[공학]고주파증폭기

소개글

결합 커패시터와 바이패스 커패시터가 증폭도를 저하시키는 커다란 요인이 되었다. 그러나 고주파에서 이들은 아무런 영향도 끼치지 않고 단지 단락된 회로의 역할을 한다. 본 실험에서는 이러한 특성을 고찰하고 이해하고자 한다.

목차

1. 목적
2. 준비물
3. 이론

본문내용

(1) 베이스 바이패스 회로

공통 이미터 증폭기의 내부 저항 rb 를 갖는 신호원 Vin 를 나타내었고 그림 7-1(a)에 중간 주파수 대역에서의 증폭기의 교류 등가 회로를 나타내었다.

(a) (b)
그림 7-1 고주파 영역 공통 이미터 등가회로


교류 등가 회로의 저항 rb 는 베이스에 대한 테브난 교류 저항인데 다음과 같다.


저항 rc 는 콜렉터에서 본 교류저항인데 다음과 같이 표현된다.


증폭기에서 중간 주파수는 용량성의 영향이 무시되므로 최대 출력 전압이 얻어지는 동작영역이다. 중간 주파수 이하에서는 결합 커패시터와 이미터 바이패스 커패시터 때문에 출력 전압이 감소되고 중간 주파수 이상에서는 트랜지스터의 극간 용량과 배선의 분포 용량 때문에 출력 전압이 감소한다.
그림 7-1(b)에는 증폭기의 중간주파수 이상에서의 교류 등가 회로를 나타내었다. 여기서 C`e 는 이미터의 다이오드의 용량이고 C`C 는 콜렉터 다이오드의 용량이다. C`C 영역의 저항인 r`b 는 중간 주파수 대역에서는 그 영향이 없으므로 무시했으나 중간 주파수 대역 이상의 주파수가 되면 그 영향이 크게 되므로 해석시 반드시 포함시킨다. BJT 증폭기에서 임계 주파수를 구하기 위해서는 불필요한 베이스와 콜렉터의 바이패스 회로를 반드시 고려해야 하는데, 그 첫 단계가 두개의 밀러 용량을 구하는 것이다. 베이스에서 콜렉터 측을 본 중간 주파수 대역의 전압 이득은 콜렉터 저항 성분과 이미터에서 본 교류 부하 저항으로 다음과 같다.

참고 자료

없음