lithography

소개

Clean wafers
Deposit barrier layer
Coat with photoresist
Soft baking
Align masks
Exposure
Develop photoresist
Hard baking
Etch
remove photoresist

목차

Photolithography process
◈ Etching Technique
◈ Exposure System
◈ Exposure Source
◈ Optical and Electron Microscopy
◈ Summary

본문내용

primary flat이 있는 방향이 [110]방향
◈ <100> 방향의 웨이퍼의 경우에는 p형은 시계방향 90도에 secondary flat을 만들고, n형은 180도 방향
◈ <111> 웨이퍼의 경우 p형은 secondary flat이 없고, n형은 45도 방향
노광
photo mask를 통해 자외선 영역의 빛을 조사함으로서 mask상에 형성된 미세회로 형상(pattern)을 coating된 PR에 전사하는 과정

마스크에 들어있는 패턴을 감광막 위에 전사시키는 공정으로 마스크를 웨이퍼 위에 정렬시킨 후 자외선을 사용하여 Pattern이 define 되도록 마스크를 통해 노출 시키는 것.
Sputtering (Ion milling)
Energetic noble gas ions such as Ar+ to bombard the wafer surface
Highly anisotropic etching
Selectivity is poor
전극 사이 외부 dc-bias voltage에 의한 강한 electric field에 의하여 ion이 가속된다.

Reactive-ion etching (RIE) (plasma etching + sputter etching)
= plasma etching + energetic positive ion bombardment
electrode structure is asymmetry. (Fig 2.8b)
upper electrode가 lower electrode보다 크다.
self-bias between the electrodes.

참고자료

· 없음