[반도체공정] 표면연마

목차

없음

본문내용

POLISHING[그림1.그림2]이란 사전적 의미로 ‘마찰에 의해서 표면은 부드럽고 광택을 나게하는 것’을 의미하며 광원에 의한 굴절이 산란되는 결정표면을 거울같은 반사표면으로 만들어 주는 것을 의미한다.
이전 공정에서 CHEMICAL로 ETCHING된 WAFER의 표면은 경면 연마 공정에서 평탄하고 DAMAGE가 없는 경면으로 가공된다. SILICON WAFER의 경면 연마는 SILICA 계열의 연마제를 공급하면서, WAFER와 인조 피혁으로 된 POLISHING PAD사이에 일정한 하중과 상대 속도를 조절하여 연마하게 된다. SILICON WAFER의 경면 연마는 알칼리 용액에 의해 WAFER표면에 연질(軟質)의 SILICA 수화막(水和膜)이 형성되고 그 수화막이 연마제 입자에 의해 제거되어 가공이 진행되는 것이다.
Silicon WAFER의 경면 연마 방법은 LAPPING방식과 같이 양면을 동시에 경면화하는 양면 연마 방식과 한 장씩의 WAFER를 PLATE에 진공 흡착하여 연마하는 낱장 방식, 또는 WAX등의 접착제를 사용하지 않고 PACKING PAD와 TEMPLATE로 고정하여 그대로 연마하는 WAXLESS연마 방식 등 여러 가지 방식이 응용되고 있으면 주류를 이루는 방식은 WAX를 접착시키어 한쪽면을 연마하는 WAX MOUNTING 방식이 SILICON WAFER뿐 아니라 GLASS, CERANRSC의 연마에도 적용되고 있으나, 현재 GLASS나 CERAMIC 등의 PLATE에 여러장의 WAFER를 WAX로 접착시켜 한쪽면 만을 연마하는 WAX MOUNT BATCH식 편면 가공 방식이 주류를 이루고 있다. WAFER POLISHING은 일반거으로 4-5단계를 통해 이루어지며 각단계는 한MODEL로 구성되어 있다. (ROBOT사용)

참고자료

· 없음