Hall effect 예비보고서

목차

1. 실험 목적
2. Introduction
3. Experiment
4. Reference

본문내용

실험 목적
Negative Type과 Positive Type의 홀 전압을 측정하여 Hall mobility, Carrier concentration, Hall coefficient의 값을 직접 구해본다. 이를 통해 N-type과 P-type의 차이점을 살펴보고 Hall effect의 원리를 이해한다.

Introduction
반도체의 종류로는 N-type과 P-type이 있다. N-type의 경우 전하 운반자가 자유 전자인 반면 P-type은 양공이 전하를 운반한다.
홀 효과는 자기장에 놓인 고체에 자기장의 방향과 수직인 전류가 흐를 시 고체 내부에 전기장이 형성되는 현상을 말한다.
홀 효과는 전자 이동도, 자기장, 전하 운반자 밀도 등을 측정할 때 유용하며, 우리는 N-type과 P-type의 홀 전압을 측정하여 Carrier concentration, Hall coefficient 및 Hall mobility를 계산해보고 각 반도체의 특징과 차이점을 알아보고자 한다.

참고 자료

CLARLES KITTEL, Introduction to Solid State Physics, TEXTBOOKS
WILLIAM D. CALLISTER, JR, 재료과학과 공학, WILEY
Alan Giambattista, 대학물리학, Mc Graw hill