대체 가능성을 지니고 있다. 논의되고 있

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| 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.11

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LED의 구조와 원리적 특성 및 미래동향

의 자발적이고 자율적인 조율이 부족하였기에 협회를 설립했으며 이에 협회는 회원 간의 자율성의 확보는 물론, 업계의 이익을 사심 없이 공정하게 반영함으로써 공공성도 보장되며 기업 ... 근적외영역(近赤外領域)에 존재할 것? 발광효율이 높을 것? p-n접합의 제작이 가능할 것 등의 조건을 만족시키는 것으로서 주로 비소화갈륨 GaAs,인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 ... GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP,인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3 B 및 5 B족인 2원소 또는 3원소 화합물 반도체가 사용

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| 리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.01.14

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반도체재료

*Electrical Information Engineering목 차원소 반도체의 재료화합물 반도체의 재료유기 반도체의 재료반도체의 제조공정반도체 재료의 분류I.II.IV.VI ... 질 반도체비정질 반도체I. 반도체 재료의 분류안트라센, 테트라센유기물 반도체AgCl AgBr Cul할로겐화물AlP GaP InP AlAs GaAs InAs AlSb GaSb ... 다.흔히 쓰이는 고유반도체.`온도에 따라 전기전도도가 크게 변한다.`규소(Si), 게르마늄(Ge), 비소화갈륨(GaAs)II. 원소 반도체의 재료4족 원소 (탄소·규소·게르마늄·주석·납

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| 리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.20

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실리콘 반도체의 한계와 대안

다.1) 재료물성의 한계a) 상온에서 Si의 mobility는 전자의 경우 대략 1500cm/V·sec이고 정공의 경우 450cm/V·sec이며 GaAs의 경우는 각각 8500cm ... 가 감소되기도 한다.b) 열전도도가 Si의 경우 1.5W/cmK이며 GaAs의 경우 0.46W/cmK이다. 이것을 감안하여 1GHz clock frequency의 CMOS를 설계 ... 의 lithography 공정이 까다로워 scaling rule이 소자를 따라가지 못하기 때문에 23배씩 밖에 증가하지 못한다.(2) Gate oxide이렇게 축소를 한없이 할 수 있

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| 리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.17

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About 태양전지

로서 당연히 높은 효율을 달성할 수 있으나 고가이고, 다결정 재료는 상대적으로 저급한 재료를 저렴한 공정으로 처리하여 상용화가 가능한 정도의 효율의 전지를 낮은 비용으로 생산 ... 게 기록되고 있다. CIS층은 진공증착 또는 금속막을 증착한 후 selenization공정을 거치는 2단계 방법 등으로 만들어진다. CIS의 밴드갭이 작은 편이므로 다른 종류의 전지 ... 이다.④ GaAs 태양전지태양전지 재료 중에서 가장 높은 효율을 달성하였고 현재 우주용으로 상용화에 성공하여 흑자를 기록하고 있는 재료이다. GaAs는 최적의 band gap(1

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| 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.23

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태양전지

형박막형a-Si/ClSGaAs/Ge염료감응형고분자박막형벌트형박막형벌트형CuInSe2GaAs비정질단결정CdTeInP다결정다결정? 단결정실리콘 태양 전지- 고순도로 순화된 실리콘을 고온 ... (1500℃)으로 가열 ? 두께 약 300㎛의 웨이퍼 제조 ? p-n 접합체 제작 ? 반사방지막을 형성한다.- 제조 공정은 복잡하며 비싸다. 현재 자동화와 연속화에 의한 비용절감 ... 태양 전지- 박막형 태양 전지의 대표- Si를 함유한 가스를 진공 챔버 내에 방전 ? 200~300℃로 가열한 유리기판 형태로 0.5㎛의 얇은 막 제작- 재료비가 적고, 제조 공정

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| 리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.05.23 | 수정일 2024.05.02

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[공학]반도체란!

, quaternary); GaAs, InGaAs, InGaAsP 화학적 조성에 따른 분류 IV 족; Si, Ge III-V 족; GaAs, InP II-VI 족; ZnSe ... 정봉 (Ingot)으로 성장원부자재 (다결정 Silicon, Dopant)를 Grower안에 넣는다.가공된 단결정봉을 웨이퍼 형태로 만들기 위해 일정한 두께로 절단Slicing 공정 ... 한 다음 급격히 냉각시켜 결정 본래의 저항률을 갖도록 함.거칠어진 웨이퍼 표면을 고도의 평탄도를 갖도록 연마하는 공정Polishing 후 웨이퍼 표면에 붙은 오염 입자들을 제거

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| 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.05.14

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박막제조

[ 목 적 ]화학 기상 증착 공정의 기본 원리를 이해하고 직접 실험을 통하여 박막을 만들어 보고 그 특성을 분석하여 실제 연구에 응용할 수 있는 기본적인 능력을 배양하는 데에 본 ... 하나는 CVD (Chemical Vapor Deposition)이다.이 둘의 차이는 증착시키려는 물질이 기판으로 기체상태에서 고체상태로 변태될 때 어떤 과정을 거치느냐 인데, 공정 ... 시키려는 물질이 기판에 증착될 때 기체상태가 고체상태로 바뀌는 과정이 물리적인 변화이기 때문이다.많이 쓰이는 산화물 반도체나 GaAs 등을 증착시킬 때 PVD 방법들은 그 화합물들을 우선

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| 리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.30

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태양전지

형 태양전지Ⅲ. 실리콘 태양전지의 제작 공정Ⅳ. CIS 박막 태양전지의 기본구조Ⅴ. 태양전지의 중요성1. 기술적 중요성2. 경제적 중요성3. 사회문화적 중요성Ⅵ. 태양전지의 국내외 ... 하기위해 개발 된 것이 한쪽 면에 양극의 전극을 형성시킨 PCSC구조 이다. 예전까지는 사진식각공정을 이용하여 후면전극을 입인방법을 대신하여 스크린프린팅공정을 이용하여 후면전극 ... 용이나 우주용 태양전지로 개발되고 있으며 GaAs 태양전지는 25.7% AlGaAs/GaAs 탄템형은27.5%GaAs와GaSb 를 붙여 만든 탄딤형은 집광시에 35.8%에의 변화

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| 리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.04.27

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