Hall effect 결과보고서

목차

1. 실험 목적
2. 실험 방법
3. 실험 결과
4. 오차 원인
5. CONCLUSION
6. Reference

본문내용

실험 목적
Negative Type과 Positive Type 반도체의 홀 전압을 측정하여 Hall mobility, Carrier concentration, Hall coefficient를 계산해보았다. 이를 통해 N-type과 P-type 반도체의 차이점을 살펴보고 Hall effect의 원리를 이해하고자 한다.

Experiment
실험 방법
1. 전자석 사이 중앙에 잘 위치하게 가우스 미터를 고정시키고, 가우스 미터의 값을 100G씩 올려가며 6000G까지 전류의 값을 기록한다. (이 때 power supply의 최대 전류가 4A이기 때문에 4800G만큼 자기장을 가해주었다.)
2. n-type반도체 샘플을 Hall voltage 측정 장치에 연결하여 전자석의 중앙에 오도록 잘 고정해주고, 측정 장치의 off set을 0으로 맞춰준다.
3. 전류를 측정할 값(2mA, 4mA, 6mA)에 맞춰준 후, 자기장을 올려가며 Hall voltage를 측정해 준다.
4. 샘플을 p-type 반도체로 바꾸어 준 후, 2-3과정을 반복한다.

참고 자료

CLARLES KITTEL, Introduction to Solid State Physics, TEXTBOOKS
WILLIAM D. CALLISTER, JR, 재료과학과 공학, WILEY
R.S. Popovic, Hall Effect Devices, IOP
Daniel R. Bès, Quantum Mechanics: A Modern and Concise Introductory Course, Springer