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"GAA공정" 검색결과 161-180 / 459건

  • 태양전지 이차전지 연료전지
    ) : GaAs/Ge, GaInP/GaAs, GaAlAs/GaAs제조공정..PAGE:16응용일청담태양전지자동차태양전지가로등..PAGE:173.연료전지..PAGE:18화석연료의 매장량 ... 의 반도체들은 광기전력효과(photovotaic effect)를 나타내지만 태양전지의 량생산으로 이어지는 반도체들은 주로 실리콘(Si)과 갈륨아세나이드(GaAs)이며, 실리콘이 가장 ... 된다는 것을 발견한다.광기전력효과(photovotaic effect)..PAGE:12제조공정1. 다결정 고순도 실리콘2. 다결정 고순도 실리콘을녹이기 위해 쎄라믹 용기에집어넣음.3.고진공
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    | 리포트 | 43페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.08
  • LED의 발광원리, LED제조공정, LED 광효율, 조명용어 설명, LED조명 시장, 국가별 정책 전망
    - LED(Light Emiting Diode)는 화합물 반도체(예: GaP, GaAs)의 pn 접합 다이오드에 순방향 전류가 흐를 때 빛을 발하는 현상을 이용한 소자를 말 ... ) 공정에서 시작된다. Wafer는 경쟁력 확보를 위해 현재의 높은 원가를 낮추는 저가형 재료 개발에 몰두하고 있다. Wafer의 크기가 2인치에서 4인치까지로 확대됨에 따라, 얇
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    | 리포트 | 84페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.12.04 | 수정일 2018.02.19
  • Coating - PVD & CVD Deposition, Sputter, Evaporation
    는 CVD (Chemical Vapor Deposition)이다. 이 둘의 차이는 증착시키려는 물질이 기판으로 기체상태에서 고체상태로 변태될 때 어떤 과정을 거치느냐 이다. 공정 ... 풀어서 말하자면, 많이 쓰이는 산화물 반도체나 GaAs 등을 증착시킬 때 PVD 방법들은 그 화합물들을 우선 소결하거나 녹여서 고체 상태의 target으로 제조해서 열이나 전자빔 ... ,Target 자체를 증착하는 방법.• 공정상 진공 환경을 요함.• 스퍼터링 (Sputtering), 전자빔증착법 (E-beam evaporation), 열증착법 (Thermal
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    | 리포트 | 11페이지 | 5,000원 | 등록일 2014.06.23
  • 15Etching
    을 줄이는 용액을 사용표면연마 공정에 주로 이용됨. Ga와 As의 (111)면에서의 표면 활성도가 달라서 Ga면보다 As면이 식각속도가 빠르다 2GaAs + 12h(+) +10H2 ... - Etching -목차#. Etching ? #. Wet etching? - 기본과정 - SiO2 식각 - Si3N4 식각 - Si 식각 - Al 식각 -GaAs 식각 ... O → Ga2O3 +As2O3 +4H2O + 12H(+) 식각 용액에 따라 Br2-CH3OH (등방성) H2O2-산(인산, 황산 등) (111)Ga면 이방성5. GaAs
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    | 리포트 | 48페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18
  • 반도체 레이저 다이오드 (대학원 발표자료)
    을 이용한 광파의 발진기 및 증폭기 .  특징 - 소형 , 경량 이며 반도체 공정을 통해 저가격 으로 대량 생산 이 가능 - 발진파장 범위 : 300nm~20µm, 최대 광출력 ... GaAs / GaAs LPE, homojunction Direct modulation 1970-1975 GaAs / GaAlAs Heterojunction Transverse mode ... . 반도체 레이저의 밴드갭 에너지와 발진 파장 직접 , 간접 전이형 밴드갭  전도대의 전자가 가전자 대의 빈 에너지 상태로 전이할 때  GaAs 는 전도대역에서 가전자 대역
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    | 리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.08
  • LED (Light Emitting Diode)의 이해국내 LED산업의 문제점&발전 전략
    ) Materials of LEDs (Red-Orange-Yellow) LED product chain LED 의 장점 LED 의 단점 에피성장 ( Epitaxy ) LED 의 제조공정 ... 칩 제작공정 (Nitride LED) LED 칩 (Nitride LED) LED 의 Application LED 산업구조 자동차용 LED LED backlight unit ... (BLU) Illumination 국내 LED 산업 문제점 LED 시장예측 국내 LED 산업 발전 전략반도체 분류 반도체 단원소반도체 (Si, Ge) 화합물반도체 (GaAs, InP
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    | 리포트 | 35페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.01 | 수정일 2017.09.25
  • [태양전지] 태양전지 (필요성, 원리, 특징, 종류, 제조법, 실용화, 앞으로과제) PPT
    형실리콘(단결정,다결정) 갈륨비소 (GaAs) 탐뎀형 (GaAs/Si)24~28 25 31(347배 집광)박막형비결정질 Si(a-Si) 탐뎀형 (a-Si/CIS)14 16*태양전지 ... 된 실리콘을 고온(1500℃)으로 가열 두께 약 300㎛의 웨이퍼 제조 p-n 접합체 제작 반사방지막을 형성한다. 제조공정은 복잡하며 비싸다. 현재 자동화와 연속화에 의한 비용절감 ... 를 함유한 가스를 진공 챔버 내에 방전 200~300 ℃로 가열한 유리기판 형태로 0.5 ㎛의 얇은 막 제작 재료비가 적고, 제조 공정이 단순.(적은 전력이 요구되며 기판 종류
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    | 리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.12.09
  • 결정 성장 기술
    에 있어 반도체 박막 결정을 형성시키는 매우 중요한 공정기술이다. 특히 GaAs를 포함하는 일부 화합물 반도체는 다른 방법보다는 VPE법을 사용하여 보다 순수하고 결정구조가 완전 ... 들을 자체보다 낮은 온도에서 녹기도 하기 때문에, 이러한 혼합물 용액으로부터 결정을 성장시키는 것이 유리한 경우가 종종 있다. 예를 들어 GaAs의 용융점은 1238 oC이나 금속 ... Ga와 GaAs의 혼합물은(이 혼합물의 조성비에 따르지만) 상당히 낮은 용융점을 갖는다. 따라서 GaAs 시드 결정을 그것 자체가 용융되는 온도보다 낮은 온도에서 녹는 Ga+GaAs
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.10.06
  • 사파이어 단결정의 생성 이론 및 역사 , 제조방법 , 가공방법 , 응용방법 , 등에 관하여 기술되었습니다.
    .991Å). 대부분의 알루미나는 보오크사이트(bauxite) 광물을 원료로 하여 Bayer 공정을 통하여 제조되어지며, 높은 내열성과 내화학성, 내식성, 고강도 등에 기인하여 내마 ... 이다. 현재 산업용으로 생산되는 결정의 세계시장은 일 년에 약 3만 톤에 이르는 것으로 평가되는데, 가장 큰 비중을 차지하는 분야는 silicon, GaAs, InP, GaP ... 제조공정의 국산화 및 고효율화를 위한 소재산업의 지속적인 발전 요구 단결정 성장공정 , Wafering공정 , 조명 및 디스플레이 의 융복합적인 기술개발이 진행되어야 기술경쟁력 확
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    | 리포트 | 30페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.05.20
  • [실험레포트] 온도변화에 따르 저항 변화 측정
    는 산화물 반도체나 GaAs 등을 증착시킬 때 PVD 방법들은 그 화합물들을 우선 소결하거나 녹여서 고체 상태의 target으로 제조해서 열이나 전자빔으로 휘발시켜서 기판에 증착 ... 는다기 보다는 화학반응을 일으켜서 고체 상태로 변화하는 것이다.● PVD & CVDPVD와 CVD 모두 반도체 공정이나 기타 산업에 많이 이용되는데 대개 PVD는 고품질의 박막
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.12.05
  • 박막 태양광기술에 대해서 전문적인 자료입니다
    : 저가화 한계 두께 한계 : 2~300um 공정이 단속적기존 기술의 보완 · 고효율, 저가화 · 박판 직접 제조, 구형화, 원료 재생 · 웨이퍼 박형화 50um · eoconomy ... 대량생산 · 저에너지 소비형 공정(EBP 1.5년, 장기 0.5년) · 저가의 기판재료 이용(유리, 금속, 플라스틱)단-중기중-장기CIGS 흡수 층 제작→ co ... 에 진공증착 시켜 CIGS 박막을 제작하는 기술 장점 : 제작공정 간단 단점 : 진공장치 내부의 오염 제작비용 저렴 양질의 박막제장 용이치 않음 대면적화가 어려움
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    | 리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.08.26
  • 판매자 표지 자료 표지
    태양전지-차세대 태양전지로써의 박막형 태양전지의 성장성(태양전지의 작동원리 등)
    을 달성할 수 있으나 고가이고, 다결정 재료는 상대적으로 저급한 재료를 저렴한 공정으로 처리하여 상용화가 가능한 정도의 효율의 전지를 낮은 비용으로 생산하려는 의도로 사용된다.단 ... 이 기록된 바 있으며 실험실에서는 17%를 상회하는 효율이 재현성 있게 기록되고 있다. CIS층은 진공증착 또는 금속막을 증착한 후 selenization공정을 거치는 2단계 방법 ... /Laser scribing 공정을 적용하여 제작된 미니모듈에서는 10.6%의 변환효율을 얻고 있다. Cd-free buffer 층 소재 개발을 위해 CBD (Chemical
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    | 리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.10
  • ZnO
    , GaAs , GaN 등도 반도체 nanowire 로 개발중 60mV 의 결합에너지를 갖는 ZnO 가 더 관심을 가짐 ZnO 란 ? ZnO 는 다양한 1D 구조를 보여주는데 종류 ... Deposition(CVD) 의 장단점 장점 적용대상의 다양성 고순도 재료의 합성에 적합 정밀한 공정제어 가능 복잡한 형태위에 균일한 Coating 가능 단점 Coating 반응 ... 이 좋음 단점 : 쌓이는 속도가 느림 , 한번에 여러장을 같이 loading 함으로서 공정 진행중 문제 발생시 많은 손실 야기Introduction APCVD : 반응기의 압력이 상압
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    | 리포트 | 28페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.05.07
  • White LED의 기술개발동향과 전망
    Chapter 2. white LED의 기술적 특성? LED의 동작원리 및 재료? white LED의 개념과 구현방법223Chapter 3. White LED 의 공정 기술? Tech ... . tree of the white LED? LED 제조 공정? 기 판? 에피성장(Epitaxy)? 칩 제조공정(Fabrication)? 패키징(Packiging)44556810 ... 로 1962년 Holonyak이 GaAsP 적색 LED를 처음 개발하였다. 그 후, 주로 단순 표시기로 사용되었던 저휘도 LED는 반도체 공정 기술의 발달로 휘도가 매 18~ 24
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    | 리포트 | 18페이지 | 4,000원 | 등록일 2011.11.21
  • 실리콘태양전지
    되었고, 1954 박막형 : 비정질 실리콘, CdS, CdTe, CuInSe2 등- 집광형 : GaAs 계열, 적층형 등ⓑ 위성용 태양전지- IV 족 : 단결정 실리콘, Ge (저온용) ... - GaAs 계열 : GaAs, InP 등- 적층형(Tandem) : GaAs/Ge, GaInP/GaAs, GaAlAs/GaAs2. 본론① 실리콘 태양 전지의 원리㉠ 비정질 실리콘 태양전지 ... 한 불연속면 때문에 전력변환효율이 단결정에 비해 낮습니다. 제조공정이 간단하고 대량 생산이 가능하여 가격이 저렴하다는 장점이 있습니다.㉢ 단결정 실리콘 태양 전지단결정 실리콘 재료
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    | 리포트 | 35페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.27
  • MOCVD
    이 나왔다. 이 결과를 통해서 GaN이 고르게 성장되지 않았음을 알 수 있다.① 산업표준고려 : 일반적으로 GaN 반도체를 성장하기 위하여 사파이어, SiC, Si, GaAs 기판 ... 등이 주요 사용되는데 GaN과 원자 결정 구조가 같아 두 물질 사이에 결합이 용이하고, 산이나 알칼리에 쉽게 부식 되지 않아 LED 제조 공정에 필요한 각종 에칭에도 잘 견디
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    | 리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.07.02 | 수정일 2023.03.30
  • 판매자 표지 자료 표지
    박막형 태양전지의 성장성 (태양전지의 기술, 차세대 친환경 에너지)
    을 달성할 수 있으나 고가이고, 다결정 재료는 상대적으로 저급한 재료를 저렴한 공정으로 처리하여 상용화가 가능한 정도의 효율의 전지를 낮은 비용으로 생산하려는 의도로 사용된다.단 ... 으며 실험실에서는 17%를 상회하는 효율이 재현성 있게 기록되고 있다. CIS층은 진공증착 또는 금속막을 증착한 후 selenization공정을 거치는 2단계 방법 등으로 만들어진다 ... -xGaxSe2) 물성 및 전지효율에 대한 영향을 조사하는 것이다.④ GaAs 태양전지태양전지 재료 중에서 가장 높은 효율을 달성하였고 현재 우주용으로 상용화에 성공하여 흑자를 기록
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.02.18
  • graphene의 모든것
    -그래핀의 종류로는 한층 그래핀, 두층 그래핀 및 다층 그래핀 등으로 나눌 수있다. (순수한 2차원 그래핀은 한 층 구조이나 보통 최초 그래핀 공정시 층의개수에 따라 한 개 층 ... 래우 현재의 터치스크린의 성능을 뛰어넘을 수 있다.1) 디스플레이투명 디스플레이투명 디스플레이란 규소(Si), 갈륨비소(GaAs)와 같은 불투명 반도체 화합물로 이루어진 일반적인
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    | 리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.12.03
  • 2.6GHz대역 위성 DMB용 LNA설계 프리젠테이션 자료
    화합물 반도체인 GaAs 공정기술 발전으로 전자의 속도가 Si에 6배 빠르며, 고주파 성능 우수 GaAs MESFET(Metal Semiconductor FET) HEMT(High
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    | 리포트 | 37페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.08.24
  • 반도체공학-sollar cell
    태양전지 등에서 시도되고 있지만은 전극 제작 공정이 까다로워 높은 효율을 얻지 못하고 있으며 대면적으로 제작이 어려워 제작 단가가 비싼 문제가 있다. 그러나, MOCVD와 MBE ... 이 개발되면서 가능하게 되었다. (그림 7)과 같은 서로 다른 흡수대역을 가지는 태양전지들 사이에 터널정션 구조를 삽입하여 한 번의 박막 증착 공정만으로 (그림 8)과 같이 ... monolithic하게 다중접합 태양전지 제작이 가능하다. 단일 접합 태양전지 간의 직렬 연결 시 별도의 전극 공정이 필요하지 않으므로 단일 접합 태양전지 제작 공정과 동일하다. 따라서
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    | 리포트 | 25페이지 | 3,500원 | 등록일 2013.08.20
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2025년 10월 28일 화요일
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