[hall effect]hall effect
- 최초 등록일
- 2005.12.11
- 최종 저작일
- 2004.05
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소개글
이 자료는 반도체를 이해하는데 필수적인 Hall effect,four-point probe Seebeck effect등에 대해 자세히 설명하였다.
그럼으로써 반도체onductivity type 만드는 방법에 대해 이해를 쉽게 할 수 있도록 자료를 만들었다
목차
1. hot or thermoelectric probe method (Seebeck effect)
(1) 원리
(2) Seebeck effect
2. four-point probe method
3. hall effect
(1)Hall effect란?
(2)hall effect에 관련된 수식전개
4. 반도체 conductivity type 만드는 방법
5. 반도체 기판의 conductivity type 결정방법
본문내용
*반도체 기판의 conductivity type 결정방법
처음에 두 개의 물체가 각각 다른 free electron densities를 갖고 있다고 가정하는 반면 두 개의 온도는 같다고 하자. 두 물체를 결합시킬 때 그 정점은 새로운 평형을 유지하다 전하 차에 균형을 유지하려고 더욱더 많은 에너지를 가진 전자가 한 물체에서 다른 물체로 이동한다.(seeback 효과) 이 효과를 통해 한쪽 물체에는 positive charges가 다른 한 물체에는 negative charges 가 오게 된다 또,Hall effect에 의해 물질 내의 전하 운반체가 negative(electron)인지, positive(hole)인지 알 수 있고, 또한 도체 내의 전하 운반체의 밀도수 (concentration of charge carriers)를 알 수 있다. 이러한 현상을 통해 반도체 기판의 conductivity type이 n-type 인지 p-type 인지 알 수 있고 또, 저항, Rho는 특히 반도체 분야에서 샘플의 불순물 농도 때문에 중요한 파라메타이고. 4-point probe는 이러한 벌크 저항을 측정하는데 사용하기 때문에 이 측정법으로 불순물의 농도를 측정 할 수 있다.
*Seebeck effect
Seebeck effect는 두 개의 정점이 각기 다른 온도에서 (T0 and T1 in Fig. 1 on the previous page) 유지되는 하나의 루프 안에 두 개의 각기 다른 전도체가 결합되어 있을 때 전류가 생기는 것을 말한다. 두 개의 물체가 각각 다른 free electron densities를 갖고 있다고 가정하는 반면 두 개의 온도는 같다고 하자. 두 물체를 결합시킬 때 그 정점은 새로운 평형을 유지하다 전하차에 균형을 유지하려고 더욱더 많은 에너지를 가진 전자가 한 물체에서 다른 물체로 이동한다. 자연적으로 두 물체 각각의 disturbs은 각자의 individual equilibriums하다. 이러한 disturbance은 자유전자의 이동에 의해 유도되며 이런 과정에서 한쪽 물체에는 positive charges가 다른 한 물체에는 negative charges 가 오게 된다
참고 자료
없음